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Fターム[5F044RR17]の内容

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Fターム[5F044RR17]に分類される特許

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【課題】一面に可動部を有するセンサチップと回路チップとをバンプを介して電気的に接続するとともに、可動部を接着フィルムの中空部で保護してなる角速度センサ装置において、接着フィルムの貼り付け後において中空部の形状を適切に保持する。
【解決手段】一面に可動部10を有するセンサチップ100を、その一面を回路チップ200に対向させた状態でバンプ80を介して回路チップ200に重ねて電気的に接続するとともに、バンプ80によって両チップ100、200を離間させ、センサチップ100の一面に、電気絶縁性を有するフィルム状の接着フィルム400を貼り付け、この接着フィルム400のうち可動部10に対応する部位を、可動部10とは空隙を有して離れた中空部410として構成し、中空部410の内部の圧力を、中空部410の外部の圧力よりも高いものとている。 (もっと読む)


【課題】狭実装ピッチ、薄型半導体チップに対応した高信頼性を有する半導体パッケージを高歩留りで製造することが可能となるフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ1のパッド上に形成された半田バンプ2を樹脂フィラー3を介して回路基板6の接続パッド4にアライメント搭載し、半導体チップ1の上方から荷重を負荷した後(図1(b))、加熱を行い半田バンプ2を溶融して回路基板6の接続パッド4に接合するとともに、半田中に樹脂フィラー3を分散させる(図1(c))。 (もっと読む)


【課題】本発明は、平面視した状態で半導体チップと略同じ大きさであり、半導体チップが配線パターンにフリップチップ接続された半導体装置の製造方法に関し、工程数を削減して、製造コストの低減を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の内部接続端子12が設けられた側の複数の半導体チップ11と複数の内部接続端子12とを覆うように絶縁樹脂13を形成し、次いで、絶縁樹脂13上に配線パターンとなる金属層33を形成し、この金属層33を押圧して、金属層33と複数の内部接続端子12とを圧着させる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置と、基板との間を封止するアンダーフィル材料として使用する際に、接着面積を抑えても、硬化性と保存安定性とのバランスを維持しながら、接着方法と潜在性の活性基を有する化合物を用いることで、衝撃時の接続信頼性とリペア性とをバランスよく向上させることができる一液型エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】接着剤を充填する面積をコントロールし空洞部を設け、かつ加熱時に水酸基を発生する潜在性化合物あるいはポリマーを含有させる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板と回路基板との接合を確実に達成する。
【解決手段】一対の基板を構成する半導体基板と回路基板との各表面にそれぞれ形成された電極の間に絶縁材料が埋め込まれて、絶縁材料が接着性を発現する第1の温度にて、半導体基板が回路基板に対して傾けられ、仮固定されて、仮固定した複数の一対の基板が真空引きされて、仮固定した複数の一対の基板の表面に均等に圧力を加えて、一対の基板を接合し、圧力を維持するとともに、絶縁材料が硬化する第2の温度にて、接合された絶縁材料が硬化させられて、電極同士が固相拡散を発現もしくは電極同士が融解する第3の温度にて、接合された電極間に金属接合が形成されるようになる。 (もっと読む)


【課題】リペア性と耐衝撃性を両立させた電子部品実装構造体を提供する。
【解決手段】電子部品実装構造体1は、電子部品3と基板2との間に面配置された複数の半田ボール4を溶融させて電子部品3と基板2を接合させるとともに、電子部品3と基板2との隙間であって電子部品3の少なくとも四隅にあたる箇所に硬化後の引張伸びが5%〜40%である樹脂5を充填して補強している。補強面積が小さいので樹脂5の除去容易性、基板再利用性等のリペア性に優れるとともに、落下時の衝撃に対して樹脂5自体の伸びが許容され、破断することなく接合補強の役割を果たすことができ、耐衝撃性にも優れる。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置を配線基板に実装するに際して、電極同士のフリップチップ接合と、半導体装置と配線基板との樹脂封着を同時に一括して確実に行う。
【解決手段】 突出して並設された電極を有する下側基板1と上側基板2とが対向して該電極同士が接合される接合用基板100であって、該電極10、20は、柱状をなす金属製のバンプからなり、溝状隙間3を介して封止樹脂からなる樹脂層11、21に周りを取り囲まれているように接合用基板100を構成する。 (もっと読む)


【課題】順応性のあるインターフェースを提供する。
【解決手段】半導体チップの順応性インターフェースを形成する方法は、第1の面、第2の面、第2の面にある複数の端子140及び第1の支持構造体の第1の面にある多孔弾性層を有する第1の支持構造体100を提供する工程と、弾性の多孔層が第1の支持構造体と第2の支持構造体との間に配置されかつ第1の支持構造体を第2の支持構造体から隔てるように、第2の支持構造体120の第1の面を多孔層に当接させる工程と、第1の硬化性液体が第1の支持構造体と第2の支持構造体との間に配置されるように、当接工程の後に第1の硬化性液体を多孔層内に配置する工程と、複数の端子をプラテンと係合させることによって複数の端子を互いに略共面整合させる工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】駆動ICの四隅付近におけるバンプと接続端子との接続信頼性が悪化することを防止することができる画像表示モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の画像表示モジュール1の製造方法は、画像表示パネル2の製造工程(図1A)、ACF6の貼付工程(図1B、図1C)および駆動IC11の圧着工程(図1D)を備える。画像表示パネル2の接続端子4は矩形枠状もしくは並列に配置されており、その接続端子4群の四隅におけるACF6のバインダ層8の厚さを、その四隅以外の部分のバインダ層8の厚さよりも厚くする(図1C)。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において室温での可使時間が長く、短時間で硬化し、ボイドレスで悦塩信頼性を備えた硬化樹脂層5を形成することができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び硬化剤を含有すると共に室温で液状であるエポキシ樹脂組成物1に関する。硬化剤として、イミダゾール骨格を有する化合物を核とすると共にこの核の周囲を熱硬化性樹脂による被膜で被覆して得られた微細球粒子、又はアミンアダクト粒子の少なくとも一方を含有し、且つ前記微細球粒子とアミンアダクト粒子との総量がエポキシ樹脂に対して7〜55質量%の範囲である。 (もっと読む)


【課題】チップの背面側についても損傷を防止する。
【解決手段】機能素子12を有する素子基板10の一方の面10a側に外部接続用端子30が設けられる。素子基板10の他方の面10b側に、デバイスを他の基板に実装する際の加熱によって溶融することで外部接続用端子30の周辺を封止するための封止材7が硬化状態で設けられる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の製造工程、特に半導体素子の裏面研磨工程で生じる外的応力を緩和し、回路を構成する層間絶縁膜へのダメージを軽減できるバンプ構造を備えた半導体素子及びその製造方法、並びにこの半導体素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線層(図示せず)が形成された半導体基板1上には、電極2及びこの電極2上に開口部を有するカバーコート膜3が順次形成されている。電極2上には、第1の密着層4を介して、その表面に平坦部が形成された導電性樹脂からなる導電性樹脂層5が形成されている。更に、導電性樹脂層5の平坦部上には、第2の密着層6を介して、例えば銅(Cu)からなる柱状バンプ7が形成されている。 (もっと読む)


【課題】バンプ電極による接合部をもつ電子装置のバンプ電極の劣化を防止し、信頼性を向上させる電子装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】低融点の金属単体によって形成され、第1の部品10と第2の部品20とを接合するバンプ電極30と、バンプ電極30の少なくとも側面に形成され、バンプ電極の特性を劣化させる物質の透過を防止する保護層40とを有する。保護層40は、バンプ電極30が露出しないように、バンプ電極30の側面、パッド電極15の一部に形成されている。バンプ電極30はIn金属単体で形成され、保護層40は、高融点の金属、例えば、貴金属で形成されている。第1の部品10と第2の部品20との間隙にはアンダーフィル材35が充填されている。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜の破壊と鉛フリー半田からなるバンプの破壊を両方とも防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】低誘電率膜を含む半導体チップと、鉛フリー半田からなるバンプとを有する半導体パッケージと、半導体パッケージがバンプを介してフリップチップ接合された配線基板と、半導体パッケージと配線基板の間に充填されたアンダーフィル樹脂とを備え、アンダーフィル樹脂は、ガラス転移温度が125℃以上であり、かつ125℃での熱膨張係数が40ppm/℃未満であり、かつ25℃での弾性率が9GPa未満である。 (もっと読む)


【課題】 リフロー時の半導体装置と配線基板との収縮差によって生じる応力を緩和して、バンプに生じるクラック等の不具合を防止する
【解決手段】 半導体装置2がバンプ3を介して配線基板5上にフリップチップ実装されている回路装置1であって、前記バンプ3は、半田酸化膜除去作用を有する第一の熱硬化性樹脂4で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】基板上に素子を実装する場合に、基板上の配線と素子とを確実に電気的に接続することができ、しかもバンプのさらなる微細化、多ピン接続が可能な実装構造体および実装方法を提供する。
【解決手段】配線基板10の配線12上に弾性体からなる凸部13の少なくとも先端部の表面が導電膜14で被覆された構造の突起部15を少なくとも一つ形成する。素子20上にバンプ22を形成する。配線基板10上に接着剤30を塗布し、この接着剤30に素子20を仮実装する。素子20を配線基板10に対して加圧することにより、配線基板10上の突起部15の少なくとも先端部を素子20のバンプ22に埋没させる。その後、接着剤30を硬化させ、素子20と配線基板10とを接着固定する。 (もっと読む)


【課題】COF型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】下部絶縁層10と、下部絶縁層10上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリード12と、リード12の終端を除いてリード12を被覆する表面絶縁層14と、リード12の終端上に接着されるチップ18と、チップ18とリード12との間の空間を埋め込むアンダーフィル層16と、下部絶縁層10の下部面上に付着された下部放熱パッド20と、を備え、チップ18を覆う上部放熱パッドをさらに備え、放熱パッド上には補強部材がさらに備えられるCOF型半導体パッケージである。 (もっと読む)


【課題】低粘度、高粘度に拘らずBGAなどの実装領域からはみ出して外部にアンダーフィルが流出することを防止し、確実なバンプ電極の接続を確保する電子部品装置を提供する。
【解決手段】エリアアレイ9と、エリアアレイを載置する絶縁基板と、絶縁基板上の所定位置に配設した複数の導体ランド2と、導体ランドに対応して設置された複数のエリアアレイのバンプ電極8と、バンプ電極と導体ランドとを電気接続する電気接続手段6と、絶縁基板とエリアアレイとに挟まれた絶縁基板上に設けられ、電気接続手段の領域に貫通穴を有し、エリアアレイの搭載領域外側に屈曲部7aを設けた非導電シート7と、この非導電シートとエリアアレイとの隙間に注入され、非導電シートの貫通穴に充填されると共に非導電シートの屈曲部で堰きとめられるアンダーフィル10とを備えた電子部品装置。 (もっと読む)


スマートポリマー複合体の集積回路パッケージングへの適用。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと回路チップとの間に樹脂フィルムを設けて半導体チップおよび回路チップを一体化する際、軟化・膨張した樹脂フィルムが半導体チップのセンシング部に付着することを防止する。
【解決手段】半導体チップ10に形成される保護膜16の表面に撥水処理を施すことにより、樹脂フィルム30(特に、第1樹脂フィルム)の濡れ性が低くなるようにし、樹脂フィルム30が軟化・膨張したときの濡れ広がりが抑制できるようにする。これにより、バンプ15、23を介して半導体チップ10および回路チップ20を接合することでフリップチップ実装を行うセンサ装置100において、半導体チップ10と回路チップ20との間に樹脂フィルム30を設けて半導体チップ10および回路チップ20を一体化する際、軟化・膨張した樹脂フィルム30が半導体チップ10の振動体12に付着することを防止することが可能となる。 (もっと読む)


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