ＣＯＦ型半導体パッケージ
【課題】ＣＯＦ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】下部絶縁層１０と、下部絶縁層１０上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリード１２と、リード１２の終端を除いてリード１２を被覆する表面絶縁層１４と、リード１２の終端上に接着されるチップ１８と、チップ１８とリード１２との間の空間を埋め込むアンダーフィル層１６と、下部絶縁層１０の下部面上に付着された下部放熱パッド２０と、を備え、チップ１８を覆う上部放熱パッドをさらに備え、放熱パッド上には補強部材がさらに備えられるＣＯＦ型半導体パッケージである。
【解決手段】下部絶縁層１０と、下部絶縁層１０上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリード１２と、リード１２の終端を除いてリード１２を被覆する表面絶縁層１４と、リード１２の終端上に接着されるチップ１８と、チップ１８とリード１２との間の空間を埋め込むアンダーフィル層１６と、下部絶縁層１０の下部面上に付着された下部放熱パッド２０と、を備え、チップ１８を覆う上部放熱パッドをさらに備え、放熱パッド上には補強部材がさらに備えられるＣＯＦ型半導体パッケージである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに係り、特にチップがフィルム上に付着されたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）が市場領域を拡大するために低価格化、大型化及び高性能化を推進してきた。微小領域では多くのピクセルが位置を占めねばならないため、ＬＣＤ内で個々のピクセルを制御する駆動チップのリードピッチが次第に微細化されつつパッケージング方法も多様に開発されてきた。
【０００３】
ＬＣＤ分野で主に使われるパッケージング方法は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ ＣｉｒｃｕｉｔまたはＣｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）などがある。ＴＣＰ技術は、１９８０年代末高解像度モニターの大量生産のために導入され、以後ＬＣＤ市場で最も好まれるパッケージング方法であったが、微細ピッチ化による定価低減及び収率向上を図るために、１９９０年代末からＣＯＦ技術がパッケージ市場で占める比率が次第に増加した。
【０００４】
ＣＯＦ技術は、通信機器の軽薄短小化の趨勢と共に、ＬＣＤドライバーＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）でこれに対応するために開発された新たな形態のパッケージである。ＣＯＦ技術では、高解像度を有するディスプレイ装置を実現するために、ＴＶ及びモニターの駆動周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに増加しつつドライバーＩＣの駆動負荷が上昇し、これによりＩＣの発熱問題が深刻に叫ばれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、放熱効果が向上したＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、放熱効果が向上すると共に放熱部材を安定に維持できるＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
【０００６】
本発明が解決しようとするさらに他の課題は、放熱効果が向上すると共に放熱部材の接着力を向上させるＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
本発明が解決しようとするさらに他の課題は、放熱効果が向上すると共に放熱部材の画像認識を効果的に向上させるＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態によるＣＯＦ型半導体パッケージは、下部絶縁層と、前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、前記リードの終端上に接着されるチップと、前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、前記下部絶縁層の下部面上に付着された下部放熱パッドと、を備える。
前記下部放熱パッドは、前記下部絶縁層より伝導性の高い物質、例えばアルミニウムを含む金属類である。
【０００８】
また、前記下部放熱パッドは、ワインディング／アンワインディング時にエッジ部分に集中する荷重を分散させるために、エッジ部分が面取りされるか、またはラウンド処理された方形にする。また、前記放熱パッドが反る部分に形成される時に外部ストレスなどを緩和できるように、前記下部放熱パッドは、内部にスリットが形成されるか、または外辺に開放されたスリットが形成される。
【０００９】
一方、前記下部放熱パッドは、伝導性粒子を含む接着剤により前記下部絶縁層に付着され、前記接着剤に含まれた前記伝導性粒子としては、金属パーティクルまたは金属ボールを使用できる。
一方、接着力向上のために、前記下部放熱パッド上に下部補強部材がさらに接着されることが望ましく、前記下部補強部材の一部が前記下部放熱パッドを覆って前記下部絶縁層の下部面上に延びて接着される形態でありうる。前記下部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなり、画像認識を容易にするために、前記下部補強部材は、不透明物質または有色物質からなることが望ましい。前記下部補強部材は、伝導性粒子が含まれた接着剤により前記下部放熱パッドまたは前記下部絶縁層上に接着される。
【００１０】
前記課題を解決するための本発明の第２形態によるＣＯＦ型半導体パッケージは、下部絶縁層と、前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、前記リードの終端上に接着されるチップと、前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、前記チップを覆って前記表面絶縁層上に付着された上部放熱パッドと、を備える。
【００１１】
前記上部放熱パッドは、前記チップの上部エッジ部分に接触する部分が打ち抜かれたものであり、前記打ち抜かれた部分は、例えば線形または円形である。また、前記上部放熱パッドは、エッジ部分が面取りされるか、またはラウンド処理された方形である。一方、前記上部放熱パッドは、伝導性粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及びチップ上に付着され、前記接着剤に含まれた前記伝導性粒子としては、金属パーティクルまたは金属ボールを使用できる。
【００１２】
一方、前記上部放熱パッド上には、接着力向上のために、上部補強部材がさらに接着されることが望ましい。前記上部補強部材の一部は、前記上部放熱パッドを覆って前記表面絶縁層の上部面上に延びて接着され、前記上部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなる。画像認識を向上させるために、前記上部補強部材は、不透明物質または有色物質で形成される。前記上部補強部材は、伝導性粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及び前記上部放熱パッド上に接着される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によるＣＯＦ型半導体パッケージは、チップで発生する熱が外部に効果的に放熱され、本発明によって多様な形状に構成された下部放熱パッド及び上部放熱パッドが剥離または損傷なしに安定的に付着される。また、補強部材を付着することによって、放熱パッドの接着力が向上し、補強部材を不透明または有色物質で製作することによって画像認識が容易になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもある。ここで紹介される実施形態は、開示された内容を完全にするように、当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは、明確性のために誇張されたものである。明細書の全体にわたって、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態によって下部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図３ないし図５は、本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
図１に示すように、ＣＯＦ型半導体パッケージにおいて、柔軟性を有するフィルム１１上に半導体集積回路が具現されたチップ１８が接着剤（図示せず）により付着されている。フィルム１１は、互いに積層されて付着された下部絶縁層１０、リード１２及び表面絶縁層１４を備える。前記下部絶縁層１０は、例えばポリイミドで構成され、リード１２は、例えば銅で構成され、前記表面絶縁層１４は、例えばＳＲ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅｓｉｓｔ）層で構成される。平面的に見れば、前記下部絶縁層１０上で複数個のリード１２が互いに分離されるように配置され、リード１２の内部終端が中央に集中するように配置される。表面絶縁層１４は、前記各リード１２の内部終端の一部を露出させつつ前記各リード１２を被覆している。
【００１６】
終端の一部が露出されたリード１２の上部面上には、チップ１８が付着され、チップ１８が付着された周辺には、アンダーフィル層１６が埋め込まれてチップをフィルム１１上に安定に固定する。
一方、前記下部絶縁層１０の下部面上には、下部放熱パッド２０が接着剤２１により固定される。下部放熱パッド２０は、チップ１８の動作により発生する熱がアンダーフィル層１６及びリード１２を通じて下側方向に伝達された後で外側に放熱するためのものであって、望ましくは、伝導性が下部絶縁層１０より高い多様な物質、例えばアルミニウムなどの金属類で構成される。一方、放熱特性を改善するために、前記下部放熱パッド２０は、伝導性粒子（図示せず）が含まれた接着剤２１、例えばアクリル系接着剤により前記下部絶縁層１０に付着され、前記接着剤２１に含まれた前記伝導性粒子としては、小さい金属パーティクルまたは金属ボール、例えばアルミニウムパーティクルまたはボールを使用できる。
【００１７】
下部放熱パッド２０の形状は、例えば図３に示すように方形に構成できる。一方、前記下部放熱パッド２０が付着されたＣＯＦ型半導体パッケージは、長手方向に沿って長く複数個が反復的に形成され、ユーザーのためにリール形態にワインディング／アンワインディングを反復する。このとき、図１の“Ａ”部分のようなエッジ部分で集中的に作用する摩擦力などの外部荷重（矢印方向に作用）により下部放熱パッド２０がフィルム１１の下部絶縁層１０から分離されることもある。
【００１８】
かかる問題を防止するために、エッジ部分に集中する荷重を分散させることができる。例えば、図４に示すように、四角形の下部放熱パッド３０の各エッジ部分を面取りして除去する（Ｃｈａｍｆｅｒ ｔｙｐｅ）。したがって、ＣＯＦ型半導体パッケージがリール形態にワインディング／アンワインディングを反復しても、エッジ部分で作用した摩擦力などが矢印で表示されたように分散されて、下部放熱パッド３０が下部絶縁層１０上に安定して固定される。
【００１９】
他の例として、図５に示すように、四角形の下部放熱パッド４０の各エッジ部分をラウンド処理して除去できる（Ｒｏｕｎｄ ｔｙｐｅ）。したがって、ＣＯＦ型半導体パッケージがリール形態にワインディング／アンワインディングを反復しても、エッジ部分で作用した摩擦力などが矢印で表示されたように分散されて、下部放熱パッド４０が下部絶縁層１０上に安定して固定される。
【００２０】
図２は、本発明の他の実施形態によって上部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図６Ａないし図８Ｂは、本発明の他の実施形態による色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
図２に示すように、図１と同様にＣＯＦ型半導体パッケージにおいて、柔軟性を有するフィルム１１上に半導体集積回路が具現されたチップ１８が接着剤（図示せず）により付着されている。フィルム１１は、互いに積層されて付着された下部絶縁層１０、リード１２及び表面絶縁層１４を備える。前記下部絶縁層１０は、例えばポリイミドで構成され、リード１２は、例えば銅で構成され、前記表面絶縁層１４は、例えばＳＲ層で構成される。終端の一部が露出されたリード１２の上部面上には、チップ１８が固定され、チップ１８が固定された周辺には、アンダーフィル層１６が埋め込まれてチップをフィルム１１上に安定に固定する。アンダーフィル層１６には、例えば異方伝導性フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）や非伝導性ペースト（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）などが使われうる。
【００２１】
一方、前記チップ１８を覆いつつ、チップ１８及び表面絶縁層１４の上部面上には、上部放熱パッド２２が接着剤２３により固定される。上部放熱パッド２２は、チップ１８の動作により発生する熱がチップと直接接触する上部放熱パッド２２を通じて外部に効果的に放熱するためのものであり、望ましくは、図１のように伝導性が下部絶縁層１０より高い多様な物質、例えばアルミニウムなどの金属類で構成される。一方、図１の放熱特性を改善するために、前記上部放熱パッド２２は、伝導性粒子（図示せず）が含まれた接着剤２３により前記表面絶縁層１４及びチップ１８上に固定され、前記接着剤２３に含まれた前記伝導性粒子としては、金属パーティクルまたは金属ボールを使用できる。
【００２２】
上部放熱パッド２２の形状は、例えば図３に示すように方形に構成できる。一方、前記上部放熱パッド２２は、チップ１８上に付着される時にチップ１８の各エッジ部分（図２の“Ｂ”部分）に荷重が集中するため、長手方向に沿って複数個が反復して形成されたＣＯＦ型半導体パッケージがユーザーのためにリール形態にワインディング／アンワインディングを反復すれば、それらのエッジ部分で上部放熱パッド２２が安定して固定されずに裂けるなどの問題が発生する。
【００２３】
かかる問題を防止するために、エッジ部分に集中される荷重を緩和または分散させる。例えば、図６Ａに示すように四角形の上部放熱パッド５０の内部に直角形態の線形打抜部５２を形成したり、図６Ｂに示すように円形打抜部５４を形成して荷重の集中を緩和する。
他の例として、図７Ａに示すようにエッジが面取りされた四角形の上部放熱パッド６０の内部に直角形態の線形打抜部６２を形成したり、図７Ｂに示すように円形打抜部６４を形成して荷重の集中を緩和する。
【００２４】
さらに他の例として、図８Ａに示すようにエッジがラウンド処理された四角形の上部放熱パッド７０の内部に直角形態の線形打抜部７２を形成したり、図８Ｂに示すように円形打抜部７４を形成して荷重の集中を緩和する。
図９Ａ及び図９Ｂは、本発明の他の実施形態による下部放熱パッドを示す概略図であり、図１０は、図９Ａの下部放熱パッドが適用されたＣＯＦ型半導体パッケージがパネル基板に固定された形態を示す概略図である。
【００２５】
図９Ａ及び図１０に示すように、本発明によるＣＯＦ型半導体パッケージをＬＣＤパネル基板２６に適用した。ＣＯＦ型半導体パッケージは、パネル基板２６の辺に沿って“Ｃ”部分のように曲がって固定され、パネル基板２６の全面にＡＣＦなどの接着部材２４により付着される。パネル基板２６の背面には図示していないが、印刷回路基板（ＰＣＢ）が付着され、ＣＯＦ型半導体パッケージの他の部分がこの印刷回路基板と電気的に連結可能に一部分が曲がって固定される。
【００２６】
図１０で“Ｃ”部分のように曲がる塑性変形部はやはり荷重が集中される部分であるため、接着剤８１により下部放熱パッド８０が下部絶縁層１０から剥離するおそれがある。かかる問題を防止するために、図９Ａに示すように曲がった部分には、複数個のスリット８２を形成できる。図９Ｂは、スリット９２が下部放熱パッド９０の内部に形成されず、外辺に開放された形態に構成したことを示す。前記接着剤８１は、前述したように金属パーティクルまたは金属ボールと伝導性粒子とが含まれることによって放熱効果特性が改善されうる。
【００２７】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージを示す断面図であって、図１の下部放熱パッド２０上に下部補強部材１２０が他の接着剤１２１により接着されたことを示す。図１と同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
図１１に示すように、前記下部放熱パッド２０が接着剤２１により前記下部絶縁層１０の下部面上に固定されるが、下部絶縁層１０に対する前記下部放熱パッド２０の接着力を向上させるために、前記下部放熱パッド２０上に他の接着剤１２１を利用して前記下部補強部材１２０をさらに接着する。
【００２８】
前記下部補強部材１２０は、接着力向上のためにその一部が前記下部放熱パッド２０の幅より広く構成されて、前記下部絶縁層１０の下部面に延びて前記下部絶縁層１０の下部面上にも接着される。前記下部補強部材１２０は、軟性フィルム、例えばポリイミド系の軟性フィルムで構成できる。前記他の接着剤１２１は、前記下部絶縁層１０と前記下部放熱パッド２０との間を接着する接着剤２１と同じ接着剤を使用できる。前記他の接着剤１２１は、例えばアクリル系接着剤であり、前記他の接着剤１２１には、小さい金属パーティクルまたは金属ボール、例えばアルミニウムパーティクルまたはボールなどの伝導性粒子を含む。
一方、前記下部補強部材１２０は、画像認識、すなわちＯＬＢ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程認識率の向上のために光の反射を低下させる不透明な物質または有色物質からなることが望ましい。
【００２９】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージを示す断面図であって、図２の上部放熱パッド２２上に上部補強部材１２２が他の接着剤１２３により接着されたことを示す。図２と同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
図１２に示すように、前記上部放熱パッド１２２が接着剤１２３により前記表面絶縁層１４の上部面上に付着されるが、表面絶縁層４０に対する前記上部放熱パッド２２の接着力を向上させるために、前記上部放熱パッド２２上に他の接着剤１２３を利用して前記上部補強部材１２２をさらに接着する。
【００３０】
前記上部補強部材１２２は、接着力向上のためにその一部が前記上部放熱パッド２２の幅より広く構成され、前記表面絶縁層１４の上部面上にも接着される。前記上部補強部材１２２は、軟性フィルム、例えばポリイミド系のフィルムで構成できる。前記他の接着剤１２３は、前記表面絶縁層１４と前記上部放熱パッド２２との間を接着する接着剤２３と同じ接着剤を使用できる。前記他の接着剤１２３は、例えばアクリル系接着剤であり、前記接着剤１２３は、小さい金属パーティクルまたは金属ボール、例えばアルミニウムパーティクルまたはボールなどの伝導性粒子を含みうる。
【００３１】
一方、前記上部補強部材１２０は、画像認識、すなわちＯＬＢ工程認識率の向上のために光の反射を低下させる不透明な物質または有色物質からなることが望ましい。
以上、本発明を色々な実施形態を挙げて説明したが、本発明は、前記した実施形態に限定されず、当業者により多くの変形が可能であることはいうまでもない。例えば、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージでは、前述した下部放熱パッドと上部放熱パッドとを同時に形成でき、放熱パッドの内部に形成される打抜部やスリットの形態も多様に構成できることはいうまでもない。また、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージでは、下部放熱パッドと上部放熱パッドとを同時に形成する場合に、下部補強部材または上部補強部材を一つまたは両側にいずれも形成できることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、半導体パッケージ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態によって下部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態によって上部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
【図４】本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
【図５】本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
【図６Ａ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図６Ｂ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による下部放熱パッドを示す概略図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による下部放熱パッドを示す概略図である。
【図１０】図９Ａの下部放熱パッドが適用されたＣＯＦ型半導体パッケージがパネル基板に付着された形態を示す概略図である。
【図１１】図１の下部放熱パッドに下部補強部材が付加されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図１２】図２の上部放熱パッドに上部補強部材が付加されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０：下部絶縁層、１１：フィルム、１２：リード、１４：表面絶縁層、１６：アンダーフィル層、１８：チップ、２０，３０，４０，８０，９０：下部放熱パッド、２２，５０，６０，７０：上部放熱パッド、２４：接着部材、２６：パネル基板、２１，２３，８１，１２１，１２３：接着剤、１２０：下部補強部材、１２２：上部補強部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに係り、特にチップがフィルム上に付着されたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）型半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）が市場領域を拡大するために低価格化、大型化及び高性能化を推進してきた。微小領域では多くのピクセルが位置を占めねばならないため、ＬＣＤ内で個々のピクセルを制御する駆動チップのリードピッチが次第に微細化されつつパッケージング方法も多様に開発されてきた。
【０００３】
ＬＣＤ分野で主に使われるパッケージング方法は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ ＣｉｒｃｕｉｔまたはＣｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）などがある。ＴＣＰ技術は、１９８０年代末高解像度モニターの大量生産のために導入され、以後ＬＣＤ市場で最も好まれるパッケージング方法であったが、微細ピッチ化による定価低減及び収率向上を図るために、１９９０年代末からＣＯＦ技術がパッケージ市場で占める比率が次第に増加した。
【０００４】
ＣＯＦ技術は、通信機器の軽薄短小化の趨勢と共に、ＬＣＤドライバーＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）でこれに対応するために開発された新たな形態のパッケージである。ＣＯＦ技術では、高解像度を有するディスプレイ装置を実現するために、ＴＶ及びモニターの駆動周波数が６０Ｈｚから１２０Ｈｚに増加しつつドライバーＩＣの駆動負荷が上昇し、これによりＩＣの発熱問題が深刻に叫ばれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、放熱効果が向上したＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、放熱効果が向上すると共に放熱部材を安定に維持できるＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
【０００６】
本発明が解決しようとするさらに他の課題は、放熱効果が向上すると共に放熱部材の接着力を向上させるＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
本発明が解決しようとするさらに他の課題は、放熱効果が向上すると共に放熱部材の画像認識を効果的に向上させるＣＯＦ型半導体パッケージを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態によるＣＯＦ型半導体パッケージは、下部絶縁層と、前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、前記リードの終端上に接着されるチップと、前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、前記下部絶縁層の下部面上に付着された下部放熱パッドと、を備える。
前記下部放熱パッドは、前記下部絶縁層より伝導性の高い物質、例えばアルミニウムを含む金属類である。
【０００８】
また、前記下部放熱パッドは、ワインディング／アンワインディング時にエッジ部分に集中する荷重を分散させるために、エッジ部分が面取りされるか、またはラウンド処理された方形にする。また、前記放熱パッドが反る部分に形成される時に外部ストレスなどを緩和できるように、前記下部放熱パッドは、内部にスリットが形成されるか、または外辺に開放されたスリットが形成される。
【０００９】
一方、前記下部放熱パッドは、伝導性粒子を含む接着剤により前記下部絶縁層に付着され、前記接着剤に含まれた前記伝導性粒子としては、金属パーティクルまたは金属ボールを使用できる。
一方、接着力向上のために、前記下部放熱パッド上に下部補強部材がさらに接着されることが望ましく、前記下部補強部材の一部が前記下部放熱パッドを覆って前記下部絶縁層の下部面上に延びて接着される形態でありうる。前記下部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなり、画像認識を容易にするために、前記下部補強部材は、不透明物質または有色物質からなることが望ましい。前記下部補強部材は、伝導性粒子が含まれた接着剤により前記下部放熱パッドまたは前記下部絶縁層上に接着される。
【００１０】
前記課題を解決するための本発明の第２形態によるＣＯＦ型半導体パッケージは、下部絶縁層と、前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、前記リードの終端上に接着されるチップと、前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、前記チップを覆って前記表面絶縁層上に付着された上部放熱パッドと、を備える。
【００１１】
前記上部放熱パッドは、前記チップの上部エッジ部分に接触する部分が打ち抜かれたものであり、前記打ち抜かれた部分は、例えば線形または円形である。また、前記上部放熱パッドは、エッジ部分が面取りされるか、またはラウンド処理された方形である。一方、前記上部放熱パッドは、伝導性粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及びチップ上に付着され、前記接着剤に含まれた前記伝導性粒子としては、金属パーティクルまたは金属ボールを使用できる。
【００１２】
一方、前記上部放熱パッド上には、接着力向上のために、上部補強部材がさらに接着されることが望ましい。前記上部補強部材の一部は、前記上部放熱パッドを覆って前記表面絶縁層の上部面上に延びて接着され、前記上部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなる。画像認識を向上させるために、前記上部補強部材は、不透明物質または有色物質で形成される。前記上部補強部材は、伝導性粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及び前記上部放熱パッド上に接着される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によるＣＯＦ型半導体パッケージは、チップで発生する熱が外部に効果的に放熱され、本発明によって多様な形状に構成された下部放熱パッド及び上部放熱パッドが剥離または損傷なしに安定的に付着される。また、補強部材を付着することによって、放熱パッドの接着力が向上し、補強部材を不透明または有色物質で製作することによって画像認識が容易になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもある。ここで紹介される実施形態は、開示された内容を完全にするように、当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは、明確性のために誇張されたものである。明細書の全体にわたって、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態によって下部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図３ないし図５は、本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
図１に示すように、ＣＯＦ型半導体パッケージにおいて、柔軟性を有するフィルム１１上に半導体集積回路が具現されたチップ１８が接着剤（図示せず）により付着されている。フィルム１１は、互いに積層されて付着された下部絶縁層１０、リード１２及び表面絶縁層１４を備える。前記下部絶縁層１０は、例えばポリイミドで構成され、リード１２は、例えば銅で構成され、前記表面絶縁層１４は、例えばＳＲ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅｓｉｓｔ）層で構成される。平面的に見れば、前記下部絶縁層１０上で複数個のリード１２が互いに分離されるように配置され、リード１２の内部終端が中央に集中するように配置される。表面絶縁層１４は、前記各リード１２の内部終端の一部を露出させつつ前記各リード１２を被覆している。
【００１６】
終端の一部が露出されたリード１２の上部面上には、チップ１８が付着され、チップ１８が付着された周辺には、アンダーフィル層１６が埋め込まれてチップをフィルム１１上に安定に固定する。
一方、前記下部絶縁層１０の下部面上には、下部放熱パッド２０が接着剤２１により固定される。下部放熱パッド２０は、チップ１８の動作により発生する熱がアンダーフィル層１６及びリード１２を通じて下側方向に伝達された後で外側に放熱するためのものであって、望ましくは、伝導性が下部絶縁層１０より高い多様な物質、例えばアルミニウムなどの金属類で構成される。一方、放熱特性を改善するために、前記下部放熱パッド２０は、伝導性粒子（図示せず）が含まれた接着剤２１、例えばアクリル系接着剤により前記下部絶縁層１０に付着され、前記接着剤２１に含まれた前記伝導性粒子としては、小さい金属パーティクルまたは金属ボール、例えばアルミニウムパーティクルまたはボールを使用できる。
【００１７】
下部放熱パッド２０の形状は、例えば図３に示すように方形に構成できる。一方、前記下部放熱パッド２０が付着されたＣＯＦ型半導体パッケージは、長手方向に沿って長く複数個が反復的に形成され、ユーザーのためにリール形態にワインディング／アンワインディングを反復する。このとき、図１の“Ａ”部分のようなエッジ部分で集中的に作用する摩擦力などの外部荷重（矢印方向に作用）により下部放熱パッド２０がフィルム１１の下部絶縁層１０から分離されることもある。
【００１８】
かかる問題を防止するために、エッジ部分に集中する荷重を分散させることができる。例えば、図４に示すように、四角形の下部放熱パッド３０の各エッジ部分を面取りして除去する（Ｃｈａｍｆｅｒ ｔｙｐｅ）。したがって、ＣＯＦ型半導体パッケージがリール形態にワインディング／アンワインディングを反復しても、エッジ部分で作用した摩擦力などが矢印で表示されたように分散されて、下部放熱パッド３０が下部絶縁層１０上に安定して固定される。
【００１９】
他の例として、図５に示すように、四角形の下部放熱パッド４０の各エッジ部分をラウンド処理して除去できる（Ｒｏｕｎｄ ｔｙｐｅ）。したがって、ＣＯＦ型半導体パッケージがリール形態にワインディング／アンワインディングを反復しても、エッジ部分で作用した摩擦力などが矢印で表示されたように分散されて、下部放熱パッド４０が下部絶縁層１０上に安定して固定される。
【００２０】
図２は、本発明の他の実施形態によって上部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図であり、図６Ａないし図８Ｂは、本発明の他の実施形態による色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
図２に示すように、図１と同様にＣＯＦ型半導体パッケージにおいて、柔軟性を有するフィルム１１上に半導体集積回路が具現されたチップ１８が接着剤（図示せず）により付着されている。フィルム１１は、互いに積層されて付着された下部絶縁層１０、リード１２及び表面絶縁層１４を備える。前記下部絶縁層１０は、例えばポリイミドで構成され、リード１２は、例えば銅で構成され、前記表面絶縁層１４は、例えばＳＲ層で構成される。終端の一部が露出されたリード１２の上部面上には、チップ１８が固定され、チップ１８が固定された周辺には、アンダーフィル層１６が埋め込まれてチップをフィルム１１上に安定に固定する。アンダーフィル層１６には、例えば異方伝導性フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）や非伝導性ペースト（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：ＮＣＰ）などが使われうる。
【００２１】
一方、前記チップ１８を覆いつつ、チップ１８及び表面絶縁層１４の上部面上には、上部放熱パッド２２が接着剤２３により固定される。上部放熱パッド２２は、チップ１８の動作により発生する熱がチップと直接接触する上部放熱パッド２２を通じて外部に効果的に放熱するためのものであり、望ましくは、図１のように伝導性が下部絶縁層１０より高い多様な物質、例えばアルミニウムなどの金属類で構成される。一方、図１の放熱特性を改善するために、前記上部放熱パッド２２は、伝導性粒子（図示せず）が含まれた接着剤２３により前記表面絶縁層１４及びチップ１８上に固定され、前記接着剤２３に含まれた前記伝導性粒子としては、金属パーティクルまたは金属ボールを使用できる。
【００２２】
上部放熱パッド２２の形状は、例えば図３に示すように方形に構成できる。一方、前記上部放熱パッド２２は、チップ１８上に付着される時にチップ１８の各エッジ部分（図２の“Ｂ”部分）に荷重が集中するため、長手方向に沿って複数個が反復して形成されたＣＯＦ型半導体パッケージがユーザーのためにリール形態にワインディング／アンワインディングを反復すれば、それらのエッジ部分で上部放熱パッド２２が安定して固定されずに裂けるなどの問題が発生する。
【００２３】
かかる問題を防止するために、エッジ部分に集中される荷重を緩和または分散させる。例えば、図６Ａに示すように四角形の上部放熱パッド５０の内部に直角形態の線形打抜部５２を形成したり、図６Ｂに示すように円形打抜部５４を形成して荷重の集中を緩和する。
他の例として、図７Ａに示すようにエッジが面取りされた四角形の上部放熱パッド６０の内部に直角形態の線形打抜部６２を形成したり、図７Ｂに示すように円形打抜部６４を形成して荷重の集中を緩和する。
【００２４】
さらに他の例として、図８Ａに示すようにエッジがラウンド処理された四角形の上部放熱パッド７０の内部に直角形態の線形打抜部７２を形成したり、図８Ｂに示すように円形打抜部７４を形成して荷重の集中を緩和する。
図９Ａ及び図９Ｂは、本発明の他の実施形態による下部放熱パッドを示す概略図であり、図１０は、図９Ａの下部放熱パッドが適用されたＣＯＦ型半導体パッケージがパネル基板に固定された形態を示す概略図である。
【００２５】
図９Ａ及び図１０に示すように、本発明によるＣＯＦ型半導体パッケージをＬＣＤパネル基板２６に適用した。ＣＯＦ型半導体パッケージは、パネル基板２６の辺に沿って“Ｃ”部分のように曲がって固定され、パネル基板２６の全面にＡＣＦなどの接着部材２４により付着される。パネル基板２６の背面には図示していないが、印刷回路基板（ＰＣＢ）が付着され、ＣＯＦ型半導体パッケージの他の部分がこの印刷回路基板と電気的に連結可能に一部分が曲がって固定される。
【００２６】
図１０で“Ｃ”部分のように曲がる塑性変形部はやはり荷重が集中される部分であるため、接着剤８１により下部放熱パッド８０が下部絶縁層１０から剥離するおそれがある。かかる問題を防止するために、図９Ａに示すように曲がった部分には、複数個のスリット８２を形成できる。図９Ｂは、スリット９２が下部放熱パッド９０の内部に形成されず、外辺に開放された形態に構成したことを示す。前記接着剤８１は、前述したように金属パーティクルまたは金属ボールと伝導性粒子とが含まれることによって放熱効果特性が改善されうる。
【００２７】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージを示す断面図であって、図１の下部放熱パッド２０上に下部補強部材１２０が他の接着剤１２１により接着されたことを示す。図１と同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
図１１に示すように、前記下部放熱パッド２０が接着剤２１により前記下部絶縁層１０の下部面上に固定されるが、下部絶縁層１０に対する前記下部放熱パッド２０の接着力を向上させるために、前記下部放熱パッド２０上に他の接着剤１２１を利用して前記下部補強部材１２０をさらに接着する。
【００２８】
前記下部補強部材１２０は、接着力向上のためにその一部が前記下部放熱パッド２０の幅より広く構成されて、前記下部絶縁層１０の下部面に延びて前記下部絶縁層１０の下部面上にも接着される。前記下部補強部材１２０は、軟性フィルム、例えばポリイミド系の軟性フィルムで構成できる。前記他の接着剤１２１は、前記下部絶縁層１０と前記下部放熱パッド２０との間を接着する接着剤２１と同じ接着剤を使用できる。前記他の接着剤１２１は、例えばアクリル系接着剤であり、前記他の接着剤１２１には、小さい金属パーティクルまたは金属ボール、例えばアルミニウムパーティクルまたはボールなどの伝導性粒子を含む。
一方、前記下部補強部材１２０は、画像認識、すなわちＯＬＢ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程認識率の向上のために光の反射を低下させる不透明な物質または有色物質からなることが望ましい。
【００２９】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態によるＣＯＦ型半導体パッケージを示す断面図であって、図２の上部放熱パッド２２上に上部補強部材１２２が他の接着剤１２３により接着されたことを示す。図２と同じ構成要素についての詳細な説明は省略する。
図１２に示すように、前記上部放熱パッド１２２が接着剤１２３により前記表面絶縁層１４の上部面上に付着されるが、表面絶縁層４０に対する前記上部放熱パッド２２の接着力を向上させるために、前記上部放熱パッド２２上に他の接着剤１２３を利用して前記上部補強部材１２２をさらに接着する。
【００３０】
前記上部補強部材１２２は、接着力向上のためにその一部が前記上部放熱パッド２２の幅より広く構成され、前記表面絶縁層１４の上部面上にも接着される。前記上部補強部材１２２は、軟性フィルム、例えばポリイミド系のフィルムで構成できる。前記他の接着剤１２３は、前記表面絶縁層１４と前記上部放熱パッド２２との間を接着する接着剤２３と同じ接着剤を使用できる。前記他の接着剤１２３は、例えばアクリル系接着剤であり、前記接着剤１２３は、小さい金属パーティクルまたは金属ボール、例えばアルミニウムパーティクルまたはボールなどの伝導性粒子を含みうる。
【００３１】
一方、前記上部補強部材１２０は、画像認識、すなわちＯＬＢ工程認識率の向上のために光の反射を低下させる不透明な物質または有色物質からなることが望ましい。
以上、本発明を色々な実施形態を挙げて説明したが、本発明は、前記した実施形態に限定されず、当業者により多くの変形が可能であることはいうまでもない。例えば、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージでは、前述した下部放熱パッドと上部放熱パッドとを同時に形成でき、放熱パッドの内部に形成される打抜部やスリットの形態も多様に構成できることはいうまでもない。また、本発明のＣＯＦ型半導体パッケージでは、下部放熱パッドと上部放熱パッドとを同時に形成する場合に、下部補強部材または上部補強部材を一つまたは両側にいずれも形成できることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、半導体パッケージ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態によって下部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態によって上部放熱パッドが付着されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
【図４】本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
【図５】本発明の実施形態によって色々な形状の下部放熱パッドとそれらの下部放熱パッドに対する摩擦力の作用方向を表示した概略図である。
【図６Ａ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図６Ｂ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態によって色々な形状の上部放熱パッドを示す概略図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による下部放熱パッドを示す概略図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による下部放熱パッドを示す概略図である。
【図１０】図９Ａの下部放熱パッドが適用されたＣＯＦ型半導体パッケージがパネル基板に付着された形態を示す概略図である。
【図１１】図１の下部放熱パッドに下部補強部材が付加されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図１２】図２の上部放熱パッドに上部補強部材が付加されたＣＯＦ型半導体パッケージの概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０：下部絶縁層、１１：フィルム、１２：リード、１４：表面絶縁層、１６：アンダーフィル層、１８：チップ、２０，３０，４０，８０，９０：下部放熱パッド、２２，５０，６０，７０：上部放熱パッド、２４：接着部材、２６：パネル基板、２１，２３，８１，１２１，１２３：接着剤、１２０：下部補強部材、１２２：上部補強部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部絶縁層と、
前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、
前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、
前記リードの終端上に接着されるチップと、
前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、
前記下部絶縁層の下部面上に付着された下部放熱パッドと、を備えることを特徴とするＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記下部放熱パッドは、前記下部絶縁層より熱伝導性の高い物質からなることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記下部放熱パッドは、アルミニウムを含む金属類であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記下部放熱パッドは、エッジ部分が面取りされた方形であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記下部放熱パッドは、エッジ部分がラウンド処理された方形であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記下部放熱パッドは、内部にスリットが形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項７】
前記下部放熱パッドは、外辺に開放されたスリットが形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記チップを覆いつつ、前記表面絶縁層上に固定された上部放熱パッドをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項９】
前記下部放熱パッドは、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記下部絶縁層に固定されることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記接着剤に含まれた前記熱伝導性の高い粒子は、金属パーティクルまたは金属ボールであることを特徴とする請求項９に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記下部放熱パッド上に下部補強部材がさらに接着されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記下部補強部材の一部が前記下部放熱パッドを覆い、前記下部絶縁層の下部面上に延びて接着されていることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記下部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記下部補強部材は、不透明物質からなることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記下部補強部材は、有色物質からなることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記下部補強部材は、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記下部放熱パッド及び前記下部絶縁層上に接着されることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１７】
下部絶縁層と、
前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、
前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、
前記リードの終端上に接着されるチップと、
前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、
前記チップを覆って前記表面絶縁層上に付着された上部放熱パッドと、を備えるＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記上部放熱パッドは、アルミニウムを含む金属類であることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記上部放熱パッドは、前記チップの上部エッジ部分に接触する部分が打ち抜かれたことを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記上部放熱パッドの打ち抜かれた部分は、線形または円形に打ち抜かれたことを特徴とする請求項１９に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記上部放熱パッドは、エッジ部分が面取りされた方形であることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記上部放熱パッドは、エッジ部分がラウンド処理された方形であることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２３】
前記上部放熱パッドは、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及びチップに付着されることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記接着剤に含まれた前記熱伝導性の高い粒子は、金属パーティクルまたは金属ボールであることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記上部放熱パッド上に上部補強部材がさらに接着されていることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記上部補強部材の一部が前記上部放熱パッドを覆い、前記表面絶縁層の上部面上に延びて接着されていることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２７】
前記上部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２８】
前記上部補強部材は、不透明物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２９】
前記上部補強部材は、有色物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項３０】
前記上部補強部材は、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及び前記上部放熱パッドに接着されることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１】
下部絶縁層と、
前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、
前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、
前記リードの終端上に接着されるチップと、
前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、
前記下部絶縁層の下部面上に付着された下部放熱パッドと、を備えることを特徴とするＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記下部放熱パッドは、前記下部絶縁層より熱伝導性の高い物質からなることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記下部放熱パッドは、アルミニウムを含む金属類であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記下部放熱パッドは、エッジ部分が面取りされた方形であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記下部放熱パッドは、エッジ部分がラウンド処理された方形であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記下部放熱パッドは、内部にスリットが形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項７】
前記下部放熱パッドは、外辺に開放されたスリットが形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記チップを覆いつつ、前記表面絶縁層上に固定された上部放熱パッドをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項９】
前記下部放熱パッドは、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記下部絶縁層に固定されることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記接着剤に含まれた前記熱伝導性の高い粒子は、金属パーティクルまたは金属ボールであることを特徴とする請求項９に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記下部放熱パッド上に下部補強部材がさらに接着されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記下部補強部材の一部が前記下部放熱パッドを覆い、前記下部絶縁層の下部面上に延びて接着されていることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記下部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記下部補強部材は、不透明物質からなることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記下部補強部材は、有色物質からなることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記下部補強部材は、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記下部放熱パッド及び前記下部絶縁層上に接着されることを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１７】
下部絶縁層と、
前記下部絶縁層上に形成され、終端が中央部分に集合されるように配置された複数個のリードと、
前記リードの終端を除いて前記リードを被覆する表面絶縁層と、
前記リードの終端上に接着されるチップと、
前記チップと前記リードとの間の空間を埋め込むアンダーフィル層と、
前記チップを覆って前記表面絶縁層上に付着された上部放熱パッドと、を備えるＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記上部放熱パッドは、アルミニウムを含む金属類であることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記上部放熱パッドは、前記チップの上部エッジ部分に接触する部分が打ち抜かれたことを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記上部放熱パッドの打ち抜かれた部分は、線形または円形に打ち抜かれたことを特徴とする請求項１９に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記上部放熱パッドは、エッジ部分が面取りされた方形であることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記上部放熱パッドは、エッジ部分がラウンド処理された方形であることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２３】
前記上部放熱パッドは、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及びチップに付着されることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記接着剤に含まれた前記熱伝導性の高い粒子は、金属パーティクルまたは金属ボールであることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記上部放熱パッド上に上部補強部材がさらに接着されていることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記上部補強部材の一部が前記上部放熱パッドを覆い、前記表面絶縁層の上部面上に延びて接着されていることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２７】
前記上部補強部材は、ポリイミド系の軟性フィルムからなることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２８】
前記上部補強部材は、不透明物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項２９】
前記上部補強部材は、有色物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【請求項３０】
前記上部補強部材は、熱伝導性の高い粒子が含まれた接着剤により前記表面絶縁層及び前記上部放熱パッドに接着されることを特徴とする請求項１７に記載のＣＯＦ型半導体パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−２８３９６（Ｐ２００８−２８３９６Ａ）
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１８９５９７（Ｐ２００７−１８９５９７）
【出願日】平成１９年７月２０日（２００７．７．２０）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月２０日（２００７．７．２０）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
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