【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は、半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材１４は半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部１５と絶縁部材１４との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向の熱伝導率がよく、粘着力の低下が少なく、かつグラファイトシートの端面を封止することにより信頼性の高い安価な熱拡散シートを提供する。
【解決手段】本発明の熱拡散シート(21)は、グラファイトシート(11)と熱伝導性粘着層(12,14)が積層されている熱拡散シートであって、グラファイトシート(21)の主表面の両面に直接前記熱伝導性粘着層(14)が貼り合わされており、前記両面の熱伝導性粘着層(14)の硬度は、ＡＳＴＭ Ｄ２２４０ タイプＣの測定で６０以下であり、前記熱伝導性粘着層のタック力が４０℃で１６８時間以上暴露した後でもタック減少率が２０％以下であり、前記グラファイトシートの端面は封止されている。これにより、厚さ方向の熱伝導率がよく、粘着力の低下が少なく、かつ信頼性の高い安価な熱拡散シートを提供できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と第１の絶縁層３と第２の絶縁層４とを備える。第１，第２の絶縁層３，４は、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第１，第２の絶縁層３，４はそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満である。上記硬化性組成物は、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率、接着強度及び絶縁性のすべてに優れる樹脂シート硬化物を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１１０と、前記半導体素子１１０上に配置され、エポキシ樹脂モノマー、硬化剤及びフィラーを含み、前記フィラーが、レーザー回折法を用いて測定される粒子径分布において、０．０１μｍ以上１μｍ未満、１μｍ以上１０μｍ未満、及び１０μｍ以上１００μｍ以下のそれぞれの範囲にピークを有し、１０μｍ以上１００μｍ以下の粒子径を有するフィラーが、窒化ホウ素フィラーを含む樹脂シートの硬化物１０２と、前記半導体素子１１０が、前記樹脂シート硬化物１０２を介して、せん断強度３ＭＰａ〜１２ＭＰａにて接着している被着体とを備える半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。
【解決手段】上アーム回路を構成する第１パワー半導体素子５２，５６と、下アーム回路を構成する第２パワー半導体素子６２，６６と、第１パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第１導体板５３４及び第２導体板５８４と、第２パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第３導体板５４４及び第４導体板５７４とは、リカバリ電流が第１導体板５３４、第１パワー半導体素子５２，５６、第２導体板５８４、第３導体板５４４、第２パワー半導体素子６２，６６、第４導体板５７４の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第１放熱板５２２と第２放熱板５６２には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流６０５，６０６が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る放熱基板及び電子部品は、高熱伝導性及び高熱放射性を有し、これにより熱に起因する部品の誤作動、性能の低下や劣化、さらには信頼性低下が生じ難くなった。
【解決手段】本発明に係る放熱基板は、金属板としての金属シート３、硬化層２と、接着層１の順で積層された放熱基板である。硬化層２がＣステージ状で放熱性を有する。硬化層２の接着層側の表面が表面粗さ０．１μｍ以上２０μｍ以下である。接着層１がＢステージ状である。硬化層及び接着層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機フィラーからなり、硬化層の示差走査型熱量計から計算した硬化率が９０％以上であり、接着層の硬化率が１０％以上７５％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、電子部品の冷却効果を高めることができ、ケースの軽量化を図ることができる、電子部品冷却ケースの提供。
【解決手段】（１）発熱する電子部品５１が取付けられる基板５０が表裏一側面に配置される金属製板状部２１と、金属製板状部２１の表裏他側面に配置される樹脂製板状部２２と、で構成される壁部２０を備えており、電子部品５１を冷却するための冷媒が流れる冷媒流路Ｒが、金属製板状部２１および／または樹脂製板状部２２に冷媒流路形成用凹部２３を設けることで、金属製板状部２１と樹脂製板状部２２との間に形成されている、電子部品冷却ケース１０。（２）ケース１０は、自動車の発熱部品６０の熱の影響を受ける環境に設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁シートの欠けを防ぐことができる電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁シート１０が板状のヒートシンク１２の主面に接着されている。ヒートシンク１２は、プレス加工により外形加工されている。ヒートシンク１２の主面の外周部にダレ３２が形成されている。絶縁シート１０は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に混錬された熱伝導性のセラミックス微粉フィラーとを有する。絶縁シート１０上にダイパッド１４が配置され、ダイパッド１４上に電力用半導体素子１６がダイボンドされている。ヒートシンク１２の一部、絶縁シート１０、ダイパッド１４、及び電力用半導体素子１６がモールド樹脂２６により封止されている。ヒートシンク１２の主面の外周部の少なくとも一部に、絶縁シート１０が接着されていない領域が存在する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とヒートシンクの素子取付部との間の伝熱性を損なうことなしに、高温加熱に伴う伝熱グリースの流動化，オイル成分の離油により半導体素子の周縁に漏れ出して素子取付部から下方に垂れ落ちる伝熱グリースを回収して機器周辺の汚損を防ぐようにした半導体装置のヒートシンクを提供する。
【解決手段】外側壁面に放熱フィン１１を形成し、その内側壁面の素子取付部１２にＩＧＢＴなどのパワー半導体素子２０を取付けて直立姿勢に立設した半導体装置のヒートシンクにおいて、素子取付部１２の下方側に位置して、ヒートシンク１１の内側壁面にグリース溜め部１７、および素子取付面から垂れ落ちる漏れグリースを受け止めて前記グリース溜め部１７に誘導するグリース樋部１８を設け、このグリース樋部１８，およびグリース溜め部１７は、アルミダイキャスト製のヒートシンク１０に一体成形する。 （もっと読む）

【課題】導電性重合体浸潤シートに残留塩素が存在せず、かつ、発熱デバイスが発生する熱を効率よく放散することが可能であるという熱的特性を有する。
【解決手段】酸化剤である芳香族スルホン酸第2鉄を用いて重合された含硫黄π共役系導電性重合体が浸潤された含硫黄π共役系導電性重合体浸潤シート18の主面18a及び裏面18bの双方又はいずれか一方の面に金属層16又は20が密着された構成の放熱シートである。含硫黄π共役系導電性重合体浸潤シートは、芳香族スルホン酸第2鉄を第1溶媒で希釈した溶液に浸潤させた後、含硫黄π共役系導電性重合体形成物質を第2溶媒で希釈した溶液に浸潤し重合反応させて製造する。 （もっと読む）

【課題】電子部品から冷却器を取り外す際のリペア性と、伝熱抵抗の緩和と、を同時に実現できる伝熱シートを提供する。
【解決手段】伝熱シート１は、通電状態のＣＰＵ２の発生熱をヒートシンク３に伝熱するためものである。伝熱シート１は、ＣＰＵ２の通電時に保形性を維持可能な熱伝導性基材４と、熱伝導性基材４の片面に設けられ、複数の伝熱孔６を有する金属層５と、を備える。伝熱孔６には、熱伝導性基材４が充填可能となっている。 （もっと読む）

【課題】低コストで製作でき、セラミックス基板と金属板との接合強度が高く信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュールを製出することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と第一、第二の金属板２２、２３との間に、固着層２４，２５を形成する固着層形成工程と、第二の金属板２３と天板部４１との間に介在層２６を形成する介在層形成工程と、天板部４１とフィン部４６との間に接合層４１Ｂを形成する接合層形成工程と、第一の金属板２２、セラミックス基板１１、第二の金属板２３、天板部４１、フィン部４６を積層する積層工程と、加熱工程と、第１溶融金属領域、第２溶融金属領域、溶融金属部を凝固させる凝固工程と、を有し、セラミックス基板１１と第一、第二の金属板２２、２３、第二の金属板２３と天板部４１、天板部４１とフィン部４６とを、同時に接合する。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体素子の放熱のため接着する絶縁膜とヒートシンクを小型化し、放熱性を有しかつコスト低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のダイパッド１６ａ，１６ｂと第２のダイパッド１８ａ，１８ｂが一体的に形成されている。第１のダイパッド１６ａ，１６ｂ上に保護ダイオード２８ａ，２８ｂが接合されている。第２のダイパッド１８ａ，１８ｂ上にＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂが接合されている。放熱性を有する絶縁膜４４を介して第２のダイパッド１８ａ，１８ｂの裏面にＡｌヒートシンク４６が接着されている。これらはモールド樹脂１０で封止されている。保護ダイオード２８ａ，２８ｂの動作温度の上限は、ＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂの動作温度の上限より高い。Ａｌヒートシンク４６は、第１のダイパッド１６ａ，１６ｂには接着されていない。 （もっと読む）

【課題】冷却効率および耐久性が比較的高い冷却器を提供する。
【解決手段】板状の容器１２内に冷媒が封入された冷却器であって、前記容器は、対向する２つの内側主面１２ａ，１２ｂの少なくとも一部の領域が、緻密質セラミックスを主成分として構成され、前記冷媒が内部を通過する多孔質セラミック体１４ａ，１４ｂが、前記容器の内部に収容されており、前記多孔質セラック体が、前記内側主面の前記緻密質セラミックスと接合されていることを特徴とする冷却器１０を提供する。 （もっと読む）

コールドプレートには、入口、出口、台座、およびＵｄを有するエンクロージャーが含まれる。この入口と出口は流体の通路になっているため、流体は入口から入ってエンクロージャーを通過して出口に到達することができる。台座は台座プレートから形成され、台座プレートにはエンクロージャーの内部に向いたアイランド部が含まれる。複数のピンは、アイランド部から蓋に向って伸びる。これらのピンは、らせん形状にすることができる。その場合、ピンの横断面はピンの長さに沿って変化する。 （もっと読む）

【課題】銅ベース基板と冷却フィンの間の剥離を防止し、かつ熱抵抗の増加を防止することができる熱伝導シート、およびこれを用いた信頼性の高いパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】粒径１０μｍ以上３０μｍ以下の第１の熱伝導フィラーを４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下、粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の第２の熱伝導フィラーを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、夫々耐熱性エポキシ樹脂に充填した熱伝導層の少なくとも片面に、粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の第３の熱伝導フィラーを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、耐熱性エポキシ樹脂に充填した接着層を積層し、加熱成型された熱伝導シートを用いて、銅ベース基板と冷却フィンを接着固定する。 （もっと読む）

強度を維持し厚さ方向に高い効率で熱源からの熱を伝導することができる異方性熱伝導要素と、その異方性熱伝導要素を製造する方法に関する。これを実現するために、異方性熱伝導要素は、積層グラファイト・シートを有する構造体がグラファイト・シートの厚さ方向を横切って熱源との接触面を有し、積層グラファイト・シートの周囲を被覆して、支持部が形成され、熱源からの熱を伝導することができる。切断処理は、被覆処理の後に、スタック方向にその表面に沿って切断することによって、行える。切断処理の後に、表面処理加工によって、一切片に表面処理を施すことができる。
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