【課題】低い導通抵抗及び高い接着強度が得られる異方性導電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１と金属配線材１２とを熱圧着させると、ガラス基板１１と異方性導電材料１３との界面において、ガラス基板１１表面のＳｉと疎水シリカ１４に修飾されたジスルフィドシラン末端のアルコキシル基（ＯＲ）とが反応し、化学結合する。また、金属配線材１２と異方性導電材料１３との界面では、圧着時の熱により、ジスルフィドシランの一部のＳ−Ｓ結合（ジスルフィド結合）が解離し、解離されたスルフィドシランが金属Ｍｅと化学結合する。 （もっと読む）

【課題】実装後の熱ストレスによって発生するプリント配線基板の反りを緩和しつつ、半導体素子とプリント配線基板との電気的接続の高信頼性を確保すること。
【解決手段】本発明の半導体素子の実装構造を適用した半導体機器１は、半導体素子１１と、半導体素子１１を実装するプリント配線基板１２と、半導体素子１１とプリント配線基板１２とを電気的に接続する突起電極１３とを備え、突起電極１３を介した半導体素子１１とプリント配線基板１２との接続を固定する接着剤層１４が半導体素子１１とプリント配線基板１２との間に配置されて構成される。接着剤層１４は、弾性率の異なる２層の接着剤層１４１，１４３で構成される。 （もっと読む）

【課題】低温かつ短時間の硬化条件においても優れた接着強度を得ることができ、且つ信頼性試験（高温高湿条件での長時間の暴露試験）後においても接着強度や接続抵抗等の特性を充分に維持することができる接着剤組成物を提供すること、また、該接着剤組成物を用いた回路部材の接続構造体を提供すること。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）ラジカル重合性化合物、（ｃ）コア部位に分岐部位が樹状分岐するように結合し、該分岐部位の末端に末端部位を備える樹枝状化合物、及び（ｄ）ラジカル重合開始剤を含む接着剤組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子部品同士を半田接合し、半田接合部の空隙を熱硬化性樹脂を含有する樹脂層で充填させ、半田接合部を補強する電子部品の製造方法において、空洞（エアギャップ）の発生を抑制することができ、さらに、ボイド（気泡）の発生をも抑制することができる、電子部品の製造方法および電子部品を提供することができる
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、第１電子部品または第２電子部品の少なくとも一方に、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層を形成する第１の工程と、半田電極と金属電極を当接させる第２の工程と、半田電極と金属電極を溶融接合させる第３の工程と、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層を硬化させる第４の工程と、を有する電子部品の製造方法において、第３の工程において、板状体を有する加圧装置で加圧を維持しながら半田の融点以上の温度に加熱し、さらに、半田の融点よりも低い温度で加圧を開放することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線回路基板との接続部の絶縁信頼性を向上できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分、高分子成分とは異なるエポキシ樹脂、硬化剤及びカルボン酸を含有し、圧着温度が２５０℃、圧着圧力が０．５ＭＰａ、圧着時間がＴ秒間である熱圧着条件において、熱圧着を開始してからＴ／２秒までにおける平均フロー量が０．２ｍｍ以上であり、Ｔ／２秒からＴ秒までにおける平均フロー量が０．３ｍｍ以下である、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続するための接着剤を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０及び配線回路基板２０のそれぞれの接続部１５が互いに電気的に接続された半導体装置１００、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止する接着剤組成物を、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アミン系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物とした。 （もっと読む）

【課題】電気的信頼性を向上させる要求に応えるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体を提供する。
【解決手段】バンプ付き配線基板は、絶縁層１０と絶縁層１０上に設けられた導電層１１とを有する配線基板３と、導電層１１上に設けられ、導電層１１と電気的に接続されたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板と接続部材との密着性を向上させたときでも、基板と被接続部品との電気的な接続信頼性が低下するのを防ぐことができる基板の接続構造、及びこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】異方性導電フィルム（接続部材）２５を用いて、ソース・ゲートドライバ（被接続部品）１６が接続されるアクティブマトリクス基板５の接続構造において、アクティブマトリクス基板５の表面上に形成されるとともに、ソース・ゲートドライバ１６に設けられたバンプ（電極端子）１６ａが電気的に接続される電気配線（電極部）２０と、アクティブマトリクス基板５の表面上に設けられるとともに、異方性導電フィルム２５に固着される有機絶縁膜２４を備え、有機絶縁膜２４及び異方性導電フィルム２５の少なくとも一方に、シランカップリング剤を含ませる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのコーナ部に対応する接合部材の耐衝撃性を向上させた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板３の実装面に形成された回路パターンに半導体チップを実装する工程と、少なくとも回路基板３と半導体チップとの間に熱硬化性樹脂および磁性体粉末６を含む接合組成物を供給して磁性体粉末含有熱硬化性樹脂の充填物を形成する工程と、充填物を加熱する工程と、加熱による充填物の硬化の間に半導体チップのコーナ部に対応する前記充填物に磁力を加えて、充填物中の磁性体粉末６を半導体チップのコーナ部に対応する充填物の箇所に集中させることによって、磁性体粉末が前記半導体チップのコーナ部に対応する箇所にこの箇所以外の領域より高い密度で存在する接合部材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体チップ実装体１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板の間の接合強度の向上を図りつつ電子部品又は回路基板に熱的ダメージを与えることなくリペア作業を行うことができるようにした電子部品ユニット及び補強用接着剤を提供することを目的とする。
【解決手段】下面に複数の接続端子１２を備えた電子部品２と、上面に接続端子１２に対応する複数の電極２２を備えた回路基板３とを有し、接続端子１２と電極２２とが半田バンプ２３によって接合されるとともに、電子部品２と回路基板３が部分的に熱硬化性樹脂の熱硬化物から成る樹脂接合部２４によって接合された電子部品ユニット１において、樹脂接合部２４の内部に金属粉２５が分散状態で含まれている。金属粉２５は、電子部品２を回路基板３から除去する作業（リペア作業）を行う際に樹脂接合部２４を加熱する温度よりも低い融点を有する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ方式の半導体装置の信頼性を優れたものとすることができる封止樹脂組成物、および、優れた信頼性を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の封止樹脂組成物は、半田バンプ３を介して接続された基板２と半導体素子４との間に充填されて用いられる硬化性の封止樹脂組成物であって、硬化後の１２５℃におけるポアソン比が０．４以上であることを特徴とする。かかる封止樹脂組成物は、硬化性樹脂および硬化剤を含有し、無機充填剤を実質的に含まないのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】安定的に電気的接続を確立することができる電子部品パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品パッケージ１５の製造にあたって、樹脂材２８は空所３１に充填される。樹脂材２８は電子部品チップ２２の周囲で基板１６の表面に受け止められる。樹脂材２８が熱処理に応じて硬化すると、樹脂材２８は基板１６の表面に定着する。温度が降下すると、樹脂材２８は収縮する。樹脂材２８は構造体２７ごと電子部品チップ２２を包み込むことから、構造体２７上の樹脂材２８は基板１６の表面に向かって引き寄せられる。こうして樹脂材２８の収縮に応じて電子部品チップ２２には基板１６の表面に向かって押し付け力が作用する。電子部品チップ２２および基板１６の間で安定的な電気的接続が確立される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足する回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する回路部材接続用接着剤シートは、支持基材と、該支持基材上に設けられた接着剤組成物からなる接着剤層と、を備え、前記接着剤組成物が、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）放射線重合性化合物と、（Ｅ）光開始剤と、（Ｆ）硬化促進剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能な接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、（Ｆ）室温で固体であり、最大粒径が２５μｍ以下である粉体化合物とを含み、（Ｆ）成分は、カルボキシル基を有する化合物、メチロール基を有する化合物及びヒドラジド化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である接着剤組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】対向する電極間の導電性と対向する回路部材同士の接着力を良好に維持しつつ、回路部材と回路接続部との界面での剥離を抑制することによって接続信頼性及び接続外観に優れる回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の回路接続材料は、第一の回路基板２１の主面２１ａ上に複数の第一の回路電極２２が形成された第一の回路部材２０と、第二の回路基板３１の主面３１ａ上に複数の第二の回路電極３２が形成された第二の回路部材３０とを、第一及び第二の回路電極２２，３２を対向させた状態で第一の回路電極２２と第二の回路電極３２とを電気的に接続するための回路接続材料であって、接着剤組成物４０と導電性粒子５３とポリアミック酸粒子及びポリイミド粒子の一方又は双方を含む絶縁性粒子５１とを含有し、絶縁性粒子５１の平均粒径が５〜１０μｍである。 （もっと読む）

【課題】耐熱性および耐光性に優れる上に、エポキシ樹脂に比べ線膨張率の高いシリコーンを用いながらも低弾性化したフリップチップ型発光半導体装置用シリコーンアンダーフィル材および該アンダーフィル材を使用するフリップチップ型発光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）熱硬化型液状シリコーン樹脂組成物：１００質量部
（Ｂ）粒径５０μｍ以下、平均粒径０．５〜１０μｍの球状無機質充填剤：１００〜４００質量部
を含有する硬化性シリコーン組成物からなり、硬化物の２５℃における硬度（タイプＡ）が４０以下、ヤング率が２．０ＭＰａ以下、そして線膨張係数が２５０ｐｐｍ以下であるフリップチップ型発光半導体装置用シリコーンアンダーフィル材。該アンダーフィル材が適用されたフリップチップ型発光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハへの貼付性、ウエハ裏面研削性及びフリップチップボンディング時の埋込性のすべてを高水準で満足するフィルム状接着剤の形成を可能とする接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が２万以上１０万以下の熱可塑性樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、（Ｅ）マイクロカプセル型の硬化促進剤と、を含む。 （もっと読む）

【課題】使用温度の変化が激しい環境下においても、クリープひずみによるクラック、金属結晶粒の粗大化によるクラック、を生じさせないはんだ接続信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、電子部品１と基板２とが接続部３によって電気的に接続され、前記接続部３を低融点はんだとすることにより、使用環境において液相状態になる。また、接続部流出防止層４を設け、接続部３が溶融した際の体積膨張を吸収させる。 （もっと読む）

【課題】回路部材間の接着剤層におけるボイド発生が十分に抑制され、ピッチ間が十分に封止充填されており、且つ接続信頼性に優れる回路板を提供すること、及び当該回路板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高さｔ_ｃの第一の突起電極と該第一の突起電極上に形成された高さｔ_ｍのハンダを有する第一の回路部材と、高さｔ_ｓの第二の突起電極を有する第二の回路部材とを、上記第一の突起電極と上記第二の突起電極を対向して配置し、対向配置した上記第一の突起電極と上記第二の突起電極の間に厚さｔ_２の接着剤層を介在させ、加熱加圧して、下記式（１）、（２）及び（３）を満たすように対向配置した上記第一の突起電極と上記第二の突起電極を電気的に接続させてなる、回路板。
ｔ_１≧ｔ_ｃ＋ｔ_ｓ （１）
ｔ_１×１．３≧ｔ_２＞ｔ_ｃ＋ｔ_ｍ （２）
ｔ_１×１．３≧ｔ_２＞ｔ_ｃ＋ｔ_ｓ （３）
［式中、ｔ_１は加熱加圧後の前記第一の回路部材と前記第二の回路部材の間の積層方向に沿った距離を示し、ｔ_ｃは第一の突起電極の高さを示し、ｔ_ｓは第二の突起電極の高さを示し、ｔ_２は加熱加圧前の接着剤層の厚さを示し、ｔ_ｍは第一の突起電極上に形成されたハンダの高さを示す。］ （もっと読む）

【課題】マイグレーションによる腐食及び剥離を防止することができると共に、異方性導電フィルムの充填効率を向上させることができる電子部品、並びに、接合体及びその製造方法の提供。
【解決手段】基材と、前記基材上に立設され、少なくとも表面が導電性部材で形成され、突出部を有する電極とを有し、前記突出部の突出方向に平行な断面における、該突出部の基部に形成された角部に、被覆材が被覆され、前記被覆された被覆材の最大高さが、前記電極の最大高さの９０％以下である接合体である。 （もっと読む）