【課題】シート状熱硬化性樹脂組成物を用いたアンダーフィル方式において、複数のウエハであっても、気泡の混入およびウエハ損傷をほとんど生じずに処理できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、（２）耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、（３）該ウエハをチップに切断する工程、および（４）該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造費用を節減することができる表示装置及びそれの製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル、駆動チップ及び非導電性の接着フィルムを含む。表示パネルは導電性のパッドが形成されたパッド部を含む。駆動チップは内部に駆動回路を具備する本体部、及び本体部から突出されパッドと面接触されるバンプを含む。非導電性の接着フィルムは駆動チップをパッド部に固定させる。非導電性の接着フィルムは熱によって硬化される熱硬化性樹脂からなり、１．０ＧＰａ〜６．０ＧＰａの弾性率を有する。従って、導電ボールを含まない非導電性の接着フィルムを通じて駆動チップと表示パネルとを結合することで、製造費用を節減し、品質不良を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置に関するものであり、外部から強い圧力が加わったり、繰り返し温度変化が加わっても、電気特性に不具合が生じることを防止するものである。
【解決手段】実装基板１３と弾性表面波素子１１を封止する封止樹脂２１を３層構造とし、最外層の樹脂よりも中間層の樹脂の弾性率が大きく、最外層の樹脂よりも最内層の樹脂の弾性率が小さい構造とすることにより、外部から圧力が加わった際のバンプの潰れを抑え、かつ温度変化によるバンプへの応力を低減している。 （もっと読む）

【課題】シールド構造を有しノイズ防止が可能で、かつ生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法及びその実装構造体を提供する。
【解決手段】シールド電極１６と電極端子１４とが配設された半導体素子１０と、外周側接続電極２６及び内部側接続電極２４が配設された配線基板２０と、はんだ粉３２、対流添加剤及びはんだ粉の熔融温度で流動性を有する樹脂３４を含む樹脂組成物３０とを準備する工程と、配線基板２０面上に樹脂組成物３０を塗布する工程と、半導体素子１０と配線基板２０とを位置合せして樹脂組成物３０表面に半導体素子１０を当接する工程と、少なくとも樹脂組成物３０を加熱してはんだ粉３２を熔融するとともに対流添加剤によりはんだ粉３２を自己集合させながら成長させて接続する工程と、樹脂３４を硬化させて半導体素子１０と配線基板２０との間にアンダーフィル樹脂を設ける工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ接合時の合わせズレを防ぐことができ、安定した接続を可能にする半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 パッド電極１を有する半導体基体２上に絶縁層３を形成する工程と、パッド電極１上の絶縁層３を選択的に除去して、絶縁層３にパッド電極１を露出させて凹部５を形成する工程とによって第１半導体チップ部６を作製し、第１半導体チップ部６の凹部５に第２半導体チップ部９のバンプ電極８を嵌入する工程と、バンプ電極８とパッド電極１とを接続して第１半導体チップ部６と第２半導体チップ部９とを接合する工程とを有する、半導体装置１０の製造方法、及びこの製造方法により得られる半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド上の金属突起と配線基板の配線パターンとの熱共晶による合金形成接続法において、接続信頼性が高く、ボイド発生不良や接続不良が発生しない半導体装置の製造方法とそれ用の接着剤を提供する。
【解決手段】電極パッド２上に金属突起３を有する半導体素子１と、電極パッドに相対する配線パターン５を有する配線基板４との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤６を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧７し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を硬化６′させて、半導体素子と配線基板とを固定する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、アミン硬化エポキシ組成物における収縮抑制剤としての、芳香族もしくはヘテロ芳香族部分に縮合した１つまたはそれ以上の６員ラクトンの使用、そのような組成物、ならびに、接着剤、封止剤および被覆剤における該組成物の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ等の基板に対して、ＢＧＡ等のバンプ付き半導体素子を、半田リフロー実装する場合に、半田材料の塗布不良が少なくなって、バンプ付き半導体素子の実装位置がずれることが少ない回路基板、バンプ付き半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】バンプ付き半導体素子を実装するための複数のパッドと、当該複数のパッドから引き出された複数の配線を含む回路基板、バンプ付き半導体素子の実装構造、及び電気光学装置、並びに電子機器において、回路基板が、複数のパッド４１３ａの縦方向のピッチと横方向のピッチとが異なる領域４３５を有し、複数の配線は、複数のパッドの縦方向または横方向のいずれかピッチが広い側から引き出されており、前記複数のパッドの縦方向のピッチと横方向のピッチとが異なる領域が、前記半導体素子の底面４３３の中央付近または周辺付近に対向する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿性の優れた回路接続用接着剤を提供する。本発明の回路接続用接着剤は、電極間の接続等を行う際に、良好な導電／絶縁性能及び接着性能を有すると共に、高温高湿条件下で長時間使用されても特性の変化が少なく、高い信頼性が要求される用途に使用することができる。
【解決手段】エポキシ樹脂、潜在性硬化剤、平均粒径が５００ｎｍ以下である無機フィラー、導電性粒子を必須成分とする回路接続用接着剤。平均粒径５００ｎｍ以下の無機フィラーを配合することによって熱膨張率を低減し、耐熱性、耐湿性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 接合時にバンプや半導体装置に過剰な力が作用するのを防ぐと共に、半導体装置と接合対象物間の安定したギャップ制御性にも優れた半導体装置の接合方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１のバンプ配置面１ａにおけるバンプ２の配置されていない部分と接合対象物４との間に、バンプ２の高さより大きい厚さの樹脂材３を介在させてバンプ２が接合対象物４に接触しない状態で接合対象物４に対して半導体装置１を押し込む工程と、この押し込み時に樹脂材３を介して半導体装置１が受ける反力を検出する工程と、樹脂材３及びバンプ２を加熱溶融させ、反力が検出された位置から所定量だけ半導体装置１を接合対象物４に近づけて溶融したバンプ２をランド５に接合させる工程と、樹脂材３を加熱硬化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染物質を含まず、装置に熱負荷が加わってもSAWチップの周波数特性がずれない高精度で且つ高信頼性な電子装置を開発すること。
【解決手段】 セラミック基板４の上面中央部に入出力電極５を形成するとともに上面外周部に全周にわたって環状金属層７を形成し、入出力電極５に電子回路素子１の下面中央部に形成した素子入出力電極２を接合材８を介してフリップチップ接合するとともに環状金属層７に電子回路素子１の下面外周部に形成した素子環状金属層３を封着材９を介して全周にわたって接合した電子装置であって、接合材８および封着材９を錫−銀合金を主成分とする半田もしくは錫−銀−銅を主成分とする半田に金、ニッケルおよびコバルトを含有させたもので構成した。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂に含まれるフィラーが半導体素子へクラックを生じさせないよう、半導体素子と回路基板の距離を一定以上保つことができる半導体素子の実装方法およびその装置を提供する。
【解決手段】半導体素子４の電極に形成されたスタッドバンプ５と回路基板１の配線２との間に熱硬化性樹脂３を介在させ、半導体素子４を反転させ、スタッドバンプ５と配線２との位置合わせを行った後、圧着ツール８を用いて半導体素子４の間にフッ素樹脂テープよりも弾性率の高い材料を用いた保護テープ７を挟み、熱圧着を行い半導体素子４と回路基板２を電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】バンプ付半導体素子がフェイスダウン構造で配線回路基板上に搭載された半導体装置をノーフロー方式で製造するための半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、（Ｃ）フラックス活性剤、および（Ｄ）最大粒子径が30μm以下かつ平均粒子径の標準偏差が5μm以下の粒子であり、下記一般式（１）：


（式中、X₁〜X₅は水素、Ｃ1〜9のアルキル基またはフッ素）で表される硬化促進剤を含有してなる半導体封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】薄型で信頼性の高いセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】センサーモジュールを、センサーチップと、このセンサーチップの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するように配設された保護材と、開口部内に前記保護材を挿入するように前記センサーチップをフリップチップ方式で実装した配線基板とを備えるものとし、センサーチップはアクティブ面の外側領域に複数の引き出し配線を介して電極パッドを有するものとし、保護材はセンサーチップのアクティブ面の外側領域であって電極パッドの内側領域にリブを介して配設されたものとし、配線基板は開口部の周縁部に配設された複数の回路端子電極と、これらの回路端子電極上に突設された導電性バンプを有するものとし、導電性バンプとセンサーチップの電極パッドとが接合された構成とした。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの狭ピッチ化に伴い金スタッドバンプの高さが減少しても、チップ−基板間へアンダーフィル樹脂を完全充填し、微小塵によるチップアクティブ面の損傷を防止できるフリップチップ接続方法を提供する。
【解決手段】 PO−SRmax-10≦Fmax≦PO-SRmaxかつPO-SRmax-15≦Fave≦PO-SRmax〔単位μｍ、Fmax：最大フィラー粒径、Fave：平均フィラー粒径、PO：チップパッド開口幅、SRmax：ソルダレジスト層最大厚さ〕を満たすフィラー粒子を含有するアンダーフィル樹脂を、基板上のフリップチップ接続予定位置に滴下して樹脂液丘とし、その上から半導体チップを押し付けて樹脂液丘を押し広げつつ、チップ−基板間に挟持したフィラー粒子をスペーサとしてチップ−基板間を所定間隔に保持し、アンダーフィル樹脂を硬化させ、チップスタッドバンプと基板はんだバンプを接合する。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ等の基板に対して、ＢＧＡ等のバンプ付き半導体素子を、半田リフロー実装する場合に、半田材料の塗布不良が少なくなって、バンプ付き半導体素子の実装位置がずれることが少ない回路基板、バンプ付き半導体素子の実装方法、およびそのような回路基板を使用した電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】バンプ付き半導体素子を実装するための複数のパッド４１３ａと、当該複数のパッドの各々から引き出される複数の配線４１１を含む回路基板において、回路基板には複数のパッドが配置されたブロック４３５が複数配置されており、複数のブロックは、各々縦方向のパッドのピッチと、横方向のパッドのピッチとが異なってなり、複数のブロック間には間隙が形成されており、複数の配線は、ブロック内の複数のパッドの縦方向または横方向のいずれかピッチが広い側から引き出され、或いは複数の配線の少なくとも一部は間隙から引き出される。 （もっと読む）

【課題】 速硬化性に優れているだけでなく、接合すべき部材間の接合の信頼性を高めることができ、塩素等の不純物による接合の信頼性の低下が生じ難い、エポキシ系硬化性組成物を提供する。
【解決手段】 エポキシ化合物と、該エポキシ化合物の硬化剤と、該硬化剤による硬化を促進する硬化促進剤とを含み、前記硬化促進剤として、マイクロカプセル型硬化促進剤とアミンアダクト型硬化促進剤との少なくとも一方の硬化促進剤と、イミダゾール系硬化促進剤とを含む、並びに電子部品素子２と、電子部品素子２が実装される基板４とを備え、基板４上に上記エポキシ系硬化性組成物からなる硬化物６を用いて該電子部品素子が接合されている、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】実装の高密度化、部品の小型化及び部品の配置間隔の狭ピッチ化等に対しても、十分な接合強度をもって対応でき、しかも部品間接合の熱的信頼性を向上させ得る封止材料、はんだ付け用フラックス及びはんだペーストを提供する。
【解決手段】封止材料は、接着性樹脂と、硬化剤と、無機粉末または有機粉末の少なくとも一種とを含有する。この封止材料を用いて、電子部品、半導体チップまたは電子回路モジュールを、部品搭載基板、チップ搭載基板またはマザー基板に接合する。同様のはんだ付けフラックス及びはんだペーストが提供される。 （もっと読む）

【課題】 接合部を保護する樹脂材の充填性を高め、且つ信頼性にも優れた半導体装置の接合方法及び接合構造を提供すること。
【解決手段】 バンプ２を半導体装置１に形成する工程と、バンプ２を覆うように第１の樹脂材３を半導体装置１のバンプ形成面１ａに形成した後、第１の樹脂材３を硬化させる工程と、バンプ２の先端部２ｂを第１の樹脂材３から露出させる工程と、露出された先端部２ｂを接合対象物１１に形成された導体部１２に押し当てた状態で溶融させて接合させる工程と、未硬化状態で先端部２ｂを覆った後、接合時に硬化されて第１の樹脂材３の厚さよりも小さい第１の樹脂材３と接合対象物１１の導体部形成面１１ａとの間の間隙を充填する第２の樹脂材４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】次世代ＬＳＩのフリップチップ実装に適用可能な、生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装体を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ２０を、金型１の凹部５に配設した後、回路基板１０上に、半導体チップ２０が配設された金型１を配置する。然る後、回路基板１０と金型１で形成される空間部６に、溶融したはんだ粉を含有した溶融樹脂１３を注入する注入した後、空間部６に充填された溶融樹脂１３を硬化させる。溶融樹脂１３の注入工程において、溶融はんだ粉が、回路基板１０の接続端子１１と半導体チップ２０の電極端子２１との間に自己集合することによって、接続端子１１と電極端子２１とを電気的に接続する接続体２２が形成される。 （もっと読む）