【課題】ＬＥＤチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップを直列接続して用いるＬＥＤユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、ＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム３０は、１ピッチの外枠部３１の内側に支持片３２を介して支持されたパターン３３が、ＬＥＤチップを搭載するダイパッド３４と、ダイパッド３４からダイパッド３４を取り囲むように延設されたヒートシンク３５と、一方の電極１１がヒートシンク３５に電気的に接続されるＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されるリード３６とを具備する単位ユニット３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット３３ａの一方の単位ユニット３３ａのリード３６と他方の単位ユニット３３ａのヒートシンク３５とが連結され電気的に直列接続され、支持片３２の切断部３２ｂを、ダイパッド３４の裏面を含む仮想平面ＶＰから浮かせてある。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ反射膜を用いて光の取り出し効率を良好に維持したまま、Ａｇ反射膜と透光性基板との剥がれを抑制し、信頼性の高い発光装置を提供する
【解決手段】第１の主面と第２の主面とを有する透光性基板１２の第１の主面上に半導体層１４が形成されてなる発光素子１０と、
前記第２の主面上に形成されたＡｇ又はＡｇ合金の反射層１６と、
前記反射層１６側が共晶合金２２により接合されるリードフレーム２４と、を有し、
前記リードフレーム２４は、Ｆｅを含む合金からなる第１の金属部材２６と、前記第１の金属部材と異なる金属からなる第２の金属部材２８とが接合されてなるクラッド材からなることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高い小径の貫通孔の導通性に関して向上された配線基板および電子装置を提供すること。
【解決手段】貫通孔１ａを有しており、窒化アルミニウムを主成分として含んでいる絶縁基板１と、貫通孔１ａの内面の上端部から下端部にかけて設けられたアルミニウム層２と、アルミニウム層２の表面に設けられた薄膜層３と、薄膜層３の表面に設けられた金属層４とを備えている。本発明の一つの態様による配線基板５は、このような構成を含んでいることによって、貫通孔１ａの高アスペクト比化が進んで仮に貫通孔１ａの中央部分において薄膜層３が設けられなかったとしても、アルミニウム層２によって貫通孔１ａの上端部から下端部にかけて十分な電気的経路を設けることができ、アスペクト比の高い小径の貫通孔１ａの導通性に関して向上されている。 （もっと読む）

【課題】硫化速度が従来の銀皮膜の半分以下であり、初期の光の反射率に優れる光半導体装置用リードフレームを提供する。また、硫化速度が従来の銀皮膜の半分であることから長期信頼性が従来の銀皮膜よりも倍以上に優れ、かつワイヤボンディング性は従来の銀皮膜と同等であり、さらに外部に露出した箇所における半田付け性に優れるため外装めっきを必要としない、光半導体用リードフレームを提供する。
【解決手段】基体１上に銀−インジウム合金、銀−錫合金、又は銀−インジウム−錫合金からなる反射層２が形成されており、該反射層２上にインジウム及び／又は錫の酸化物層３が厚さ０．０００４〜０．００１μｍで最表層に形成されていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１において、成形体１１は、リード１２の光出射面１０Ａ側に配置される矩形環状部１１３と、リード１２の背面１０Ｂ側に配置され、下面１０Ｃの一部を形成する第１柱部１１１および第２柱部１１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高温で使用したり高出力発光ダイオード素子に適用しても、良好な放熱特性および光効率を担保することができる発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】本発明による発光ダイオード素子は、陰極リードフレーム１０、前記陰極リードフレーム１０と電気的に絶縁される状態で配置される陽極リードフレーム２０、前記陰極リードフレーム１０および前記陽極リードフレーム２０に電気的に接続される発光ダイオードチップ３０、前記発光ダイオードチップ３０を収容する陥没部４１を含み、前記陰極リードフレーム１０と前記陽極リードフレーム２０を固定する合成樹脂部材４０、および前記陥没部４１の内面の少なくとも一部を囲み、前記合成樹脂部材４０の上面を覆うように延びる金属性放熱反射部材５０を含む。 （もっと読む）

【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱変色性に優れ、長寿命で、バリ取りが非常に容易で、比較的安価でしかも材料の保存安定性、ハンドリング性、加工性に優れた表面実装型発光装置とその製造に用いられる乾式不飽和ポリエステル樹脂組成物、粒状物、ペレット、および粉砕加工物を提供する。
【解決手段】乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体からなる第１の樹脂体４０と、発光素子１０を被覆する第２の樹脂体５０とを備え、第１の樹脂体４０の凹部４０ｃの底面部４０ａには、発光素子１０を載置した第１のリード２０が露出され、かつ第１のリード２０と第２のリード３０とを絶縁する樹脂絶縁部４５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップのワイヤボンディングに対応でき、銀に代えて低コストの材料を適用して、高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜１３を備え、さらに反射膜１３上にＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜１４を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率をもった発光ダイオードを低コストで得る。
【解決手段】この発光ダイオード１０においては、安価なアルミニウムがリードフレームの材料として用いられる。裏面に露出した第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の表面は、はんだ付けが容易なめっき層１２で覆われている。また、反射層１３が開口部１１９、１２０を介して第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の下面側にも形成されることにより、この反射層１３と第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２との間の接合強度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成した空隙部分に充填樹脂が充填されたリードフレームにおいて、金属板と充填樹脂の界面に隙間を生じ水分が浸入する問題を防ぐ。
【解決手段】充填樹脂から露出した金属板の表面に貴金属めっき層が形成され、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜が前記充填樹脂の極性基と結合することで前記充填樹脂と前記金属板との密着性が高められ前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げた半導体発光装置用リードフレームを製造する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、発光素子と、表面にめっき層を有し、発光素子が載置されるリードフレームと、リードフレームを保持する樹脂成形体と、を有する発光装置であって、めっき層は、上面の高さが異なる領域を少なくとも２以上有しており、高さが異なる領域の間に傾斜面を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可視光域である波長４００〜８００ｎｍの反射率が８０％以上を維持すると同時に、近紫外域である波長３４０〜３８０ｎｍ付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させて反射率低下を抑制することができる光半導体実装用基板を提供する。
【解決手段】導電性基板１上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理、好ましくは該被膜を外気に曝すことなく電解処理して、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）で５μｍ×５μｍの視野内で測定した表面粗さＳａが２ｎｍを超えて５０ｎｍ未満の反射層２とする光半導体実装用基板の製造方法である。導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成した後、該皮膜を外気に曝すことなく電解処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光量の減少及び強度の低下を抑制可能なサイドビュー型の発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１００において、第１リード４０は、底面２０Ａ、背面２０Ｄ及び第１側面２０Ｅ_１の境界において成形体３０から露出する第１端子部４２を有しており、第２リード５０は、底面２０Ａ、背面２０Ｄ及び第２側面２０Ｅ_２の境界において成形体３０から露出する第２端子部５２を有する。第１リード４０は、第１端子凹部４２Ｓを有し、第２リード５０は、第２端子凹部５２Ｓを有している。第１リード４０は、埋設面４２Ｃ上に配置され、成形体３０に埋設される第１埋設絶縁シート６１を有する。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備える発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は所定の曲率で曲折している。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備え、発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は、前記底面に対する垂直軸を基準として１５°から３０°の範囲の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光装置は、導電部材と、導電部材上に載置される発光素子と、を有する発光装置であって、導電部材は、Ｆｅ又はＣｕを含む母材と、その上に設けられる金属層とを有し、金属層は、Ｎｉ又は、ＮｉとＣｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｗ、Ｚｎから選択される少なくとも１種を含む金属である第１金属層と、第１金属層上に設けられ、Ａｇ又は、ＡｇとＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、希土類元素から選択される少なくとも１種を含む金属であり、導電部材の表面層となる第２金属層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、膜厚０．６μｍ以上８μｍ以下のＡｇめっき膜１３を備え、さらにＡｇめっき膜１３上にＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属または２種以上からなる合金のいずれかの金属酸化膜１５を膜厚０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成されて備え、金属酸化膜１５を備えた側の表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。金属酸化膜１５をＡｇめっき膜１３に被覆することにより、Ａｇめっき膜１３に外部からハロゲンイオンや硫黄が接触することを防止し、耐久性に優れた反射膜となる。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度と高い生産性を維持しつつ、１つの金属板材からリードフレームを製造することができるリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】帯板状の導体を順送りしながらプレス加工を施すことにより、両側部に平行なフレーム部１ａ，１ｂを形成するとともに、上記両フレーム部１ａ，１ｂの間にフレーム部１ａ，１ｂに対して連結部２ａ，２ｂによって連結されたパーツ部３ａ，３ｂを形成するリードフレームの製造方法であって、
上記連結部２ａ，２ｂは、フレーム部１ａ，１ｂとパーツ部３ａ，３ｂの連結状態を維持した状態でフレーム部１ａ，１ｂに対するパーツ部３ａ，３ｂの距離変動を許容する変形部として機能するよう構成され、
上記両フレーム部１ａ，１ｂを同じ速度で順送りしながら加工するときに、上記フレーム部１ａ，１ｂに対するパーツ部３ａ，３ｂの距離が変動するよう移動させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、可視光域（波長４００〜８００ｎｍ）において全体的に従来の銀皮膜よりも反射率が高く、特に波長４５０ｎｍ近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基体の最表面の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に反射層を具備してなる光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層が、少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域の最表面において、銀からなるめっき組織の少なくとも表面が塑性変形された組織を有し、その少なくとも表面において、塑性変形により残存した銀からなるめっき組織の面積比が５０％以下である光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）、特に波長３７５ｎｍ近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレーム及びその製造方法を提供する。さらにこの光半導体装置用リードフレームを用いたＬＥＤ用部品を提供する。
【解決手段】金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、ＬＥＤ用部品材料において、針式表面粗さ計による測定での表面粗さＲａを０．０１０μｍ以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定で表面粗さＳａが５０ｎｍ以下であることで、反射率と封止材との密着性を向上させたことを特徴とするＬＥＤ用部品材料。 （もっと読む）