【課題】本発明は熱応力により電極パッドの周囲を囲む絶縁層にクラックが発生することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体チップ１１０が配線基板１２０にフリップチップ実装してなる構成である。配線基板１２０は、複数の配線層と複数の絶縁層が積層された多層構造であり、第１層１２２、第２層１２４、第３層１２６、第４層１２８の絶縁層が積層された構成になっている。第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２３との境界面には、第２電極パッド１３２が第１電極パッド１３０の外径より半径方向（平面方向）に幅広に形成されている。第１電極パッド１３０とビア１３４との間に、第１電極パッド１３０よりも幅広に形成された第２電極パッド１３２が介在することにより、リフロー処理による熱応力の進行方向が遮断され、第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２３との境界面の沿う方向で熱応力を吸収する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと該半導体チップが実装される基板との電気的な接続を良好とし、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、前記半導体チップに設置された突起電極と、前記突起電極が電気的に接続される端子電極を備えた基板と、を有し、前記突起電極と前記端子電極の間には、金属粒子と樹脂材料を含む導電性接着剤よりなる第１の層と、前記金属粒子よりも融点が低く、かつ、接している前記突起電極または接している前記端子電極の表面を構成する金属と合金を形成する低融点金属を含む第２の層と、が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】接合材料であるはんだを選択的にプリント配線板の電子部品搭載用の電極パッドに供給するはんだ供給方法及びこれに用いるはんだ接着材料を提供する。
【解決手段】磁性体粒子１とフラックスと２を有するはんだ接着材料であって、磁性体粒子１をフラックス２によってコーティングした後に乾燥させたはんだ接着材料基本構成物３からなる。 （もっと読む）

【課題】配線パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ポリイミド等からなるフィルム１上に形成され、その表面がメッキ層で覆われているインナーリード２の接合位置にＩＣチップ２０のバンプ２２を重ね合わせて接合する際に、インナーリード２の表面を覆うメッキ層５を接合時の熱で溶融し、溶融したメッキをインナーリード２の（フィルム１から剥がれた）先端部２ａの剥離面へ回り込ませる。これにより、先端部２ａの剥離面にもメッキ層が形成される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装される半導体素子接合用の電極を、ソルダーレジスト被膜により規定した配線パターンの露出部分により形成したプリント配線板に於いて、強固なはんだ接合を可能にするとともに、接合部の高密度化が図れるプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板１１は、フリップチップ実装される半導体素子の実装面部に所定の間隔を存して配列された、半導体素子接合用の電極形成部分を有する多数本の配線パターン１２ｐ，１２Ｐ，…と、部品実装面部を電極形成部分を残しソルダーレジスト（ＳＲ）で被覆することにより電極形成部分に露出形成された多数の電極１２，１２，…と、各電極１２，１２，…に一体に設けられ、半導体素子の電極に接合する部分の電極幅を他の部分より広幅に形成し、この広幅の部分が上記電極の配列方向に隣接しないように該電極の延長方向に位置的にずらせて配置した電極拡張部１２ａ，１２ａ，…とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面に金属電極１２を備える半導体デバイスと、ベース樹脂（有機樹脂）１０に貴金属を含むＡｇ粒子（金属粒子）９を混合した導電性樹脂７を介して、金属電極１２に電気的に接続されるダイパッド（金属部材）１３とを有し、金属電極１２またはダイパッド１３の互いに対向する面の少なくとも一方の面に、金属面にＡｇ（貴金属）のナノ粒子を焼結したポーラスなナノ粒子コート膜（貴金属層）５が形成されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】回路配線基板２０と半導体パッケージ１０とを実装させた半導体装置１において、回路配線基板２０の表面にパターニングされた電極２１と、半導体パッケージ１０に電極端子としてアレイ状に形成された半田１１とが中間層３０を介して電気的に接続されていることを特徴とする。中間層３０は、加熱処理によって電極２１の上に成長させた層であり、半田１１の主たる成分及び電極２１の主たる成分を共に含有している。これにより、半田１１にかかる応力が緩和され、オープン不良が抑止された、信頼性の高い半導体装置１の実現が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき皮膜の厚さが０．８μｍ以下であっても、熱処理後の接続信頼性に優れた接続端子、その接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板、半導体パッケージとその製造方法及び配線板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 配線導体の表面に、厚さが０．２μｍ以上で、０．５〜３重量％のリンを含有した無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、さらに無電解金めっき皮膜が順に形成され、その上にはんだが溶着された接続端子、その接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板、半導体パッケージとその製造方法及び配線板とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路板の製造を可能とする接着剤を提供する。
【解決手段】 相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路部材接続用接着剤であって、ＩＣチップとプリント基板との接続用の接着剤であり、前記接着剤に３官能以上の多官能エポキシ樹脂及び／又はナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂が含有され、前記接着剤の硬化後の１２０〜１４０℃での平均熱膨張係数が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】 接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路板の製造を可能とする接着剤を提供する。
【解決手段】 相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路部材接続用接着剤であって、前記接着剤にトリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、前記接着剤の硬化後の１２０〜１４０℃での平均熱膨張係数が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとセラミックパッケージとを、それぞれの電極を有する面を対向させた状態で当該両電極を電気的に接合してなる半導体装置において、パッケージの一面に高さばらつきがあっても、当該一面における高さの異なる部位に渡って半導体チップを電気的に接合できるようにする。
【解決手段】チップ電極１２とパッケージ電極２２との間に、半導体チップ１０のパッケージ２０への搭載時に変形可能な導電性の接合部材としての導電性接着剤３０を介在させ、この導電性接着剤３０により両電極１２、２２を電気的に接続するとともに、導電性接着剤３０の変形によりパッケージ２０の一面２１に存在する高さばらつきＴを吸収する。 （もっと読む）

【課題】 特に、相手側端子と電気的に接続される電極の電気抵抗を低く形成出来るとともに耐マイグレーション性を向上させることができ、前記相手側端子と良好な電気的接続を図ることが可能な回路基板及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁基板２上に形成される電極４を、銀の有機化合物を有する銀ペーストを焼成して形成している。前記焼成により有機物は熱分解し銀が析出し、前記電極４はほぼ銀で形成される。この結果、前記電極４は低抵抗で、しかも半田濡れ性に優れたものとなる。よって電極表面４ａを直接、半田６で覆うことが可能であり、前記電極表面４ａを半田６で覆ったことで前記電極４の耐マイグレーション性を向上させることが出来、電子部品７の端子部８との電気的接続性を良好なものに出来る。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチ実装が可能な回路基板とその製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基材１０と、基材１０の少なくとも一主面に形成された電極１１とを含む回路基板１であって、電極１１の内部及び側部のうち少なくとも一方に形成された易剥離部１２を含み、電極１１と易剥離部１２との接着強度が、電極１１と基材１０との接着強度より低いことを特徴とする回路基板１とする。これにより、接続信頼性が高く、狭ピッチ実装が可能な回路基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】長期にわたり表面酸化を防止することができ、フラックスレス、低温で接続可能、かつ微細パターン形成が可能なはんだ膜を提供する。
【解決手段】基材１と、この基材に形成されたメタライズ層２〜４と、このメタライズ層４表面の一部に形成されたＢｉ−Ｓｎを主成分とするはんだ部５とからなる電子部品搭載用基板３００または電子部品において、前記Ｂｉ−Ｓｎを主成分とするはんだ部５表面にＡｇ膜６が形成することで、表面酸化を防止する。またＡｕメタライズ層１２またはＡｕバンプと接続することで、Ａｕ−Ｓｎ化合物部１３とＢｉリッチ部１４を形成し、接続部の耐熱性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】パッド電極部における封止樹脂層の剥がれを抑制し、回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】この回路装置は、配線層３、金めっき層４、絶縁樹脂層５、回路素子６、導電部材７、及び封止樹脂層８を備える。配線層３は、銅からなる配線層３のパッド電極部分においてその表面に金めっき層４が形成される。この部分以外の表面は粗面加工が施される。絶縁樹脂層５は、配線層３を覆うように、パッド電極の形成領域に開口部５ａを有するように形成される。回路素子６は所定の領域の絶縁樹脂層５の上に装着される。封止樹脂層８は絶縁樹脂層５の上に形成され、回路素子６およびパッド電極の開口部５ａを覆うように全面に形成される。ここで、封止樹脂層８は、パッド電極部分において金めっき層４および配線層３と接するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置においては、半田バンプ電極の半田材料がＣｕ膜を拡散して絶縁ベース材とＣｕ膜との界面に達し、それにより絶縁ベース材とＣｕ膜とが互いに剥離し易くなってしまう。
【解決手段】半導体チップ１０および半導体チップ２０は、それぞれ半田１４および半田２４を介して、導電部材４０と電気的に接続されている。樹脂膜５０中には、導電部材４０が形成されている。導電部材４０は、Ｎｉ膜４４を含んで構成されている。Ｎｉ膜４４は、半田２４の拡散を防ぐ。導電部材４０と半田１４との間には、Ｎｉ膜６６が設けられている。このＮｉ膜６６は、半田１４の拡散を防ぐ。また、樹脂膜５０の面Ｓ１上および導電部材４０上には、これらの樹脂膜５０および導電部材４０に接してＴｉ膜６２が形成されている。このＴｉ膜６２は、半田１４およびＮｉ膜６６の何れよりも、樹脂膜５０に対する密着性が高い。 （もっと読む）

【課題】 配線基板において、半導体装置（ＩＣチップ）を半田実装させた際の実装パッド部の接続信頼性を向上させること。
【解決手段】絶縁基体２と、絶縁基体２上に形成された電極３と、電極３の表面に形成された第１のＮｉ層４と、第１のＮｉ層４上に形成されたＮｉ酸化物層５と、Ｎｉ酸化物層５上に形成され、Ｓｎを含む半田バンプが接合されるＡｕ層７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路基板の接続信頼性を確保できるフリップチップ実装用回路基板を提供する。
【解決手段】基板表面に配線パターン１と、フリップチップ実装用の接続パッド２と、接続パッド２上に開口部４が形成されたソルダレジスト３とを備えたフリップチップ実装用回路基板において、開口部４内に導電性を有する物質５を形成する。 （もっと読む）

【課題】実装構造体若しくはこれを備えた電気光学装置において、突起電極と導電体の導
電接続状態を改善することにより、導電接続部の抵抗を低減させるとともに安定させ、こ
れによって実装構造の電気的信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、突起電極１２１，１２２を備えた電子部品
１２０と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極に対して導電性粒子１
３２を介して導電接続された導電体１１７，１１８を前記基板１１１上に備えた電気光学
パネルと、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂１３１により接着されてなり、前記導電
体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌合する態様
で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温に耐えるハンダ流れ防止手段を用いて、熱電素子と基板との接合部を適正状態に形成することにより性能低下を防止できる熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 上下に下側基板１１と上側基板１２を配置し、下側基板１１の一端部側部分の上面に、下側基板１１の上面に形成された下部電極１３のうちの一端両側の下部電極１３から連続して延びるボンディング部１６を形成した。そして、下部電極１３とボンディング部１６とを、銅層１３ａ，１６ａの上に、ニッケル層１３ｂ，１６ｂおよび金層１３ｃ，１６ｃを積層して構成し、金層１３ｃ，１６ｃにおける下部電極１３とボンディング部１６との間の部分に隙間１７を設けた。また、金層１３ｃ，１６ｃの隙間１７の長さを１０μｍに設定した。さらに、下部電極１３の金層１３ｃを熱電素子１５の端面よりも大きくした。 （もっと読む）