【課題】本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）をパッケージに取り付ける際に、前記発光ダイオードの放熱が優れているプラスチックパッケージおよびプラスチックパッケージ作製方法に関するものである。
【解決手段】本発明のプラスチックパッケージは、第１リード、第２リード、およびこれらをモールドするプラスチックとから構成されている。前記第１リードードは、第１凸部、前記第１凸部に連設された第１リード放熱部、および第１リード端子とから少なくとも構成されている。前記第２リードは、第２凸部、前記第２凸部に連設された第２リード放熱部、および第２リード端子から少なくとも構成されている。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂に用いるフィラーの最適化
【解決手段】発光装置１００は、白色の樹脂からなる筐体部１０の上部の凹部に、青色ＬＥＤ２０とツェナーダイオード２５を配置し、各々金から成るボンディングワイヤ３０で配線層と導通させたものである。また、筐体部１０の凹部には、樹脂組成物の硬化物（封止樹脂）４０が充填されている。封止樹脂４０は、熱硬化性の透光性樹脂に、第１のフィラー、第２のフィラー、蛍光体をそれぞれ所定量配合して、ミキサで十分に攪拌したのち充填され、１５０℃１時間の加熱で熱硬化されたものである。第１のフィラーとして、平均粒径ｄ５０が２１．８μｍのシリカを３０ｗｔ％、第２のフィラーとして、平均粒径ｄ５０が０．０１４μｍのシリカを１ｗｔ％、黄色蛍光体を５ｗｔ％用いた。 （もっと読む）

【課題】輝度低下を十分に抑制できる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１０は、リード電極１ａ，１ｂと接続された光半導体素子８と、光半導体素子８を収納する凹部６を有する光半導体素子搭載用パッケージ成形体と、透光性を有する樹脂からなり、凹部６に充填されて光半導体素子を封止する封止体２０とを備える。上記光半導体素子搭載用パッケージ成形体は、リード電極１ａ，１ｂを表面に有する配線板１と、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり基板上に形成された光反射層５とを有する。上記凹部６は、光反射層５の表面から基板側の面にかけて設けられた孔によって形成されるものであり、凹部６の底面６ａは光反射層５用樹脂組成物の硬化物５ａ及びリード電極１ａ，１ｂによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置の熱を良好に放熱させる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、正面に発光素子を載置する凹部を有する成型部材と、それぞれ前記成型部材に埋設されるインナーリード部と前記成型部材の底面から突出するアウターリード部を有する正及び負のリードフレームと、を有する発光装置であって、前記成型部材は、前記正面と対向する背面に一対の第１切り欠き部を有し、前記アウターリード部はそれぞれ、前記第１切り欠き部に沿って折り曲げられる第１端部と、前記正面に隣接する側面に沿って折り曲げられる第２端部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームと熱硬化性樹脂組成物との密着性が高く、短時間に多数個の発光装置を製造する簡易かつ安価な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が７０％以上であり、外側面２０ｂにおいて樹脂部２５とリード２２とが略同一面に形成されている樹脂パッケージ２０を有する発光装置の製造方法であって、切り欠き部２１ａを設けたリードフレーム２１を上金型６１と下金型６２とで挟み込む工程と、上金型６１と下金型６２とで挟み込まれた金型６０内に、光反射性物質２６が含有される熱硬化性樹脂２３をトランスファ・モールドして、リードフレーム２１に樹脂成形体２４を形成する工程と、切り欠き部２１ａに沿って樹脂成形体２３とリードフレーム２１とを切断する工程と、を有する発光装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】発光器具の熱制御に関して改善すること。
【解決手段】発光器具１は、基体１０、発光ユニット２０およびフランジ４０を含んでいる。発光ユニット２０は、発光素子を有している。発光ユニット２０は、基体１０に固定されている。フランジ４０は、複数の溝４０４１を含む裏面４０４を有している。フランジ４０は、基体１０に固定されている。溝４０４１は、裏面４０４の中央部から周辺部へ延びている。複数の溝４０４１は、放射状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高精度で高速に組み立てることができる、光取り出し効率が高い半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と第２半導体層と発光層とを有する積層構造体と、前記積層構造体の主面上の第１及び第２半導体層にそれぞれ接続された第１電極及び第２電極と、前記主面上において、第１及び第２電極により覆われていない第１及び第２半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、第１及び第２電極の少なくともいずれかの周縁に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、を有する半導体発光素子と、第１及び第２電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、を対向させ、突出部をガイドとして接続部材を第１及び第２電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光器具の熱制御に関して改善すること。
【解決手段】発光器具１は、基体１０、発光ユニット２０およびハウジング５０を含んでいる。基体１０は、底部１２および側壁部１４を有している。発光ユニット２０は、発光素子を有しており、基体１０の側壁部１４の内側空間に設けられている。発光ユニット２０は、基体１０の底部１２に固定されている。ハウジング５０は、基体１０の底部１２および側壁部１４を覆っている。ハウジング５０は、基体１０の側壁部１４との間に空隙を介在させた状態で、基体１０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】所望の発光色を高効率、高光束で発光する発光デバイス及び発光装置を提供する。
【解決手段】光源と、前記光源から放射された光源光を吸収し、前記光源光の波長とは異なる波長の第１光を放射する第１波長変換部と、前記第１波長変換部の中に分散して設けられ、前記第１波長変換部よりも高い吸収率で前記光源光を吸収し、前記光源光の波長とも、前記第２光の波長とも、異なる波長の第２光を放射する第２波長変換部と、を備えたことを特徴とする発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】トランスファー成型性などの成型加工性が良好であり、高い耐光性および耐熱性を有する半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、およびヒドロシリル化触媒を必須成分として含有する樹脂組成物を用いて半導体のパッケージとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子に大電流を流すことで発生する熱を、効率よく放熱することで輝度向上を図ることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁性であるサファイア基板に化合物半導体が積層され、化合物半導体にボンディング電極が形成された発光素子６と、発光素子６の絶縁性基板がダイボンドされた搭載面側伝熱パターン１０と、発光素子６のボンディング電極とワイヤボンディングされたボンディングパッド１３と、ボンディングパッド１３が第２のスルーホール導体１５を介して接続された接続電極１６とが形成された基板２と、搭載面側伝熱パターン１０と第１の金属層２０を介在させて接着され、発光素子６を囲うように開口部３ａが形成された放熱体３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】LED半導体層の上に直接蛍光体薄膜を備え、発光効率のよいLED発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に半導体積層膜１００を形成し、半導体積層膜１００から基板を剥離し、半導体積層膜１００上にアーク放電プラズマを用いるイオンプレーティング法により蛍光体膜３を成膜する。半導体積層膜１００から成膜時の基板を剥離することにより、基板による光の減衰を防ぎ、光の取り出し効率のよい発光装置が得られる。蛍光体膜をアーク放電プラズマを用いるイオンプレーティング法により製造することにより、半導体積層膜にダメージを与えることなく結晶性のよい緻密な膜を成膜でき、蛍光体膜の変換効率も高い。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤの側面からのみ可視光を出射させる。
【解決手段】 広視野角のＬＥＤ１を構成する絶縁性を有するＢＴレジン等の回路基板２の上面には図示しない金属パッドが設けられており、このパッド上に紫外光を出射するＬＥＤチップ３がダイボンディングされている。また、回路基板２の表面には図示しない一対の配線回路があり、ＬＥＤチップ３の電極からこの配線回路まで金線４によってワイヤボンディング接続されている。回路基板２上にはセカンドボンディング領域を囲むように角筒体又は円筒体等の形状を有する枠体５が固定されている。等しい肉厚Ｌを有する枠体５は紫外領域で励起する３色蛍光体を含むエポキシ樹脂やシリコーン樹脂で形成されている。枠体５の内部にはエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透光性樹脂からなる封止樹脂６が充填されている。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード構造と発光ダイオード性能制御方法を提供する。
【解決手段】
本発明の発光ダイオード構造と発光ダイオード性能制御方法は、先ず、発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設定し、続いて、検査待ち発光ダイオードの発光性能を測定し、その後、発光ダイオードの発光経路中の少なくとも１つの部材上に破壊性構造を形成し、破壊性構造の範囲は、該差異値と正比例する。このように、破壊性構造によって発光ダイオードの発光経路中の部材の光学特性を変更し、発光効率を下降、非発光または祖光透過率を低減し、上記方法によって形成された単一発光ダイオードの発光性能を低減し、各発光ダイオードの発光性能の均一化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 紫外線発光ダイオードを用いたパッケージ型発光装置において、小型または薄型化を可能とし発光効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】 基板上に設けられた第１電極と第２電極、第１電極上に発光ピーク波長４２０ｎｍ以下の紫外線発光ダイオードを搭載し、紫外線発光ダイオードは少なくとも第１電極または第２電極とワイヤボンディングした構造を具備するパッケージ型発光装置において、第１電極と第２電極の隙間には絶縁部材が設けられ、第１電極の第２電極側の端部と紫外線発光ダイオードチップの端部との距離が０．３ｍｍ以上、パッケージの長手方向が２ｍｍ以上、であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼結体中の散乱体の含有量が極めて少なく、直線透過率が高く散乱の少ない透明多結晶セラミックを提供すること、また色のばらつきがなく高い発光効率が得られる発光装置を提供すること。
【解決手段】波長範囲440ｎｍ〜460ｎｍの光を励起光として発光するＹＡＧ：Ｃｅ多結晶蛍光体セラミック板であって、励起光と当該セラミック板が発光する光とを合成した光の色度が白色である。白色は、ＣＩＥ1931色度座標のｘ値及びｙ値が（0.24、0.30）、（0.31、0.26）、（0.40、0.44）、（0.34、0.48）で囲まれ、且つｘ値が0.27以上0.395以下の領域である。 （もっと読む）

【課題】回路基板に対して正確な位置に実装することが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１が搭載されたリード４Ａ、およびリード４Ａに対して離間配置されたリード４Ｂを含むリード群４と、リード群４の一部ずつを覆う樹脂パッケージ２と、リード群４のうち樹脂パッケージ２から露出した部分によって構成され、方向ｘにおいて離間配置された実装端子４１，４２と、を備えるＬＥＤモジュールＡ１であって、方向ｙにおいて実装端子４１に対して離間配置された実装端子４３、および方向ｙにおいて実装端子４２に対して離間配置された実装端子４４をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子に組み込む前の段階で、色管理を行なうことができ、簡便且つ少ない製造工程で発光色度が均一な発光装置を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】励起光を発光する半導体発光素子と、蛍光体の多結晶材料から成り、前記励起光と異なる波長の光を発する蛍光体セラミック板とを備え、前記励起光と前記蛍光体セラミック板が発光する光とを合成した光を発する発光装置の製造方法であって、前記蛍光体に含まれるドーパントの原子濃度と前記蛍光体セラミック板の厚みとの積と、前記発光装置が発光する光の色度との関係とを用いて、前記発光装置に用いる蛍光体セラミックを調整する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】出射光の光強度および色調などの指向性が小さく、かつ、光出力が低下しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】この半導体発光装置（ＬＥＤランプ１０）は、半導体発光素子１と、半導体発光素子１の光の出射方向側に配置されたＡｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの内の少なくとも１つから構成される薄膜状の光拡散部８とを備え、薄膜状の光拡散部８は、複数の島状の光拡散部８を含むとともに、光拡散部８は、半導体発光素子から離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】出射光の色むらや眩しさを低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、基板１２と、基板１２に実装されたLEDチップ１１と、反射部材１４と、色変換部材１３とを備える。反射部材１４はLEDチップ１１の上方に配置されている。そして、色変換部材１３は、LEDチップ１１からの直接光と反射部材１４からの反射光とが入射する位置に配置されていて、LEDチップ１１の発光光と異なる色の光に変換する。 （もっと読む）