【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層３が形成されたウエハ片１を、そのエピタキシャル層３の一部を残してエピタキシャル層３をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片１上に段差として残ったエピタキシャル層３の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置１０において、ウエハ片１を挟み込む開閉自在の２枚の樹脂板１１，１２と、これら２枚の樹脂板１１，１２の一方に設けられ、ウエハ片１上に形成されたエピタキシャル層３の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層３の一部と密着するエッチング防止ゴム１３とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターニングを可能としたエッチングマスク付基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成してなるようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い配線層を低コストで形成し得る配線層の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に樹脂層１２を形成する工程と、樹脂層１２上にチタンを含む密着層１４を形成する工程と、密着層１４上にシード層１６を形成する工程と、シード層１６上に配線層２２を形成する工程と、配線層２２をマスクとしてシード層１６をエッチングする工程と、一般式Ｔｉ（ＯＲ^１）_Ｘ（Ｏ_ＹＲ^２）_４−Ｘ（但し、Ｒ^１、Ｒ^２はアルキル基又は水素であり、Ｘは１〜３の整数であり、Ｙは正の整数である）、又は、一般式Ｔｉ（ＯＲ^３）_４（但し、Ｒ^３はアルキル基である）で表されるチタン有機化合物が添加されたエッチング液を用い、前記配線層２２をマスクとして、前記密着層１４をエッチングする工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 （もっと読む）

エッチング基板、特に光吸収性エッチング基板、及びこのような基板の製造方法について記載する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構造により角形の半導体基板に対しても均一な裏面平坦化が可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングにより微細で高アスペクト比の構造を被加工材料に高精度に加工する。
【解決手段】水晶基板２０の表面に耐蝕膜２１を形成し、その上にフォトレジスト層２２を形成しかつ加工しようとする溝の開口形状をパターニングし、露出した耐蝕膜を除去して水晶基板表面が露出するパターン開口２４を形成する工程と、パターン開口内に露出した水晶表面をウエットエッチングして浅い凹部２５を形成する第１ウエットエッチング工程と、凹部及びパターン開口の内面をＣｒの保護膜２６で被覆し、かつ凹部底面の保護膜を除去して該底面の水晶面を露出させ、露出した凹部底面をウエットエッチングする第２ウエットエッチング工程とからなり、凹部が所望の溝の深さになるまで第２エッチング工程を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング時には良好に保護が可能であり、且つ被保護面からの除去が容易な保護フィルムを提供する。
【解決手段】ウェットエッチング工程において被処理体である基板１の表面の保護に適用できる保護フィルム２であって、例えばデカリンのような有機溶剤に溶解可能な無架橋のポリオレフィンを形成材料として得られ、酸性またはアルカリ性のエッチャントから良好に基板１の表面を保護することを特徴とする保護フィルム２。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング時には良好に保護が可能であり、且つ被保護面からの除去が容易な保護剤を提供する。
【解決手段】ウェットエッチングする際に基板１Ａの表面の保護に適用できる保護材２Ａであって、 保護部材２と、保護部材２の一面に設けられ、保護部材２を基板１Ａの表面に貼付する接着層３と、を有し、接着層３は、例えばデカリンのような有機溶剤に溶解可能な無架橋のポリオレフィンを形成材料としたことを特徴とする保護材２Ａ。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性に優れており、薬液処理に対するマスキング効果を発揮することができ、しかも剥離後の被着体への粘着剤の残渣のないマスキング用剥離性粘着テープを提供すること。
【解決手段】本発明のマスキング用剥離性粘着テープは、基材フィルムの片面に粘着層を設けてなるマスキング用剥離性粘着テープであって、前記粘着層を構成する粘着剤が、（Ａ）常温で固体のゴム材料と、（Ｂ）末端に架橋基点を持つ液状物質と、（Ｃ）前記液状物質を架橋するための硬化剤と、を含有し、前記ゴム材料のバルク体中に、架橋後の液状物質が０．２μｍ〜２０μｍの径で分散していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理方法、及びそれに用いる表面処理用マスクを提供すること。また、当該表面処理方法により処理された基板を有する光学デバイスを提供すること。
【解決手段】被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理方法であって、第１粒子と第１粒子よりもエッチング耐性が低い第２粒子とを有する粒子群を含んで構成される表面処理用マスクを、被処理物表面に配置する工程と、表面処理用マスクが配置された被処理物の表面に対し、エッチング処理を施し、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチング工程と、を有することを特徴とする表面処理方法である。また、当該表面処理方法に用いる表面処理用マスク、及び当該表面処理方法により得られる基板を有する光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】マイクロチップ等の微細加工のコスト削減を進展させることを可能とする。
【解決手段】基材３の表面に微細流路５を加工する微細形状加工方法において、基材３の表面に金属の薄膜７を形成する（ａ）薄膜形成工程と、薄膜７に放電加工により微細形状パターン９を貫通形成する（ｂ）放電加工工程と、薄膜７に微細形状パターン９を備えた基板３をエッチングして薄膜７の微細形状パターン９に対応する微細流路５を基板３の表面に形成する（ｃ）エッチング工程と、エッチング後に金属の薄膜７を除去して表面に微細流路５を有するマイクロチップ１を得る（ｄ）除去工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスクの品質を向上させ欠陥を防止するとともに、マスクの生産性を向上させることができるマスクの製造方法およびマスク製造装置を提供する。
【解決手段】原子層堆積法を用い、基板Ｓ上にマスク材料の原子を堆積させて原子層堆積膜Ａを形成する第一工程と、基板Ｓ上の原子層堆積膜Ａを選択的に酸化または窒化する第二工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に凹部或いは溝をエッチングにより比較的簡単に形成することができるシリコン基板の加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面に保護膜５１を形成し、保護膜５１の表層をレーザ光を照射して加工することにより凹部１１５が形成される領域内に加工部５２を形成し、加工部５２を有する保護膜５１が形成されたシリコン基板をエッチング液に浸漬することにより、シリコン基板に凹部１１５を形成する。 （もっと読む）

イオン注入された領域を有する基材から汚染を除去するための方法について記載されている。本方法は、基材にフッ素化溶媒と共溶媒とを含む組成物を、その基材からの汚染の除去を助けるのに十分な量で適用する工程を含む。汚染が除去されても、基材上の金属パターン又は他の所望の特徴は残存する。加えて、汚染を除去するための組成物は、使用者又は基材に対して有害ではない（すなわち、不燃性及び／又は非腐食性である）。
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【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、使用済みの酸化膜等のマスクを、汎用の粘着フィルムを使用して、例えばフッ酸等のエッチング液を微粒子化して除去することができるミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハの表面にマイクロミストを噴霧してウエハ上の既存構造物をエッチングする際、ウエハの表面に露出した、先行するエッチング工程において耐エッチング性を有するマスクとして使用されたマスキング材を既存構造物として選択し、半導体ウエハの表面に形成された回路等の機能素子を粘着フィルムからなる保護材で少なくとも被覆し、かつエッチング液を微粒子化し不活性ガス中に霧状に分散させることによって形成されたマイクロミストを使用するように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダイヤフラム部分のエッチングばらつきが抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の裏面１ｂ上に開口パターンを有するエッチングマスク７を形成する工程と、エッチングマスク７が形成されたシリコン基板１をエッチング液に浸漬させて開口パターンの領域においてシリコン基板１を厚み方向に一部エッチングすることにより、シリコン基板１にシリコン基板１の厚み方向の外力により変形することができるダイヤフラム８を形成する工程とを備えている。開口パターンは、ダイヤフラムを形成するためのダイヤフラム開口部８Ｐと、ダイヤフラム開口部８Ｐを囲む環状のリング開口部１２Ｐとを有する。 （もっと読む）