【課題】導電性、半田濡れ性、ガラス密着性のうち、少なくとも２つ以上の性能を向上させた電極パターンを備えた撮像素子パッケージを提供する。
【解決手段】撮像素子パッケージ１は、撮像素子２と、半田で構成される外部接続端子３と、撮像素子２および外部接続端子３が固定されるガラス基板４とを備え、ガラス基板４には、レジネートにより構成されるとともに撮像素子２と外部接続端子３とを接続する電極パターン７が形成され、電極パターン７は、外部接続端子３と撮像素子２とを接続する導電性の良い電極層９と、この導電性の良い電極層９に固着されるとともに、外部接続端子３が設けられる位置に対応して設けられる半田濡れ性の良い電極層１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】２つの部材の接合の信頼性を向上し得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。基板本体１ａに電極３ａおよび３ｂを形成し、その上にバンプ５ａおよび５ｂを配置する。半導体素子本体２ａに電極４ａおよび４ｂを形成する。バンプ５ａおよび５ｂを加熱し電極３ａおよび３ｂと電極４ａおよび４ｂとを接合する（加熱工程）。電極３ａおよび３ｂを形成する工程は以下の工程を含んでいる。下地電極１１ａおよび１１ｂを形成し、その上の一部に、バンプ５ａおよび５ｂとの反応を防止するためのバリア層１３ａおよび１３ｂを形成する。接合する加熱工程は、電極３ａおよび３ｂと電極４ａおよび４ｂとを接近させて、加熱によって溶融したバンプ５ａの一部をバリア層１３ａ上からバリア層１３ａが形成されていない下地電極１１ａ上にはみ出させることを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 回路基板及びその製造方法に関し、接合界面におけるＢｉ濃度を低減して接合信頼性を高める。
【解決手段】 電極を表面に備えた配線基板と、前記電極に対向するバンプを表面に備えた電子部品とを有し、前記電極と前記バンプとの間の領域に形成されたＳｎ及びＢｉを含む接合層における第１の領域のＢｉ含有率を、前記接合層における第２の領域のＢｉ含有率よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】１０秒以下の短時間でも硬化可能であり、かつＯＳＰ処理された基板の接続に安定した接続信頼性を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、リン酸エステルと、導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を１００重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が０．５重量部から２．５重量部の範囲である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】半田バンプを介して回路配線基板に電子部品が接続されてなる電子部品装置であって、前記電子部品の回路のオープン不良の発生を防止すると共に、半田の濡れ性を確保しつつ、前記配線回路基板と前記電子部品との接合信頼性の低下を防止することができる電子部品装置、及び当該電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品装置６０は、銅（Ｃｕ）を含む電極４１を主面に備えた回路配線基板４０と、錫（Ｓｎ）を含み、前記電極に接続される外部接続部３４を主面に備えた電子部品３０と、を有し、前記電極４１と前記外部接続部３４との界面の一部に、錫（Ｓｎ）と親和性を有する金属部５０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温でも接合面の洗浄することができ、容易に基板同士を接合できる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】接合装置１は、処理室としてのチャンバー２と、チャンバー２内に設けられ基板３を設置するステージ４と、チャンバー２に連通されたガス導入路５及びガス排出路６とを備える。ガス導入路５に紫外光照射部20が設けられており、供給される酸素ガスを紫外光照射部20によって励起して第１の洗浄ガスを生成し得るように構成されている。第１の洗浄ガスがチャンバー２内へ供給されると、第１の接合面10a及び第２の接合面11aに付着した有機物と酸化反応する。これにより、接合装置１は、第１の接合面10a及び第２の接合面11aから有機物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属膜の上に保護用導電膜を積層する構造としているコンタクトは、保護用導電
膜の硬度が高いため、FPC圧着前の検査において、検査装置の電極の接触によるコンタク
トの表面の損傷を防止することができる。しかし、保護用導電膜は金属膜と比較して抵抗
値が高いため、FPCとの接触抵抗が高く、表示装置の使用状態での消費電力が大きくなる
。
【解決手段】本発明は金属膜と保護用導電膜の積層膜でなるFPCコンタクトの構造であっ
て、異方性導電膜に含まれる導電性粒子が前記金属膜と電気的な接続に必要な幅よりも広
く、検査装置の電極の幅よりも狭い間隔を有するスリット状の保護用導電膜で構成され、
前記透明電極膜と前記金属膜の双方で前記FPCと電気的に接続できることを特徴とするコ
ンタクト構造と前記コンタクト構造を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体装置１を、接着剤２２を介して、リード２６が形成された弾性基板２４に搭載する。半導体装置１は、半導体チップ１０上に配置された樹脂突起１８と、電極１４上から樹脂突起１８上に至るように延びる配線２０と、を有する。リード２６の表面は、リード２６を構成する材料よりも延展性の低い材料からなる絶縁膜３０で覆われている。半導体装置１と弾性基板２４の間に押圧力を加えて、配線２０の樹脂突起１８上の部分を、リード２６に押圧する。押圧力によって、リード２６を介して弾性基板２４を弾性変形させて窪み２８を形成するとともに窪み２８の表面でリード２６を延展する。リード２６の延びによって絶縁膜３０を破断し、リード２６の一部を絶縁膜３０の切れ間から露出させて配線２０と接触させる。 （もっと読む）

【課題】素子搭載用基板に半導体素子を搭載した際に、半導体素子の電極にダメージを与えるおそれを低減し、突起構造と半導体素子の電極との接続信頼性を向上させる。
【解決手段】素子搭載用基板１０は、絶縁樹脂層７０と、この絶縁樹脂層７０の一方の表面に設けられた所定パターンの配線層１４と、この配線層１４の絶縁樹脂層７０側の表面に設けられた突起電極１６と、この突起電極１６の頂部面と側面のうち配線層１４と接する領域を除いた頂部面と連続する領域とを被覆し、金属層よりなる被覆部１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 実装した半導体チップを実装基板に実装するとともに、初期不良が発見された半導体チップを容易に取り外すことが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】 第１の基板(1)の表面上に第１のパッド(2)が形成されている。第１のパッドの表面上に金属膜(3)が配置されている。第１の基板の、第１のパッドが形成された面に対向するように第２の基板(6)が配置されている。第２の基板の、第１のパッドに対向する表面上に第２のパッド(7)が形成されている。導電性のナノチューブ(8)の一端が第２のパッドに接続され、他端が金属膜内に埋め込まれている。金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ基板の電極構造を工夫することにより、低荷重でありかつ安定な金すずフリップチップで接合できるようにし、信頼性の高い高密度実装を実現する。
【解決手段】 実装基板上に半導体チップをフリップチップ実装するとともに、前記半導体チップと前記実装基板とを樹脂にて固着する半導体実装方法において、前記半導体チップ側の各バンプと接触する基板側の各電極部は２つに分離されかつ上部より円錐形状の穴加工が施されるとともに、前記各バンプは前記各電極部とその円錐形状部分において接触することにより、バンプ側面と電極穴内部との間で合金層を形成し、金バンプ先端を潰す必要がないので低荷重での接合を可能にし、かつバンプ側面と電極穴内部の広い面積で擦れ合ってすずめっきの酸化膜を剥がすことができることにより、より良好な合金層が形成できるように構成した。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボールが接続される回路基板、電極と前記電極上に形成された鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボールを有する半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法であって、鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボールと電極との接合強度（密着強度）を向上させて実装の信頼性を向上させることができる態様を提供する。
【解決手段】電極５５に、鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボール６５を接続される回路基板５０において、前記電極５５は、銅（Ｃｕ）を主成分とする第１の層５１と、前記第１の層上に形成されたニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２の層５２と、前記第２の層上に形成された錫ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）合金を主成分とする第３の層５４とを有する。 （もっと読む）

ＬＥＤアセンブリ７１その他の電子的パッケージ３１を、ヒートシンク５２を含む基板ＰＣＢにボンディングする方法である。この方法は、電子的パッケージ３１のコンタクト３２，３４と、支持基板ＰＣＢ上の関連するコンタクトパッド５５との間に配置された反応性マルチレイヤ膜５１を利用する。圧力をかけて、反応性マルチレイヤ膜５１で発熱反応を起こすことにより、コンタクト３２，３４と関連するコンタクトパッド５５との間に、電子的パッケージ３１、その電子的パッケージに不随する熱に敏感なコンポーネント３５、その他の支持基板ＰＣＢに熱的損傷を与えることなく、隣接するボンディング材料を溶かして、コンタクト３２，３４とコンタクトパッド５５との間に電気的及び熱的伝導性を有するボンドを設けるのに十分な熱を発生させる。
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本発明は、半導体部品における層スタックである積層体（１００）を補強する補強構体（１，２）に関し、補強構体を、少なくとも１つの一体化したアンカー状部分（１１０ａ，１１０ｂ）を有する少なくとも１つの補強素子（１１０，１１８）とする。
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【課題】薄型化に対応できてコプラナリティを良好に設定できると共に、簡易な方法で形成できる電極構造体を提供する。
【解決手段】本発明の電極構造体は、金属電極１４，１６と、その上に形成されたはんだ合金層１９（錫・ニッケル合金層）とから構成される。はんだ合金層１９は、金属電極１４，１６の上に形成されたはんだ層をリフロー加熱した後に、はんだ層を除去することによって得られる。この電極構造体は、電子部品や実装基板の外部接続電極に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】５０ミクロンピッチ以下の微細ピッチ電極を有する半導体素子を基板上のパッドもしくは配線を接続する構造において、接続時の加熱または荷重負荷時に発生するバンプ間ショートや、高歪みによる接続部破断を防止しあるいは接触抵抗を低減し、高信頼性で高速伝送に対応可能な半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板と半導体素子は縦弾性係数（ヤング率）が６５ＧＰａ以上６００ＧＰａ以下のバンプと、錫、アルミニウム、インジウム、あるいは鉛のいづれかを主成分とする緩衝層を介して接続されており、バンプと基板上のパッドもしくは配線の対向した面の少なくとも一方に突起が形成され、超音波により接続することにより低温接続が可能な半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線基板に凹部を設け、その凹部内で接合層を膨張させるため、膨張した接合層が配線基板上に流出するのを抑制し、生産性に優れた実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、配線基板２と、配線基板２の上面に実装される半導体素子３とを備えた実装構造体１であって、配線基板２の上面に形成される複数の凹部２１と、複数の凹部２１の内周面に膜形成される導電層２４と、半導体素子３の下面に形成され、凹部２１に下端部が位置する凸部３０と、を備え、導電層２４と凸部３０との間に、導電層２４及び凸部３０を構成する材料よりも融点の低い材料から成る低融点金属層２５が形成されており、低融点金属層２５は、凸部３０と接する領域又は前記導電層２４と接する領域の少なくとも一方に、接合層２６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ用プリント基板の表面処理作業において、各パッドの鍍金の際、マスキング作業をすべて省略するか最小化することで、工程を簡素化するとともに実装信頼性を向上させる、半導体パッケージ用プリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーボンディング用パッドとＳＭＤ実装用パッドを含む、一定の回路パターンが形成されたパッケージ用プリント基板を提供し、前記プリント基板のワイヤーボンディング用パッド及びＳＭＤ実装用パッドを除いた部分にソルダレジスト層を形成し、無電解ニケル鍍金及び無電解金鍍金によって、前記ワイヤーボンディング用パッド及びＳＭＤ実装用パッドに無電解ニッケル／金鍍金層を形成し、電解金鍍金によって、前記ＳＭＤ実装用パッドのＥＮＩＧ層のうち、鍍金引入線が連結された一部ＥＮＩＧ層とワイヤーボンディング用パッドのＥＮＩＧ層に電解金鍍金層を形成する。 （もっと読む）

【課題】応力が低減され、信頼性が改善された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光層を含む積層体と、前記積層体の上に設けられた電極と、前記電極の上に設けられたパッド電極と、を含む発光素子と、金属ボンディング層を有する実装部材と、前記パッド電極と、前記金属ボンディング層と、を接着し金を含む合金半田と、を備え、前記パッド電極は、前記電極の上に設けられ前記電極よりも厚い第１の金層及び前記第１の金層の上に設けられた第１の金属バリア層を少なくとも有し、前記合金半田の融点は、前記第１の金属バリア層と前記合金半田を構成するそれぞれの元素との合金の融点よりも低いことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）