【課題】処理液による処理前における、基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】主表面に複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理方法であって、基板の主表面に第１の処理液を供給し、基板の主表面に第１の処理液を付着させ、基板の主表面に第１の処理液が付着した状態で、第１の処理液よりも表面張力が大きい第２の処理液を基板の主表面に供給し、第２の処理液により基板の主表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板ベベル部に堆積した膜を洗浄により除去し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板洗浄方法は、回転軸の回りで半導体基板を回転させる工程と、前記回転軸に対して第１の角位置に形成された冷却機構により、前記回転している半導体基板外周のベベル部を冷却する工程と、前記回転軸に対して前記第１の角位置とは異なる第２の角位置に形成された加熱機構により、前記回転している半導体基板の前記ベベル部を加熱する工程と、を含み、前記半導体基板の前記ベベル部を交互に加熱および冷却することにより、前記ベベル部において前記半導体基板の表面上に堆積している膜を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】処理物を所定の箇所に集約することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】剥離装置１は、部分剥離区間Ａと全体剥離・除去区間Ｂとを有し、部分剥離区間Ａは、ローラーとパドル４０とを備え、全体剥離・除去区間Ｂは、ローラーとシャワー部とを備えている。また、パドル４０は、剥離液５０が液槽部４２の両端からオーバーフローする２つの開口部を備える。このため、ガラス基板２０は剥離液５０が両縁部のみに浸されるので、中央部は剥離されず両端部が先に剥離し始める。そして、全体剥離・除去区間Ｂへと搬送され、剥離液５０がガラス基板２０の全体に噴射されるため、両縁部から中央部へとカバーフィルム２１の剥離を進行させ、カバーフィルム２１をガラス基板２０の中央部に集めることができるので、カバーフィルム２１が不規則に分散して滞留することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置１２は、同種の薬液が貯留された第１および第２タンク１３，１４と、第１ヒータ１７が介装された薬液供給管１５と、薬液回収管１６とを備えている。第１タンク１３から処理ユニット２に供給された薬液は、薬液回収管１６を介して第２タンク１４に回収される。第２タンク１４は、薬液移送配管２４を介して第１タンク１３に連結されている。薬液移送配管２４には、第２ヒータ２５および第２ポンプ２６が介装されている。第２タンク１４に回収された薬液は、第２ヒータ２５による温度調節を受けた後、第２ポンプ２６によって第１タンク１３に移送される。 （もっと読む）

【課題】薬液又は純水によってポリマー又は異物を確実に除去できるウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄装置は、半導体ウェハ３を保持するウェハ保持機構１と、前記ウェハ保持機構１を回転させる回転機構と、前記ウェハ保持機構１の上方に設けられ、薬液又は純水を前記半導体ウェハ３の表面に吐出する薬液ノズル５又は純水ノズル４と、前記ウェハ保持機構１の外側であって前記半導体ウェハ３のベベル部を覆うように配置され、前記ベベル部に前記薬液又は前記純水を一時的に保持する薬液保持治具６と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、高いレートでかつ均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】スリット吐出口１５からフッ硝酸が吐出されつつ、スリットノズル５がスキャン開始位置Ｐ１からリターン位置Ｐ２に向けて移動する。このとき、第１シート２４が、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液位置よりも進行方向Ｘ１の前方側の領域に接触しつつ移動し、ウエハＷの上面から失活したフッ硝酸を排除する。また、第２シート２６が、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液位置よりも進行方向Ｘ１の後方側の領域に接触しつつ移動し、ウエハＷの上面に供給されたフッ硝酸を均す。 （もっと読む）

【課題】処理室間においてミスト状処理液の侵入を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して良好なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制することができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板支持部材３と、ウエハＷおよび基板支持部材３を回転させるスピンチャック４とを備える。基板支持部材３の上面には、円筒状の収容凹所１３および平坦な第１円環状面１２が形成されている。第１円環状面１２は、収容凹所１３内に保持されたウエハＷの上面に、第１円環状面１２上のフッ硝酸とウエハＷの上面上のフッ硝酸とが連続した液膜を形成するように接近して配置されている。第１円環状面１２には、サンドブラスト加工（親液化処理）が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の薬液が吐出される領域への局所的なダメージを抑制する基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂を供給して処理を行う基板の処理方法において、少なくとも薬液Ｌ₂が吐出される領域Ａを濡らすように、基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂よりも電気伝導率の低い液体Ｌ₁を供給した状態で、領域Ａに薬液Ｌ₂を吐出し、基板Ｗの表面に供給された薬液Ｌ₂により処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理時には、ガスナイフノズル７は、ウエハＷ上における周縁部の内側領域の上方で、そのスリット吐出口２１を、ウエハＷの上面の周縁部に形成された吹付け領域Ｅに向けて配置される。ガスナイフノズル７からの不活性ガスは、平面視においてウエハＷのその内側から外側に向かい、ウエハＷの上面の周縁部に存在するフッ硝酸を、ウエハＷ外に排出させる。 （もっと読む）

【課題】基板上の配線または素子の静電破壊を抑制できる基板の処理方法および基板の処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージ２１１に載置された基板２１０を鉛直軸Ｙ周りに回転させ、基板２１０の一方の面に処理液を供給することにより基板２１０を処理する基板２１０の処理方法において、処理ステージ２１１上に基板２１０を載置する工程Ａと、基板２１０の上に霧状の液体を供給する工程Ｂと、工程Ｂの後に、基板２１０の上に処理液を供給する工程Ｃと、を備える。このように、帯電した基板２１０に霧状の処理液を供給することで、基板２１０からの急激な電荷移動を抑制でき、基板２１０上の配線または素子の静電破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷ上面の周縁部に向けてＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出と同時に、ウエハＷ上面の周縁部に、フッ硝酸を希釈するためのＤＩＷが吐出される。 （もっと読む）

【課題】 エッチング面に凹状部が形成された半導体ウエーハでも均一にエッチングでき、リング状補強部を過度にエッチングすることのないスピンエッチング方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成され裏面が研削された半導体ウエーハの該裏面をエッチングするスピンエッチング方法であって、前記半導体ウエーハの前記裏面を下向きに保持し、該半導体ウエーハを回転させながら、半導体ウエーハの下方に配設されたエッチング液供給ノズルからエッチング液を該半導体ウエーハの裏面へ供給する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜が形成された基板の端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去する際に、形状性良く、かつエッチング残りが実質的に存在せずに除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜４１が形成されたウエハＷにおけるベベル部４２のポリシリコン膜４１をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、ベベル部４２のポリシリコン膜４１を除去せずに親水化する工程と、エッチング境界４３が平坦になる程度の回転数でウエハを回転させながら、親水化されたベベル部４２のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液をエッチング液として供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面の周縁部上に、第１案内プレート２３および第２案内プレート３３が対向配置される。第１案内プレート２３および第２案内プレート２８は平板状に形成されており、ウエハＷの周縁部に面する案内面２８，３８を有しており、ウエハＷの外方へと張り出している。ウエハＷの上面の周縁部に存在するフッ硝酸は、案内面２８，３８を伝って、ウエハＷの外方へとスムーズに排出される。 （もっと読む）

【課題】基板面内により均一に処理を施すと共にスループットの向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に基板が保持されるテーブル４と、テーブルに保持された基板にその板面と直交する上下方向に超音波振動を付与する振動子３と、テーブルに保持され振動子によって超音波振動する基板の上面に処理液を供給するノズル体を具備する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板処理を対象とした基板処理装置において、処理液を用いて、均一かつ効率的な処理を可能とする。
【解決手段】搬送台に載せた基板に対して搬送しながら処理を行う基板処理装置である。かかる基板処理装置は、基板の搬送方向の上流側から順に、処理液を吸引するための吸引ユニットと、前記処理液を塞き止めるための塞き止めユニットと、を配置している。さらに、基板の表面をブラシがけするためのブラシを備えた洗浄ユニットを上流に配置することができる。洗浄ユニットは、それぞれ独立して位置調節が可能な複数のブラシユニットで構成することができる。 （もっと読む）

【課題】上下方向に小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】隔壁部材１４２が円環状空間１４０と退避空間１４１の間を移動自在となっており、乾燥処理中には、隔壁部材１４２が円環状空間１４０に移動して基板Ｗとスプラッシュガード（カップ）１３６を仕切っているため、スプラッシュガード１３６から飛散したミスト状の処理液（薬液やリンス液）は隔壁部材１４２で遮られて基板Ｗへの処理液の再付着が防止される。その結果、基板乾燥を良好に行うことができる。また、雰囲気遮断板が不要となるため、従来装置と比べて雰囲気遮断板および該雰囲気遮断板を回転駆動する機構が不要となり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。 （もっと読む）