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Fターム[5F044KK13]の内容

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【課題】フリップチップ用のLED素子はp型半導体層を削ってn型半導体層を露出させるため、しばしばp側バンプとn側バンプの間に段差を持つ。この段差はLED素子の接続信頼性を劣化させることがある。
【解決手段】複数の回路基板領域を含む大判基板80に電極パターンを形成してから、n側バンプ23が接続する領域に段差と略等しい厚さを有する補正膜17を形成する。続いてLED素子13を大判基板80に配置して接合する。最後に大判基板80を個片化し半導体発光装置10を得る。接合工程前の大判基板80処理段階で補正膜17を形成する工程を追加したので簡単に高い接続信頼性が得られた。 (もっと読む)


【課題】鉛フリーはんだを用い、下地のNi層によらずに充分な接合強度を得る。
【解決手段】この電極構造10においては、電極下地11上に、Niめっき層12が形成されており、Niめっき層12上にCo薄膜層13が形成される。はんだ層20は、Niめっき層12上ではなく、Co薄膜層13上に形成される。このはんだ層20によって被接合試料30は、この電極構造10に接合される。Co薄膜層13は、10nm〜800nm程度の厚さであり、この厚さのCo薄膜層13は、蒸着法、スパッタリング法によって形成することができる。 (もっと読む)


【課題】配線からの金属イオンの析出によるマイグレーション発生を防止できる、高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】ベースフィルム1に複数の配線9が配置されたフレキシブル配線基板11と、上記フレキシブル配線基板11に搭載された半導体チップ5と、フレキシブル配線基板11と半導体チップ5との間に、少なくとも一部が配線9に接するように配置された封止樹脂6を有し、封止樹脂6に金属イオン結合剤が混合されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、前記半導体装置が実装された、信頼性の高い電子部品、信頼性の高い半導体装置の製造方法、および信頼性の高い電子部品の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第1の面と、前記第1の面の反対側の第2の面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第1の面の上に設けられ、前記電極の少なくとも一部とオーバーラップする開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた樹脂突起と、前記電極と電気的に接続され、一部が前記樹脂突起の上に設けられた配線層と、を有し、前記配線層は、前記電極および前記樹脂突起の上に形成される第1の導電層と、前記第1の導電層の上に形成される第2の導電層とを有し、前記第1の導電層は、前記半導体基板側の第1の面と、前記第2の導電層側の第2の面と、を有し、前記第1の導電層の前記第2の面に、前記第1の導電層の酸化膜または窒化膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置とその製造方法において、電極とはんだバンプとの接続信頼性を高めること。
【解決手段】銅を含む第1の電極4が表面に形成された回路基板1と、第1の電極4の表面に形成され、銅と錫との反応を抑制するバリアメタル層10と、バリアメタル層10の上に形成された錫層12と、錫層12を介して第1の電極4に接合された無鉛はんだバンプ18と、無鉛はんだバンプ18と接合された第2の電極22を備えた半導体パッケージ20とを有する半導体装置による。 (もっと読む)


【課題】集積回路素子の剥がれを防ぐことができる圧電発振器を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の圧電発振器は、基板部とこの基板部の一方の主面に第1の枠部と第2の枠部が設けられて凹部空間が形成されている素子搭載部材と、搭載部の主面に設けられている2個一対の圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部に設けられている集積回路素子搭載パッドと接合するための素子搭載部材接合用電極が設けられている集積回路素子と、凹部空間を気密封止する蓋部材と、を備え、素子搭載部材接合用電極は、アルミニウム層と、中間金属層と、メッキバンプ層とで構成され、アルミニウム層の厚みが、0.6〜1.5μmであり、中間金属層の厚みが、0.5〜1.7μmであり、メッキバンプ層の厚みが、5〜30μmであることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、導電性ボールの圧縮された形態を固定して、基板と集積回路チップとの間の接触抵抗が増加するのを抑制する表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明による表示装置は、配線部が形成された配線基板、前記配線基板に実装された集積回路チップ、及び前記配線部から延長されて前記配線基板と前記集積回路チップとの間に位置して前記集積回路チップと連結されるパッド部を含み、前記パッド部は、前記配線部から延長される第1導電層、及び前記第1導電層上に位置して、前記第1導電層に比べて硬度が低い第2導電層を含む。 (もっと読む)


【課題】信頼性が確保された鉛フリーの電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイス100を形成する方法は、電子デバイス基板上に配置されたハンダ・バンプ・パッド130を有する電子デバイス基板を提供する。ニッケル含有層がハンダ・バンプ・パッドの上に配置され、電子デバイスをリフロー・プロセスにかける前に、銅含有層がニッケル含有層上に形成される。 (もっと読む)


【課題】種々の部品を搭載する配線基板の信頼性を向上する。
【解決手段】層間絶縁層14から露出する電極パッド4a、6aを有する配線基板20Aを備えた半導体パッケージ30Aであって、電極パッド4a、6aはそれぞれ層間絶縁層14の表面からの深さが互いに異なって露出している。配線基板20Aには、半導体チップ21およびリッド23が搭載され、半導体チップ21の主面に形成されている外部接続端子22と、電極パッド4aとが電気的に接続され、リッド23に形成されている接続部23bと、電極パッド6aとが電気的に接続され、半導体チップ21の裏面にリッド23が接着して配置される。 (もっと読む)


【課題】 金属ナノ粒子接合部における金属ナノ粒子層の厚みが薄い場合においても接続信頼性、電気伝導性が高い電子部品それを用いた電子部品、電子部品装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 基体と、前記基体上に形成された第1の電極と、前記基体の表面に形成され、前記第1の電極の側面と上面の少なくとも一方に接し、かつ前記第1の電極の周りを囲むように形成された壁と、前記第1の電極上に接合されている第2の電極を有する電子部品において、前記第2の電極は、金属ナノ粒子焼結体からなり、前記第1の電極と前記壁とに囲まれる空間内に形成され、かつバスタブ形状であることを特徴とする電子部品。 (もっと読む)


【課題】熱変動等に起因した反りの発生を抑制することのできる配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線板が、基板(絶縁層11)と、基板の表面又は内部に形成される第1導体パターンと、第1導体パターン(導体パターン22)と同一の層に所定の間隔をもって配置される複数のパッド(第1パッド31、第2パッド32)と、複数のパッドの各々に配置された導電性の接合層33と、電極を有する電子部品50と、を備える。電子部品50は、基板の内部に配置される。電子部品50の電極(バンプ50a)と複数のパッドとは接合層33を介して互いに電気的に接続される。複数のパッドの各々の高さは、少なくともそれらパッドの周辺に配置された第1導体パターンの高さよりも高い。少なくとも複数のパッド及び第1導体パターンが形成された層には、接合層33に関する保護材(ソルダーレジスト)が形成されない。 (もっと読む)


【課題】Biを含有するはんだ接続部の放熱性を向上させ、Biが接続部の外部へ拡散し接続部にカーケンダルボイドが形成されることを防止して光素子等の機能素子の特性を向上させる。
【解決手段】機能素子1が搭載される基板2の主面側の、機能素子1が搭載される領域の少なくとも一部に第1の導体層5を形成し、第1の導体層5の少なくとも一部に第2の導体層6を形成する導体層形成工程と、第2の導体層6の少なくとも一部に凹凸形状状の第3の導体層8を形成し、第3の導体層8の少なくとも一部にはんだ9を形成し、第2の基板17を挟持し、はんだ9を溶融させて機能素子1を接続して搭載し、はんだ9が第3の凹凸状の導体層8により堰き止められて第1の導体層5に接しない接続工程を備えた機能素子搭載方法とする。 (もっと読む)


【課題】挟ピッチ下でも接続パッドの面積および異方性導電膜の電気的接続性を十分に確保することの可能な実装基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】表示パネル10は、実装部分10B−1において、基板15上に、複数のデータ配線11と、層間絶縁膜16と、複数のビア17と、複数の接続パッド18とを有する。接続パッド18は、ビア17の直上に形成されており、ビア17を介してデータ配線11と電気的に接続されている。接続パッド18は最表層に形成されており、データ配線11の延在方向と交差する方向に千鳥配置されている。 (もっと読む)


【課題】電子部品の実装面積を小さくできると共に、電子部品を平行度よく実装できる電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11と、その上面側に設けられた凹部Cと、凹部Cの底面側のシリコン基板11を貫通して形成されたスルーホールTHと、シリコン基板11に形成された絶縁層14と、スルーホールTH内の下部からその高さ方向の途中まで形成された下側金属部22と、スルーホールTH内の下側金属部22の上に形成された接続金属部材26(インジウム層)とにより構成される貫通電極20とを備えた配線基板1と、下面側に端子金属部材42(金バンプ)を備えた電子部品40とを用意する工程と、加熱雰囲気で、配線基板1の接続金属部材26を軟化させ、電子部品40の端子金属部材42を接続金属部材26に突き刺して接続する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに形成するはんだバンプの形成方法を限定することなく、はんだバンプによる複数の接続部の面積をいずれも同程度に保ったままで、接続信頼性が高い実装を可能とする半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも1つの素子が形成された素子形成面と該素子形成面に形成された複数の電極パッド2とを有する半導体チップ1と、主面が半導体チップ1の素子形成面と対向し、且つそれぞれが主面の各電極パッド2と対向する位置に形成された複数の接続パッド15を有する配線基板10と、各電極パッド2と各接続パッド15との間にそれぞれ設けられ、それらを電気的に接続する複数のはんだバンプ4とを備えている。各はんだバンプ4における、電極パッド2側の組成と接続パッド15側の組成とは同一である。 (もっと読む)


【課題】工数、およびコストを増大させることなく、はんだの接合強度を高めることのできる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターン16のパッド18上に、Ni-Pめっき皮膜22が形成され、このNi‐Pめっき皮膜22上にAuめっき皮膜24が形成された電子部品の製造方法において、パッド18上に、前記Ni-Pめっき皮膜22を形成するめっき工程と、該形成されたNi-Pめっき皮膜22の表層中におけるNi成分を溶解除去して、Pリッチな表層22aを形成するエッチング工程と、該Pリッチな表層部22a上に前記Auめっき皮膜24を形成する工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】面接続端子とチップ部品との接続信頼性を向上させることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】多層配線基板は、凹部形成工程、金拡散防止層形成工程、端子形成工程、樹脂絶縁層形成工程、導体形成工程及び金属層除去工程を経て製造される。凹部形成工程では、銅箔層73をハーフエッチして凹部78を形成する。金拡散防止層形成工程では、凹部78に金拡散防止層を形成する。端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層33、ニッケル層32及び銅層31をこの順序で積層し、面接続端子30を形成する。樹脂絶縁層形成工程では樹脂絶縁層を形成し、導体形成工程ではビア導体及び導体層を形成する。金属層形成工程では、銅箔層73及び金拡散防止層を除去して、金層33を積層構造体の主面から突出させる。 (もっと読む)


【課題】ガラスパッケージ2を回路基板に実装したときに、回路基板の加えられる応力によりガラスパッケージ2に割れや欠けが生じないようにする。
【解決手段】表面にパッケージ電極11が形成されたガラスパッケージ2のパッケージ電極11が形成された表面に、第1貫通電極10が形成されたフレキシブル基板3を接着材4を介して貼り合わされた構造を備えており、パッケージ電極11と第1貫通電極10とが電気的に接続する構造を有する電子部品1とした。 (もっと読む)


【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することで、配線基板の信頼性を向上させることのできる配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】金属層41,42からなる電極パッド25と、金属層42の面42A側に位置する部分の電極パッド25と接続される導電パターン27と、電極パッド25及び導電パターン27を内設する絶縁層21と、を有しており、絶縁層21は、面42Aとは反対側に位置する金属層41の面41Aの外周部を覆うように配置する。 (もっと読む)


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