【課題】 ソルダーレジストを塗布するときの加熱処理により脆い性質のすず‐銅合金が形成されることを防いで断線をなくして信頼性を向上しながら、すず合金めっきの析出異常の発生を防止したフレキシブルプリント配線板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＴＣＰテープやＣＯＦテープを形成するフレキシブルプリント配線板において、可撓性を有する、プラスチックフィルム状の絶縁基板１０と、その絶縁基板の片面上に形成する、銅などの導体パターン１６と、その導体パターンの、インナーリード１６ａやアウターリード１６ｂなどの接続端子部に隣接する領域上に設け、耐すずめっき液性に優れている第１のソルダーレジスト２７と、少なくとも導体パターンの接続端子部を除いて導体パターン上に設け、可撓性に優れている第２のソルダーレジスト１７と、導体パターンの接続端子部に設けるすず合金めっき１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 接続端子部分の銅回路上にニッケルめっき皮膜／置換型無電解金めっき皮膜／還元型無電解金めっき皮膜を形成した配線基板を用いて半導体チップとを半田接合した場合、その接合強度は、半田ボールを基板に搭載するときのリフロー等の加熱工程を繰り返すごとに大きく低下する。本発明はこうした問題点のない配線基板の製造方法とこれに用いる無電解ニッケルめっき液の提供を課題とする。
【解決手段】 接続端子部にニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜を設けて半田接合用の配線基板を製造する方法において、マンガンのカルボン酸塩を添加した無電解ニッケルめっき液、好ましくは液中のマンガン濃度が液中のニッケル濃度の１〜１０％である無電解ニッケル液を用いてニッケルめっき皮膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】配線基板の表面の配線層に錫めっき等の低い温度で溶融するめっき皮膜を用いて欠陥のない皮膜を形成しようとした場合に、電子部品を低融点ロウ材を介して接続する際の熱によって、配線層の銅成分が低融点ロウ材中に拡散し、強度劣化を引き起こす。
【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基体１に、電子部品３の電極が低融点ロウ材５を介して接続される、銅を主成分とした配線層２を形成して成る配線基板４であって、配線層２のうち前記電極が低融点ロウ材５を介して接続される領域の表面に、熱処理された銅錫合金層６および熱処理された銀または金と錫との合金層７が順次形成されている配線基板４である。低融点ロウ材５を配線層２に接続する際に、配線層２中の銅成分が低融点ロウ材５中に拡散することを効果的に防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＧ端子の接続を効果的に行う。
【解決手段】接続配線１０上の平坦化膜１２を除去し、そこに端子下地層２０およびＣＯＧ端子層２２を形成する。ＣＯＧ端子層２２をアルミニウム系材料により形成することで、ＡＣＦ２４との接続をより効果的なものにする。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ搭載におけるＣＯＧ端子の接続を効果的に行う。
【解決手段】データラインに接続された高融点金属から成る接続配線１０上の層間絶縁膜１２を除去し開口する。接続配線１０が露出した部分に、高融点金属から成る端子下地層２０を形成し、さらに、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金から成るＣＯＧ端子層２２を形成する。これらの材料により端子部を形成することで、バンプ２６ａとＡＣＦ２４との接続をより効果的なものにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のせん断強度の劣化を抑制しつつ、衝撃に対する耐性を向上させる。
【解決手段】キャリア基板１１の裏面には複数のランド１２ａ、１２ａ´が形成され、ランド１２ａ´にはメッキ層１９を形成するとともに、ランド１２ａにはメッキ層１９が形成されないようにして素地が露出されたままの状態にし、突出電極１８をランド１２ａ、１２ａ´にそれぞれ接合させる。ランド１２ａの素地に突出電極１８を直接接合させた上で、メッキ層１９が形成されたランド１２ａ´に突出電極１８を接合させる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置に関するものであり、外装構造に特別な強度がない場合であっても、外部から強い圧力が掛かった際のバンプの潰れが抑制され、ショート不良など電気特性の不具合を回避できる弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実装基板１３と弾性表面波素子１１とを接続するバンプ１７を、外層がはんだ材料１８で、内部にはんだ材料よりも相対的に固いコア材料１９を有する構造とすることにより、外部から圧力が加わった際のバンプ１７の潰れを抑えている。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しないはんだ材料として、比較的低融点な錫亜鉛合金はんだを使用し、かつ信頼性の高いはんだ接合を得る。
【解決手段】電子部品用基板４の表面に形成された配線電極部３上にニッケルめっき２および金めっき１が施され、接合状態で錫亜鉛合金はんだボール９中に含まれる亜鉛と金めっき１が反応し、金と亜鉛の金属間化合物５が形成される。そして電子部品実装用基板７に形成の銅配線電極部６と電子部品とのはんだ接合の際に、ニッケルめっき２および銅配線電極部６を溶融した錫亜鉛合金はんだ８によって接合する。金めっき１の膜厚を０．０１μｍ以上０．１２μｍ以下に薄く制御することで、金と亜鉛の金属間化合物５による界面剥離を抑制することができ、はんだ接合部の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】厚膜回路基板において、絶縁性の基板上に銅導体ペーストの焼成により銅導体膜を形成する際、銅導体ぺ一ストは銅粉末にマンガンなどの粉末を分散させていたので、銅導体膜がポーラスな構造となり易かった。
【解決手段】混成集積回路装置は、絶縁性の基板１０と、基板上に形成され銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペースト２１Ａ及び２２Ａを焼成して成る銅導体膜２１及び２２とを含む厚膜回路基板２５と、銅導体膜上にはんだ３５及び３６によりはんだ付けされた電子部品３８とから成る。厚膜回路基板において、銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを焼結して形成された銅導体膜２１及び２２は緻密な構造を持つ。 （もっと読む）

配線基板の半田接続用の端子である銅のランド部（４ｂ）上に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）を形成し、その上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成し、その上に無電解Ａｕめっき層を形成する。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成する工程では、下地の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）から無電解Ｐｄめっき液中へのニッケルの溶出量が５×１０^−６ｋｇ／ｍ^２以下となるようにする。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）と無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）の界面には、１０ｎｍ以上のボイドは形成されない。その後、配線基板に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂封止し、配線基板のランド部（４ｂ）に半田ボールを接続して、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

接続抵抗を低くし腐蝕防止を図ることのできる端子構造及びこれに基づく電子装置を提供することを目的とする。基板８に支持される透明導電層１０と、透明導電層１０上に延在し透明導電層１０よりも抵抗率の低い材質の金属層２０とを有し、透明導電層１０は、金属層２０よりも耐酸化性が高く、周辺回路（５０）と接続するための端子１０Ｔを形成する、電子装置。金属層２０は、透明導電層１０の端子１０Ｔ外の延在部１０Ｌ上、及び／又は透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において透明導電層１０を外部へ露出させるべき結合領域１１の周辺又は近傍に延在し、透明導電層１０の端子１０Ｔの少なくとも一部及び金属層２０全体を被覆し透明導電層１０の端子１０Ｔの領域内において結合領域１１を除く領域に延在する電気的絶縁層３０が設けられている。

（もっと読む）

【課題】 温度変化の大きい環境下に置かれても、異方導電性フィルムと半導体素子及び／または回路基板との接続界面に破壊が生じることなく、良好な導通特性が維持される半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体素子３０を異方導電性フィルム１０を介して回路基板２０と電気的に接続してなる半導体装置であって、異方導電性フィルムは、絶縁性樹脂からなるフィルム基板１中に複数の導通路２が、互いに絶縁されて、フィルム基板の厚み方向に貫通してなるものであり、当該異方導電性フィルムのフィルム基板の面１ａと回路基板の基板面２１ａとの間に隙間Ｓが形成されている。 （もっと読む）