【課題】ウェットエッチング処理中において、ウェーハの厚み及び形状を監視し、ウェーハが所望の状態と異なる場合には、直ちにウェーハに対し修正を施す。
【解決手段】ウェットエッチング装置1は、回転テーブル２に保持されたウェーハ６の中心上方で供給ノズル３からエッチング液３ｂを滴下させるとともに回転テーブル２を所定の回転数で回転させエッチング液３ｂをウェーハ６の一方の面全体に広げ、厚み測定器４でウェーハ厚みを測定し、測定結果に基づきエッチング液３ｂの滴下量を制御する。そして、ウェットエッチング処理中にウェーハ６の厚み及び形状が所望の状態と異なる場合は、直ちに修正することができる。したがって、エッチング不足の修正のために再度エッチングを施したりエッチング過多によってウェーハを廃棄したりすることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラスや他の酸化シリコンをベースとする又は窒化シリコンをベースとする系、及びそれらの厚さが変化する層に対して高い潜在処理量を有する技術的に簡単で、液体又はガス相での慣用の湿式又は乾式エッチング方法よりも著しく低コストである、エッチング方法に使用できるエッチング媒体を提供する。
【解決手段】上記課題は、無機のガラス状又は結晶性の表面をエッチングするための、非ニュートン流動性を有する、均質な、粒子を含まない、プリント可能なエッチング媒体により達成できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、傾斜した半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する転写部を配置し、転写部が配置された半導体基板の表面近傍を流れるように半導体基板の表面に溶液を供給する。
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【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。
【解決手段】第１の基板であるシリコン基板１２と、前記シリコン基板上に配置された犠牲層であって、シリコンとゲルマニウム及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物からなる少なくとも１層のシリコン化合物層を有し、該犠牲層を構成する化合物層が全て臨界膜厚以下の厚みを有する犠牲層１４と、前記犠牲層上に配置されたシリコン層であって、第２の基板に転写される転写用シリコン層１６と、を備え、前記シリコン基板及び前記シリコン層の少なくとも一方に前記犠牲層に通じる溝又は穴が設けられているシリコン層転写用基板１０。 （もっと読む）

【課題】基板表面に基板処理を行う際に、基板処理による基板上パターンへの損傷を小さくする。
【解決手段】実施の形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置においては、基板を処理対象面の裏面側から固定して支持する基板支持部を備えている。また、前記基板処理装置は、所定の液体を染み込ませるパッドが配置されるとともに前記液体で前記基板の処理対象面の基板処理を行う基板処理部を備えている。そして、前記基板処理を行う際には、前記基板を支持している基板支持部を前記パッド側へ近づける。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板の処理対象面を前記パッド表面の液体に接触させる。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板処理を行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス不良の発生を低減し、かつ半導体ウエハの欠けや割れを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハ１をエッチング液や洗浄液などの処理溶液に浸す処理を行うにあたって、まず、半導体ウエハ１を薄化する。ついで、薄化された半導体ウエハ１の外周端部２の全部または一部を樹脂膜３で被覆する。このとき、樹脂膜３の厚みを、局所的に厚くしてもよい。また、樹脂膜３の幅を、局所的に広くしてもよい。樹脂膜３は、処理溶液よりも大きい比重を有する。ついで、外周端部２が被覆された複数の半導体ウエハ１を、キャリアに垂直に配置する。ついで、半導体ウエハ１をキャリアごと処理溶液が満たされた薬液槽に沈めることで、複数の半導体ウエハ１を同時に処理溶液に浸す。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によりシリコンウェーハ表層部を短時間で均一にエッチングするための手段を提供すること。
【解決手段】弗化水素酸と硫酸との混酸Ａを収容した密閉容器内に、混酸Ａと接触しないようにシリコンウェーハを配置し、次いで、窒素酸化物を含む硝酸水溶液である溶液Ｂを前記密閉容器内に導入して混酸Ａと混合し、混酸Ａと溶液Ｂを混合した溶液から蒸発するガスによって前記密閉容器内で前記シリコンウェーハ表層部を気相分解する。 （もっと読む）

【課題】処理液により基板を処理する際に発生する気泡に起因して基板処理が阻害されるのを防止できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理するための処理液を貯留する処理槽３０と、処理槽３０内で基板Ｗを保持可能な基板保持部４１と、基板保持部４１を昇降駆動する駆動部５３とを有する基板処理装置１１における基板処理方法であって、基板保持部４１が保持している基板Ｗを処理槽３０が貯留している処理液に浸漬させて処理する際に、基板保持部４１を駆動部５３により処理槽３０から上昇させて基板Ｗを処理液から引き上げ、上昇させた基板保持部４１を駆動部５３により下降させて基板Ｗを再び処理液に浸漬させることによって、基板Ｗを処理する際に発生する気泡を基板Ｗから除去する。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】良好な光閉じ込め効果が得られ、高い光電変換効率を有する光電変換装置を実現可能な光電変換装置用基板の製造方法および光電変換装置の製造方法を得ること。
【解決手段】基板１１上に導電性材料膜を成膜して電極層２１を形成する第１工程と、基板１１上に形成した電極層２１に対してアルカリ性エッチング溶液を用いてエッチングを行うことにより、開口径寸法よりも深さ寸法が大きい複数の第１凹部７１を電極層２１の表面に対して形成する第２工程と、第１凹部７１を形成した電極層２１に対して酸性エッチング溶液を用いてエッチングを行うことにより、第１凹部７１の開口径を大きく広げて第２凹部を電極層２１の表面に形成する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】テンプレート６２の表面６２ａには、ウェハＷの所定のパターンに対応する位置に開口部６５が複数形成されている。テンプレート６２は、開口部６５に連通するエッチング液の流通路６６を備えている。このテンプレート６２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、エッチング液供給口７２から流通路６６を介して開口部６５からウェハＷに対してエッチング液を供給することで、ウェハＷに貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性が安定的に得られる窒化物半導体装置を提供すること。

【解決手段】基板１と、基板１上に形成され、且つ、ヘテロ接合界面２２ａを有する窒化物半導体層２と、窒化物半導体層２に形成されたリセス３と、を備える窒化物半導体装置であって、
窒化物半導体層２は、基板１上に形成されたＡｌｘ１Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ１＜１、０≦ｘ２≦１、０≦（ｘ１＋ｘ２）≦１）からなるキャリア走行層２２と、キャリア走行層２２上に形成されたＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１、ｘ１＜ｙ）からなる第１の層２３１、第１の層２３１上に形成されたＧａＮからなる第２の層２３２、及び、第２の層上に形成されたＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ≦１、ｘ１＜ｚ）からなる第３の層２３３を有するキャリア供給層２３と、を備え、
凹部３は、第３の層２３３を貫通し、凹部底面３１において第２の層２３２の主面が露出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の被加工面の平坦化加工を高い加工速度を維持して実施する。
【解決手段】 表面加工方法は、処理水中で光触媒活性を有する薄膜を被加工物の被加工面に対向配置し、薄膜に光を照射して薄膜上で酸化力を有する活性種を生成し、活性種と被加工面の原子とを化学反応させ、被加工面を溶出可能な化合物へと変化させて除去することにより、被加工面を平坦化する。表面加工方法は、温度Ｔ（Ｋ）、大気圧下における水への酸素の溶解度をモル分率χで表すと、モル分率χと温度Ｔ（Ｋ）とは、ｌｎχ＝−６６．７４＋｛８７．４８／（Ｔ／１００）｝＋２４．４５・ｌｎ（Ｔ／１００）の関係を有し、温度Ｔ（Ｋ）における処理水中の溶存酸素量Ｄ（ｍｇ／Ｌ）がＤ≧３．５５５×１０^５χとなる条件で化学反応を行うようにした。 （もっと読む）

本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
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平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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【課題】高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置の信頼性向上を図る。
【解決手段】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＬａとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ａを形成し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＡｌとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ｂを形成する。それから、金属膜７とシリコン膜８を形成し、これらをドライエッチングでパターニングしてゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２を形成する。その後、ゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２で覆われない部分のＨｆ含有絶縁膜４ａ，４ｂをウェットエッチングで除去するが、この際、フッ酸を含有しない酸性溶液でのウェット処理とアルカリ性溶液でのウェット処理とを行ってから、フッ酸を含有する酸性溶液でのウェット処理を行う。 （もっと読む）