【課題】実装の信頼性が良好であって、かつ微細な接続ピッチで半導体チップを実装することが可能な配線基板と、実装の信頼性が良好であって、かつ微細な接続ピッチで半導体チップが配線基板に実装されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップに接続される接続部と、前記接続部を介して前記半導体チップに接続されるパターン配線と、を有する、半導体チップを実装する配線基板の製造方法であって、前記パターン配線上に、前記接続部を電解メッキ法により形成するための給電層を形成する給電層形成工程と、前記給電層上にマスクパターンを形成するマスク工程と、前記マスクパターンから露出する前記給電層をエッチングするエッチング工程と、前記マスクパターンから露出する前記パターン配線上に電解メッキ法により前記接続部を形成する電解メッキ工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な実装プロセスで半導体チップを配線基板に接合することのできる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体モジュール１００の製造方法は、ワイヤレスボンディングによって、カソード電極６０およびアノード電極５４を有する半導体チップ７０を、第１の配線部１２および第２の配線部１４を有する配線基板４０に接合する半導体モジュールの製造方法であって、カソード電極が第２の配線部に対向し、アノード電極が第１の配線部に対向するように、半導体チップを配線基板上に配置する工程と、複数のレーザスポット８０、８２、８４に照射する工程と、カソード電極を第２の配線部に接合し、アノード電極を前記第１の配線部に接合する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップとの間の接続ピッチの微細化をソルダーレジストにより妨げられることがない電子回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線１４と、配線１４と一体に設けられた電極パッド１６とを有する配線基板１０を準備する工程と、半田電極２２を有する電子回路チップ２０を準備する工程と、半田電極２２を溶融させた状態で電極パッド１６に接続することにより配線基板１０と電子回路チップ２０とを接合する工程と、を含む電子回路装置の製造方法。電極パッド１６の絶縁樹脂層１２と反対側の面に露出し、電極パッド１６を構成する第１の金属材料は、配線１４の絶縁樹脂層１２と反対側の面に露出し、配線１４を構成する第２の金属材料に比して、酸化物形成の自由エネルギーが高い。 （もっと読む）

【課題】表面にＣｕが設けられた電子回路チップと、表面に半田が設けられた電子回路チップとを接合する場合、Ｃｕと半田との間の接続信頼性が問題となる。
【解決手段】電子回路チップ１０の表層には、絶縁層１２が形成されている。この絶縁層１２中には、導体配線１４が形成されている。導体配線１４は、絶縁層１２の表面に露出している。絶縁層１２の表面に露出する導体配線１４の一部上には、半田濡れ金属膜１６（金属膜）が形成されている。この半田濡れ金属膜１６を構成する金属材料（第２の金属材料）としては、上記第１の金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】従来の配線基板においては、半導体チップとの接続ピッチの微細化が妨げられていた。
【解決手段】配線基板１０は、絶縁樹脂層１２（基材）、配線１４、および電極パッド１６を有している。絶縁樹脂層１２上には、配線１４および電極パッド１６が形成されている。これらの配線１４および電極パッド１６は、一体に設けられている。電極パッド１６の絶縁樹脂層１２と反対側の面Ｓ１に露出し、電極パッド１６を構成する第１の金属材料は、配線１４の絶縁樹脂層１２と反対側の面Ｓ２に露出し、配線１４を構成する第２の金属材料に比して、酸化物形成の自由エネルギーが高い。 （もっと読む）

【課題】 バンプとランド部間の剥がれが無く、生産性の良好な半導体部品の実装構造、及びそれに使用される実装基板の製造方法な撮像モジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体部品の実装構造において、バンプ８が位置するランド部４の端面４ａ、４ｂには、絶縁基板２からほぼ垂直な立ち上がり面５ａと、この立ち上がり面５ａの上部から立ち上がり面に対してほぼ直角に突出する膨出部５ｂと、この膨出部５ｂと立ち上がり面５ａと絶縁基板２とで囲まれた凹み部５ｃとからなる係止部５が設けられ、係止部５の凹み部５ｃ内にバンプ８を食い込ませたため、バンプ８のランド部４への結合は、係止部５にバンプ８を食い込ませることによって強固となり、バンプ８とランド部４間の剥がれの無いものが得られる。 （もっと読む）

【課題】高温に曝される状況下であっても、下地めっき層に含まれる成分（たとえばニッケル）が、表面めっき層に拡散するのを効果的に抑制し、表面めっき層と導電性接続材との接続安定性および信頼性を向上させ、またリペア性を向上させる
【解決手段】絶縁部材３０に形成された配線層３１，３２の所定部分に、下地めっき層３５，３６および表面めっき層３７，３８が積層形成された配線付き絶縁部材３において、下地めっき層３５，３６における表面めっき層３７，３８と接する表層部の全体３５Ｂ，３６Ｂを、ニッケルと、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも一方とを含んだ固溶体を有するものとした。 （もっと読む）

相互接続構造を含むマイクロフィーチャ組立品およびそのような相互接続構造を形成するための方法が、ここで開示される。マイクロフィーチャ組立品の特定の一実施形態は、集積回路とその集積回路に電気的に結合された複数の端子と個々の端子上に存在する導電バンプとを有するマイクロ電子ダイを含む。導電バンプは、第１の係合フィーチャを含む。組立品は、また、基板とその基板上に存在する複数のパッドを有するマイクロフィーチャ加工部品を含む。パッドは、対応する導電バンプ上に存在する第１の係合フィーチャと係合する非平面の第２の係合フィーチャを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂを用いず、且つ不良発生を低減することができる半導体装置の配線基板への実装方法及び実装配線基板を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１００は、Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕを含むはんだボール１１４を有している。配線基板２００は、はんだボール１１４を接続するための接続端子２０８を有し、この接続端子２０８にＡｕ層２１２及びＮｉ層２１０を有している。半導体パッケージ１００を配線基板２００に実装する工程において、はんだボール１１４を接続端子２０８に加熱固定する際に、Ａｕ層２１２のＡｕがはんだボール１１４中に拡散する。はんだボール１１４がＡｕを含むため、高い接合強度が得られ、不良の発生が低減する。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライメントにより、重量の重い部品が基板に半田接合された半田付け実装構造を実現する。
【解決手段】 本発明のカメラモジュール構造は、プリント基板１に形成された基板電極２と、そのプリント基板１に実装されたカメラモジュール３に形成された実装電極４とが、半田接合部５を介して接合され、基板電極２と実装電極４とが、セルフアライメントにより位置合わせされている。そして、半田接合部５が、特性の異なる第１の半田６と第２の半田７から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 長期的な熱ストレスによる半田と半田接続用部材との接合部の強度低下を防ぐことができるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき構造の半田接続用部材を備えた電子部品と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の電子部品は、銅又はその合金の配線４、４’と、当該配線と他の部品１４とを半田１６で接続するため当該配線上に順次形成された、Ｎｉ又はその合金の層１０、１０’、Ｐｄ又はその合金の層１２、１２’、及びＡｕ又はその合金の層１４、１４’からなる半田接続用部材８ａ、８ａ’とを含む電子部品１であって、半田接続用部材８ａ、８ａ’、８ｂのうちの少なくとも一部においてＰｄ又はその合金層１２、１２’の厚さが０．０００５μｍ以上０．００５μｍ未満であることを特徴とする。Ｐｄ又はその合金層１２、１２’は、置換型の無電解めっき法により形成する。 （もっと読む）

【課題】 低温かつ低荷重で、しかも短時間で接合を可能とし、信頼性の高い接合部を得ることができる電子部品の実装方法を提供する。
【解決手段】 電子部品２０上に形成された金属からなる素子電極２１と、回路基板１０上に形成された金属からなる回路電極１１とを接合して、電子部品２０を回路基板１０上に実装する方法において、回路電極１１、素子電極２１上に、低融点金属層３１、３２を予め形成した後、素子電極２１又は回路電極１１と同材質、若しくは低融点金属層３１、３２が拡散可能な材料からなる金属粉末３３を、低融点金属層３１、３２上に付与して、素子電極２１及び回路電極１１を対向させて、少なくとも低融点金属層３１、３２が溶融する温度で加熱加圧し、低融点金属層３１、３２を、素子電極２１、回路電極１１及び金属粉末３３に固液拡散させることによって接合する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光を用いて信頼性の良好な半導体モジュールを製造することのできる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体モジュール１０００の製造方法は、ワイヤレスボンディングによって半導体チップ１００を配線基板２００に接合する半導体モジュールの製造方法であって、（ａ）配線基板２１０上に導電性材料を用いて形成されている接合部２０２、２０４に向かってレーザ光を照射することにより、当該接合部を溶融する工程と、（ｂ）前記接合部に前記半導体チップの電極を接触させて、当該接合部に向かってレーザ光を照射することにより、前記半導体チップに前記接合部を接合する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】無鉛半田ボールが付着される半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】無鉛半田ボール１０３が付着された半田ジョイント領域１０６に０．１〜０．３ｗｔ％の銅を含む半導体パッケージ３００を提供する。前記半導体パッケージの中間半田ボールジョイント部の半田ボールは３．０〜４．０ｗｔ％の銀、０．１〜０．３ｗｔ％の銅、及び残りｗｔ％のスズを含む。これによって、半導体パッケージの衝撃特性を顕著に改善させることができる。 （もっと読む）

【課題】接合部の信頼性が高い、狭ピッチ化に対応できる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上１のスズ電極２と半導体チップ３の金バンプ４が接合され、前記絶縁基板と半導体チップの間隙部にはアンダーフィル樹脂５が充填されてなる電子部品の実装方法であって、前記絶縁基板上に該アンダーフィル樹脂を滴下する工程、熱圧着ツールにより２８０℃以上に加熱された前記半導体チップが前記半導体チップの金バンプと前記絶縁基板上のスズ電極とが対向するように下降し、前記半導体チップの金バンプと前記絶縁基板上のスズ電極層との間に金属合金層を形成し接合する熱圧着工程の順に行うものであり、該アンダーフイル樹脂には、アンダーフィル樹脂よりも熱伝導率の高い、窒化物から選ばれる少なくとも1種のフィラーが含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極と接続パッドとを常に正常に電気的に接続することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線導体を有する絶縁基板の表面に銅から成る接続パッド２ａ（２ｂ）が形成されているとともに該接続パッド２ａ（２ｂ）の表面に無電解ニッケルめっき皮膜１１と還元型無電解パラジウムめっき皮膜１２と置換還元型無電解金めっき皮膜１３とが順次被着されている配線基板およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス配線基板上に半導体素子等を半田層を介して接合搭載するにあたって、半田層中に大きなＳｎ合金粒の発生を抑制することによって、半導体素子の接合強度の低下等を防止する。
【解決手段】セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 （もっと読む）

【課題】バンプピッチを３００μｍ以下に微細化した場合でも、補強用樹脂の注入性を良好にする。
【解決手段】バンプピッチが３００μｍでチップサイズが１０ｍｍ□のフリップチップ４をセラミック多層基板１上に実装する場合に、注入口間隔ｈを４０μｍ以上にした。注入口間隔をそのような大きさにすることにより、フリップチップ実装部の中央部にボイドを発生させることなく補強用樹脂８を良好に注入することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と実装基板間の距離を大きく確保できるようにするとともに、低コストで作製可能なフリップチップ構造の半導体素子および低α線化が可能な実装構造を持った半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１の配線層２上に密着層４、接着層５を介して銅からなる柱状バンプ６をウェハ単位で一括形成可能な電解メッキにより形成する。柱状バンプの上面もしくは上面および側面の一部に金等からなる酸化防止層８を形成する。柱状バンプの側面には、必要に応じて酸化膜等からなる濡れ防止膜７を形成する。このバンプを実装基板上のパッドにはんだ付けすると、はんだが柱状バンプ上面全域と側面の上部の一部のみを濡らし、信頼性の高い接合形状を安定して形成することが出来る。また、柱状バンプが溶融することがない為、はんだリフローにより半導体基板−実装基板間の距離が狭まることはない。 （もっと読む）

【課題】 「セミアディティブ法」などを用いて回路パターンの微細化を図った場合においても、回路パターンの絶縁基材に対する密着強度が確保され、端子メッキ工程や電子部品の実装工程等、回路パターンを形成した後の工程における回路パターンの絶縁基材からの剥離、あるいは、完成後の使用環境における回路パターンの絶縁基材からの剥離が防止されたプリント配線基板を提供する。
【解決手段】 絶縁材料からなる絶縁基材１と、この絶縁基材１の表面上に形成された導電材料からなる回路パターン２と、絶縁材料からなり絶縁基材上に形成されて回路パターン２を覆っているとともにこの回路パターン２における電子部品１０１の実装位置５に対応する開口部６を有しているカバー層４と、絶縁基材１の裏面部の少なくともカバー層４の開口部６に対応する箇所に形成された５μｍ以上の膜厚を有する金属層７とを備えている。 （もっと読む）