【課題】光学ユニット内にアンテナを格納するために好ましい構造となる灯器を提供する。
【解決手段】光学ユニット２は、複数のＬＥＤ７、ＬＥＤ７の後方に設けられたＬＥＤ基板８、及び、ＬＥＤ７を前方で覆うカバー部材９を有している。ＬＥＤ基板８の前方にパッチアンテナ４が配置されている。ＬＥＤ基板８とＬＥＤ７との間に設けられＬＥＤ７の前端３９をパッチアンテナ４よりも前方に配置させる接続体１９を備えている。接続体１９は、ＬＥＤ基板８から前方に延びているコネクタ２０と、コネクタ２０の前部と接続され複数のＬＥＤ７が前面２１ａに表面実装された取り付け板２１とを有している。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電極の下面により光が反射されることを防止することで、発光効率を向上することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による半導体発光素子は、Ｎ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層が順次積層された発光構造物と、発光構造物の上面に形成される透明電極と、透明電極の上面に形成されるＰ型電極と、を含み、Ｐ型電極の位置に対応する発光構造物の内部には、電流の流れを遮断する絶縁体が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易な発光装置、及び量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を有する基板と、前記基板の上に接着され、前記貫通電極に接続された発光素子と、前記発光素子と離間して設けられ、前記基板との間に内部空間を形成し、透光性を有する無機材料からなる誘電体膜と、を備え、前記発光素子からの放出光を前記誘電体膜を介して放出可能としたことを特徴とする発光装置及びその製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】容易に製作でき、発光装置の外部への光の取り出し効率が高い発光装置を実現する。
【解決手段】本発明の発光装置７０は、絶縁性の基部１０と、上記基部１０の一方の側に載置された発光素子１と、基部１０に発光素子１と同じ側に載置され発光素子１を保護する保護素子２とを備え、保護素子２は、光を反射するフィラー含有樹脂５によって覆われ、フィラー含有樹脂５は、硬化前に軟性を有するシリコーン樹脂に、発光素子１が発する光の波長より大きい粒径の、光反射性あるいは光散乱性を有するフィラー５ａを含有させたものである。これにより、発光素子１から出射された光はフィラー含有樹脂５によって反射され、保護素子２に吸収されることなく発光装置７０の外部へ放出されるので、発光装置７０は高効率で外部へ光を取り出すことができる。また、所望の形状および配置に容易に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】多数の光源を使用して施工工数や材料費を上昇させることがなく、また両面サインの構造強度を損なうことなく簡単に作製することができ、両表面の照度ムラが少ない両面サインを提供する。
【解決手段】拡散透過性能を有する両表面材１８、１９と、拡散反射性能を有する断面凸状の光反射板２０、２１と、視野角９０°以上の発光素子１７とを有し、発光素子が光反射板の凸部の頂部より離れた位置に上記頂部に発光面を向けた状態で配置されている内照式の両面サイン１０とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを利用した発光装置に関する。
【解決手段】本発明は実装面として提供される第１面と、前記第１面の反対に位置した第２面及び上記第１及び第２面の間に位置した側面を有する構造であり、上記側面のうち光放出面に該当する側面に形成された凹部を有するパッケージ本体と、上記凹部の底面に露出されるように上記パッケージ本体に形成された第１及び第２リードフレームと、上記第１及び第２リードフレームの夫々に電気的に接続されるように上記凹部の底面に実装された発光ダイオードチップを含み、上記凹部の向かい合う内部側壁のうち、上記発光ダイオードチップに隣接した領域に上記発光ダイオードチップに向かって突出部が形成されたことを特徴とする側面放出型発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、たとえば液晶ディスプレイパネルのバックライト光源として用いられる薄型で側面発光タイプであり、光の取出し効率を向上させた光半導体装置と、この光半導体装置を光源として用いた照明装置および表示装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置は、インナーリード２の平面実装部３を第１の辺部３ａと、この辺部より長い第２の辺部３ｂとから四辺形状をなし、光半導体素子１を平面実装部に実装し、反射部材４を平面実装部の主面側と反主面側に突出して設け、第１の辺部および第２の辺部と並行な四面形状の開口部５を備え、封止部材６は開口部等を封止し、開口部における第２の辺部と並行な二面は導光面部１５ｂとし、第１の辺部と並行な二面は開口部の突出方向に沿って漸次拡開傾斜する主光反射面部１５ａとし、平面実装部の主面に光半導体素子と反射部材の主光反射面部との間で第２の辺部と並行に開口部の突出方向に沿って漸次拡開傾斜し主光反射面部よりも低い高さの補助光反射部７を設けた。 （もっと読む）

【課題】 個々のＬＥＤの輝度調整機能を、部品点数を低減しつつ、回路面積の増大を招くことなく実現可能なＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ２１〜２ｎを直列接続してなるＬＥＤ列ＬＢと、パルス幅変調信号ＥＮに同期してＬＥＤ列ＬＢを定電流駆動するオン状態とオフ状態が切り替わる定電流駆動回路３と、パルス幅変調信号ＥＮ以下のパルス幅を有するパルス幅変調信号Ｓ_ＰＷＭｉ（ｉ＝１〜ｎ）に同期して、ＬＥＤ２ｉを点灯状態と低輝度状態または消灯状態との間で切り替え可能に構成され、ＬＥＤ２ｉ毎に各別に設けられたＬＥＤスイッチング回路とを備え、ＬＥＤスイッチング回路は、ＬＥＤ２ｉと並列に接続され、ＬＥＤ２ｉに流れる電流量を制御するＬＥＤ制御用トランジスタ４ｉと、パルス幅変調信号Ｓ_ＰＷＭｉに同期して、ＬＥＤ制御用トランジスタ４ｉをオン状態とオフ状態との間で切り替えるトランジスタ制御回路５を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の所定位置に位置精度良好にチップが固定された実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板１の中央部から放射状に突起部を突出させた平面形状の半田濡れ性パターン２１ａを実装基板上に形成し、半田濡れ性パターンと略同一の平面形状の半田パターン２３ａを、半田濡れ性パターン上に選択的に形成し、この半田パターンを押圧することにより半田パターンを表面平坦化する。次いで、表面平坦化した半田パターン上にチップ状の発光素子１０を載置する。その後、半田パターンをリフローすることにより、チップ状の発光素子を半田材料の表面張力により、自己整合的に中央部上に移動させて固定する。 （もっと読む）

ＬＥＤ性能及び／又は寿命の熱起因の劣化を低減又は取り除く熱管理システム。システムは、ＬＥＤ動作条件に応答するべく構成された熱制御部を含み、ＬＥＤにおける温度を制限してもよい。一実施形態における熱制御部は、バリスタ、ツェナーダイオード又はアンチヒューズデバイスのようなバイパス制御要素を含み、ＬＥＤを流れる電流を分岐するバイパス回路を含み、ＬＥＤを、例えば、７５℃未満といった冷却状態に保つことができる。システムは、（Ｉ）ＬＥＤで発生する熱を低減し、動作時のＬＥＤの温度を閾値温度未満に維持するべく、ＬＥＤに供給される電力を少なくとも部分的に減衰させる、及び／又は（ＩＩ）動作時のＬＥＤを閾値温度未満に維持するべく、ＬＥＤから熱を取り除くべく構成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＥＤ駆動方式では、ＬＥＤの順方向電圧（Ｖｆ）のばらつきが最大の場合でも、ＬＥＤの熱的な制約により決まる最大消費電力を超えないように駆動電流値を設定しなければならないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる発光素子駆動装置によれば、Ｖｆ検知手段２と、ＬＥＤ１に流れる電流を制御する電流源６と、前記Ｖｆ検知手段２において検知したＶｆに応じて、前記ＬＥＤの消費電力が一定になるように前記電流源６を制御する、ＬＥＤ電流演算手段４とを備えることにより、所望の消費電力とＬＥＤ１のＶｆ値３から算出したＬＥＤの駆動電流の上限値付近でＬＥＤ駆動電流を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】発光構造のための半導体積層体のアレイと配線構造とを利用した多様な機能。
【解決手段】第１及び２導電型半導体層及び層間に活性層を有する第１及び２半導体積層体と、第１及び２導電型半導体層に接続され、第１及び２半導体積層体の両面に形成された第１及び２コンタクトと、１面を介して第１導電型半導体層が露出するように、第１及び２半導体積層体が互いに分離されて埋め込まれた基板構造物と、第２コンタクト形成領域を除いた領域に形成された絶縁層と、第１及び２半導体積層体の第２コンタクトに接続されるように形成され、基板構造物の１面に露出した領域を有するように、絶縁層に沿って延びた導電層と、基板構造物の１面に形成され、第２及び１半導体積層体に関連の導電層の露出領域と第１及び２半導体積層体の第１コンタクトとを接続する配線層と、第１半導体積層体の第１及び２コンタクトに接続されるように形成された外部接続端子とを含む。 （もっと読む）

発光装置及びこれを備えた表示装置に関する。
本発明の発光装置は、第１色範囲内に含まれた第１ランクを放出するために構成された第１発光ダイオードチップを含む第１発光デバイス、及び前記第１ランクと異なる前記第１色範囲内に含まれた第２ランクの光を放出するために構成された第２発光ダイオードチップを含む第２発光デバイスを含み、前記第１及び第２発光デバイスは前記第１ランク及び前記第２ランクと異なる第３ランクの光を形成するために前記第１発光デバイスによって放出された光が前記第２発光デバイスによって放出された光と混合されるように相互に密接して配置される。
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【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）制御において、ＬＥＤのオン・デューティ・サイクルをパルス幅変調（ＰＷＭ）を用いて変調し、ＬＥＤから放射される光を時間領域で混合して、ＬＥＤの輝度を制御する。
【解決手段】複数のＬＥＤに対応する複数のデューティ・サイクル信号を、メモリ・マッピングによりデュアルポート・メモリ３０１内に保存する。サンプリングすることにより、保存されたデューティ・サイクル信号が出力され、各々１ビットを有する複数のパラレルなシングルビット・データを生成する。シングルビット・データがデータ伝送モジュール３１３により変換された後に、シングルビット・データの各ビットは駆動モジュール３３０にシリアル出力されて、ＬＥＤを駆動する。 （もっと読む）

【課題】意匠パネルの透過照明を均一化することが可能な照明装置及びこの照明装置を備えた操作スイッチ装置を提供する。
【解決手段】照明装置は、表示意匠３ａが形成される意匠パネル３と、表示意匠３ａを照明する発光素子４ｂとが実装される回路基板４と、回路基板４の表面に少なくとも発光素子４ｂ周辺を除いて形成される光反射性の反射部４ｄと、発光素子４ｂ周辺に設けられる低反射部４ｅと、を備えてなることを特徴とする。低反射部４ｅは、発光素子４ｂを中心とした円形状に形成されてなる。反射部４ｄは、白色である。反射部４ｄはシルク印刷によって形成されてなり、低反射部４ｅはシルク印刷がなされない個所からなる。 （もっと読む）

本発明は、ガラスの第１および第２板を備える絶縁ガラス板であって、前記第１および第２板がスペーサによって相互に面平行に離間した関係で配列され、前記第１および第２板の間には絶縁空間が形成されかつ気密封止され、複数の相互に離間された発光素子を各々が有する、複数の相互に離間された光帯が前記絶縁空間に配置され、前記光帯の各々が前記第１および第２板と平行な絶縁空間を貫通するねじれ剛性支持体を含む、絶縁ガラス板に関する。
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【課題】大光束かつ薄型で側面放射強度の高い安価なＬＥＤ光源を得ること。
【解決手段】放熱性基板１に少なくとも１つのＬＥＤチップ３が実装され、ＬＥＤチップ３が透光性材料である封止樹脂５で封止されているＬＥＤパッケージ部６と、ＬＥＤパッケージ部６上に配置され、各ＬＥＤチップ３の直上部に向かって厚みが増し、該直上部付近ではＬＥＤチップ３側に凹んだが凹部８が形成されているレンズ７と、を備えたＬＥＤ光源。 （もっと読む）

【課題】 複数のユニットから構成され、各ユニットを上下に重ねるだけで各ユニットを電気的に接続できかつ機械的に連結できる積層型表示灯および発光装置を提供する。
【解決手段】 第１、第２のＬＥＤ２０ａに電源を印加するための第１、第２のリード金具２０ｂを有する第１、第２の基板２０ｃをそれぞれ収容しかつ第１、第２の発光部２Ａをそれぞれ有する第１、第２のユニット２を上下に積層する。第１のリード金具２０ｂの上端２０ｂ_２は二股状端部を有している。各ユニット２の積層時には、第１のユニット２の上に第２のユニット２を重ねることで、第２のリード金具２０ｂの下端２０ｂ_１が第１のリード金具２０ｂの上端２０ｂ_２の二股状端部の間に挿入されて上端２０ｂ_２および下端２０ｂ_１が電気的に接続されかつ機械的に連結される。 （もっと読む）

【課題】定電流が与えられる発光素子列を備えたバックライト装置において、装置のサイズを大型化させることなく、発熱による定電流素子の破損を抑制する。
【解決手段】バックライト装置は、直列に接続された複数のＬＥＤ１１２と各ＬＥＤ１１２に並列に設けられたバイパススイッチ１１４とからなるＬＥＤ列１１０と、バイパススイッチ１１４のオン／オフを切り換えるバイパススイッチ駆動回路１２８と、第１および第２のＦＥＴ１２１，１２２、第１および第２の抵抗器１２３，１２４、電流センス抵抗器１２５、オペアンプ１２６からなる定電流制御駆動部とによって構成される。第１のＦＥＴ１２１と第２のＦＥＴ１２２とは並列に接続され、第１のＦＥＴ１２１と電流センス抵抗器１２５との間および第２のＦＥＴ１２２と電流センス抵抗器１２５との間にそれぞれ第１の抵抗器１２３および第２の抵抗器１２４が直列に接続される。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動し発光輝度が高く、寿命が長い発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、一対の第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光部と、を備え、前記発光部は、第１伝導型の半導体の部分と第２伝導型の半導体の部分とを有する発光粒子が前記第１電極及び第２電極の間に配置されて構成されており、前記発光粒子は、粒子表面に露出した前記第１伝導型の半導体の一部が前記第１電極と接していると共に、粒子表面に露出した前記第２伝導型の半導体の一部が前記第２電極に接しており、前記第１電極は、前記発光粒子の前記第１伝導型の半導体と接する部分以外の部分が絶縁体で覆われている。 （もっと読む）