【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば１２アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】１枚の絶縁基板１０８上に２組の上アーム（１００，１０４と１０２，１０６）を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、２組の下アーム（１０１，１０５と１０３，１０７）を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、２組の上アームを第１の配線パターンＣ０１上に実装し、２組の下アームは第１の配線パターンの下に配置した第２、第３の配線パターンＣ０２，Ｃ０２上にそれぞれ実装して、第２、第３の配線パターンの間に第１の配線パターンＣ０１を延長し、その延長した端部に正極端子Ｔ０１からの配線を接続し、さらに、絶縁基板１０８を１モジュール中に３枚並置して実装して１２ｉｎ１モジュールの構成とすること。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このＧａＮ ＨＦＥＴによれば、ボンディング部１６Ｂの第２のパッド部１６Ｂ‐２は、電極接続部１６Ａが含有する複数の接続部分１９のうちの第２の方向(ソース電極１２とドレイン電極１１が対向している方向)の一端に配置された接続部分１９の上記第２の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線Ｌ１に関して第１のパッド部１６Ｂ‐１とは反対側に位置している。第２のパッド部１６Ｂ‐２に接続された第２のソース配線２４のボンディング箇所の第２の方向の位置を電極接続部１６Ａのソース電極１２との接続部分１９の第２の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極１２からの電流が第２のソース配線２４に流れにくくできる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの変色の発生を抑制することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１０の上面にフリップチップ接続用の接続パッド１３となる第１パッド１３Ａと、ボンディングパッド１４となる第２パッド１４Ａとを形成し、第２パッド１４Ａの表面にめっき１４Ｂを形成し、第１パッド１３Ａの表面にのみ選択的に粘着層１５を被着する。続いて、粘着層１５にはんだ粉１６を付着し、樹脂基板１０の上面全面にハロゲン濃度が０．１５ｗｔ％以下のフラックス４０を塗布し、はんだ粉１６をリフローにより溶融して第１パッド１３Ａにはんだ１３Ｂを被着する。 （もっと読む）

【課題】より多くのＩ／Ｏセルを配置することができるようにする。
【解決手段】多層配線層には、電位供給用接続配線２３０が設けられている。電位供給用接続配線２３０は、平面視で外周セル列２０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれか、および内周セル列３０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれかと重なっている。そして電位供給用接続配線２３０は、外周セル列２０の下方に位置する電源電位供給配線２２２を、内周セル列３０の下方に位置する電源電位供給配線２２２に接続するとともに、外周セル列２０の下方に位置する接地電位供給配線２２４を、内周セル列３０の下方に位置する接地電位供給配線２２４に接続している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装するパッケージ基板における、半導体チップを囲む最内周のリング状領域に、電源用導体およびグラウンド用導体を設けても、半導体装置全体としてはサイズおよび製造コストが増大しない手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０における最外周のリング状領域に、電源用パッド１１およびグラウンド用パッド１２を集める。半導体チップを実装するパッケージ基板における、半導体チップを囲む最内周のリング状領域に、電源用端子２１およびグラウンド用端子２２を集める。こうすることで、半導体装置全体としてのサイズおよび製造コストを縮小することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおけるボイドの発生を抑制する。
【解決手段】一対の第１辺３ａａ，３ａｂ及び一対の第２辺３ａｃ，３ａｄを有する四角形からなるダイパッド３ａにＭＣＵチップ１とＡＦＥチップ２を搭載し、ＭＣＵチップ１及びＡＦＥチップ２にワイヤボンディングを行った後、２つの第２辺３ａｃ，３ａｄのうちの一方の第２辺３ａｃ側から他方の第２辺３ａｄ側に向かって樹脂を供給し、前記樹脂をＭＣＵチップ１上の第１パッド群１ｃｃと第２パッド群１ｃｄとの間の開口に通してチップ間を充填することで、チップ間の領域におけるボイドの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】隣接する２つのトランジスタ同士が接続された構成を有し、省スペースと電流集中による信頼性の低下の抑制とを両立させた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタ１０１と接続された第１のバス１１１、第２のトランジスタ１０２と接続された第２のバス１１２と、第１のバス１１１と第２のバス１１２との間に形成され、第１のバス１１１と第２のバス１１２とを接続するバス間配線１２１とを備えている。バス間配線１２１は、第１のバス１１１における第２のバス１１２と対向する辺の一部及び第２のバス１１２における第１のバス１１１と対向する辺の一部と接続されている。第１のコンタクトパッド１３１は、第１のバス１１１の一部と接続され、第２のコンタクトパッド１３２は、第２のバス１１２の一部と接続されている。 （もっと読む）

【課題】兼用パッドのサイズを専用パッドよりも大きくするとともに、半導体装置のサイズ増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸された第１のエッジＥ１と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に延伸された第２のエッジＥ２とを含む半導体チップ１０と、半導体チップ上に形成され、互いに第２の方向に沿った長さが実質的に等しい複数の第１グループパッドＧＰ１と、半導体チップ上に形成され、第２の方向に沿った長さが、複数の第１グループパッドの第２の方向に沿った長さよりも長い、第２グループパッドＧＰ２と、を備える。複数の第１グループパッドと第２グループパッドとは、第２グループパッドと第２のエッジとの間に複数の第１グループパッドのいずれをも含まずに、第１の方向に沿って一列に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングにおいて、隣接する電極パッド間でショートさせることなく、電極パッドを狭ピッチ化した半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１００は、複数の電極パッド（第一電極パッド４２０、第二電極パッド４４０）と、ボンディングワイヤ６００と、を備える。また、ボンディングワイヤ６００は、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０にボンディングされている。このとき、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、上面の高さが交互に異なるように形成されている。また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装する際のコスト低減、パッケージ基板の小型化、および配線パターンの最適化を実現できる半導体チップを提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体チップ１０は、半導体チップ１０に設けられると共に、少なくとも一つの電極パッド６を備える電極パッド群１と、半導体チップ１０に設けられる少なくとも一つの電極パッドであって、電極パッド６から出力される信号と同じ信号を出力可能である電極パッド７を備える電極パッド群２と、を備える。そして第１の電極パッド群の一の電極パッドおよび第２の電極パッド群の一の電極パッドうち、当該信号が供給される他の半導体チップの他の電極パッドと距離が近い方の電極パッドが、他の半導体チップの当該他の電極パッドと接続される。 （もっと読む）

【課題】個々のインナーリード間の容量カップリング、及び相互インダクタンス干渉によって、内部回路が動作する際に生じる電源電圧変動の高周波成分がノイズとして他のインナーリードに伝播することを抑制するとともに、ノイズからの輻射を抑制可能な安価な半導体装置及び半導体装置を搭載したプリント基板を提供する
【解決手段】半導体装置は、外部と信号をやり取りする入出力回路と、演算処理を行う内部回路Ｅとを備え、本体が矩形形状を有する半導体チップ７と、半導体チップの各辺にそれぞれ設けられた複数の接続端子と、複数の接続端子のうち、１つの辺の一端からＮ番目（Ｎは、１＜＝Ｎ＜＝４の自然数）の接続端子に接続される内部回路用の電源ラインと、複数の接続端子のうち、１つの辺の一端からＮ＋Ｍ番目（Ｍは、１＜＝Ｍ＜＝４の自然数）の接続端子に接続される内部回路用のグランドラインとを備える。 （もっと読む）

【課題】配線基板の一面を封止する封止体の配線基板の端縁部における剥離を防止し、信頼性を大幅に向上させると共に、更なる小型化を可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２の一面には、複数のボンディングパッド６が端縁部に沿って並ぶボンディングパッド群６Ａ，６Ｂと、一面を被覆する絶縁膜１１とが設けられ、半導体チップ３の配線基板２と対向する面とは反対側の面には、複数のチップパッド１３が端縁部に沿って並ぶチップパッド群１３Ａ，１３Ｂが設けられ、ボンディングパッド６とチップパッド１３との間がボンディングワイヤー１４を介して電気的に接続され、絶縁膜１１には、ボンディングパッド群６Ａ，６Ｂを露出させる開口部１２が設けられ、この開口部１２は、配線基板２の端縁部に臨んで開口されると共に、配線基板２の端縁部に沿って並ぶボンディングパッド群６Ａ，６Ｂの間で連続して開口されている。 （もっと読む）

【課題】入力回路ブロックの入力配線と出力回路ブロックの出力配線を短くする。
【解決手段】半導体集積回路装置３０において、入力回路ブロック３２用の外部接続用電極Ｐ２及びＰ３は、入力回路ブロック３２と出力回路ブロック３３との間に複数配置されており、出力回路ブロック３３用の外部接続用電極Ｐ１及びＰ４は、出力回路ブロック３３とリード電極３４及び３５との間に複数配置されており、金属細線Ｗｂ１及びＷｂ２を介して外部接続用電極Ｐ１及びＰ２に接続されるリード電極３４と、金属細線Ｗｂ３及びＷｂ４を介して外部接続用電極Ｐ３及びＰ４に接続されるリード電極３５は、いずれも、入力回路ブロック３２、外部接続用電極Ｐ２及びＰ３、出力回路ブロック３３、外部接続用電極Ｐ１及びＰ４、リード電極３４及び３５の順に配置された方向と平行する方向に複数配置されている。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大きな半導体チップを用いる場合においても、チップ中央部に安定して電源電圧を供給できる半導体装置を低コストに実現する。
【解決手段】半導体装置２５は、半導体チップ４と、半導体チップ４の主面の周縁部上に形成された外部パッド７と、主面上であって、外部パッド７よりも内側に形成された複数の内部パッド８及び９と、主面上を覆い、外部パッド７上及び複数の内部パッド８及び９上に開口を有する保護膜６と、内部パッド同士を電気的に接続する第１の金属細線１６とを備える。複数の内部パッド８及び９は、外部パッド７よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】複数の第１電極１１、第２電極１２が設けられたプリント基板１０と、プリント基板１０上に搭載され、上面の外周に沿った第１列Ｌ１をなす複数の第１接続パッド２１及び第１列Ｌ１と平行かつ第１列Ｌ１よりも内側に離間した第２列Ｌ２をなす複数の第２接続パッド２２が設けられた半導体チップ２０と、第１電極１１、第２電極１２と第１接続パッド２１、第２接続パッド２２とを接続する第１ボンディングワイヤ３１、第２ボンディングワイヤ３２とを備え、半導体チップ２０の電源電圧端子、システムリセット端子は、第１接続パッド２１のいずれかが用いられ、複数の第２接続パッド２２と接続される第２ボンディングワイヤ３２は、複数の第１接続パッド２１と接続される第１ボンディングワイヤ３１よりも上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの縮小化や多ビット化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２チップパッド列４Ａ，４Ｂの端部よりも外側に位置する第３チップパッド列４Ｃが、第１チップパッド列４Ａと第２チップパッド列４Ｂとの間の中心線の延長線上に並んで配置されている。これにより、第３チップパッド列４Ｃを構成するチップパッド４は、第１及び第２チップパッド列４Ａ，４Ｂを構成するチップパッド４よりも、第１又は第２ボンディングパッド列６Ａ，６Ｂを構成するボンディングパッド６に対するＹ方向の距離を大きく確保することができる。したがって、これらチップパッド４とボンディングパッド６との間を接続するボンディングワイヤー７のＹ方向に対する角度を緩和することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングに用いるパッド全体のレイアウトで必要な面積の増大を抑制できる半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップに、ボンディング用のパッドであるボンディングパッドとテスト用のパッドであるプローブパッドとを含む複数のパッド形成部を備える。パッド形成部はボンディングパッドとプローブパッドの配列方向と直交する方向に２列で配置される。ボンディングパッドとプローブパッドとは、パッド形成部の列方向において、互いの位置が順次入れ替わるように配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を妨げず、集積度を低下させずに、Ａｌワイヤによるボンディングが可能な半導体チップ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１０と、プリント基板１０上に搭載され、上面の外周に沿った第１の列Ｌ１をなす複数の第１の接続パッド２１、及び、第１の列Ｌ１と平行かつ第１の列Ｌ１よりも内側に離間した第２の列Ｌ２をなす複数の第２の接続パッド２２が設けられた半導体チップ２０と、プリント基板１０と半導体チップ２０とを接続する第１のボンディングワイヤ３１、第２のボンディングワイヤ３２とを備える半導体装置１である。第１の列Ｌ１をなす第１の接続パッド２１と第２の列Ｌ２をなす第２の接続パッド２２との間には回路素子２３、２４が設けられている。 （もっと読む）