【課題】ＰｏＰパッケージの信頼性を向上する。
【解決手段】ＰｏＰパッケージ１０は、主面３２ａとその反対の裏面３２ｂとを有する半導体チップ３２と、半導体チップ３２が実装された基板３１と、基板３１に積み重ねられた基板５１と、を備えている。基板３１の基板５１側に設けられた外部接続パッド３５に、基板５１の基板３１側に設けられた外部接続バンプ５３が接続されて、基板３１と基板５３との間にギャップＧが形成されている。ギャップＧには、主面３２ａを対向させて基板３１に実装した半導体チップ３２と、半導体チップ３２の裏面３２ｂに貼り付けられた絶縁性フィルム３２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を回路基板に実装する電子装置の製造において環境負荷を軽減するとともに、電子装置の耐衝撃性及び接続信頼性を確保する。
【解決手段】 電子装置の製造方法は、回路基板１１０上に加熱により発泡する第１の樹脂部１４１’を形成する工程と、第１の樹脂部の上方に第２の樹脂部１４２’を形成する工程と、第２の樹脂部の上方に、接合材１３２を備える半導体装置１２０を配置する工程とを有する。この製造方法は更に、接合材１３２と回路基板１１０とを接合し、回路基板１１０と半導体装置１２０とを電気的に接続する端子１３０を形成する工程を有する。端子１３０を形成する工程における加熱により、気泡１４１ｂを内包した第１の樹脂部１４１が形成されるとともに、第１の樹脂部の膨張に伴う第２の樹脂部１４２’の移動により、端子１３０の周囲を覆う第２の樹脂部１４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】実装信頼性が向上し、高密度実装が可能な半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】導電部８を有した基板７上に、バンプ３を有した半導体チップ２をフェースダウンボンディングする半導体装置の実装方法である。半導体チップ２のバンプ形成面に、感光性で熱可塑性の樹脂、あるいはその前駆体からなる樹脂により、感光性で接着性を有する樹脂層５を形成する工程と、樹脂層５を露光、現像することでバンプ３直上の樹脂を除去し、その上面を露出させる工程と、樹脂層５を加熱処理して熱可塑性樹脂からなる樹脂膜６とする工程と、樹脂膜６を形成した半導体チップ２を基板７にフェースダウンボンディングし、樹脂膜６を接着剤として機能させることで半導体チップ２のバンプ３と基板７の導電部８とを電気的に導通させる工程と、を備える。樹脂膜６を接着剤として機能させる際に、樹脂膜６の溶融開始温度を５０℃以上４００℃以下にする。 （もっと読む）

【課題】導電層に錆が生じ難く、長期間にわたり高い導電性を維持でき、更に親水性を高め、エポキシ樹脂のような酸素含有の樹脂に対して分散性を高めることができる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、樹脂粒子１１と、該樹脂粒子１１の表面上に設けられた導電層１２とを有する導電性粒子本体２と、導電性粒子本体２の表面を被覆している被覆層３とを備える。被覆層３は、有機珪素化合物を架橋させることにより形成されている。本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備える。上記接続部が、導電性粒子１、又は導電性粒子１とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】支持基材と支持基材上に設けられた接着剤組成物からなる接着層とを備える接着シートにおいて、従来よりも広範囲な温度条件で接着層を基板上に十分仮固定することが可能となる接着シートを提供すること。
【解決手段】支持基材と、当該支持基材上に設けられた接着剤組成物を含む接着層と、を備える回路接続用接着シートであって、前記接着剤組成物が、熱可塑性樹脂、ラジカル重合性化合物及びラジカル重合開始剤、又は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び潜在性硬化剤を含有し、前記支持基材の厚みＴｓと前記接着層の厚みＴａとが下記式（１）で表される条件を満たしており、かつ、前記厚みＴｓが４２μｍ以下である接着シート。０．４０≦Ｔａ／Ｔｓ≦０．６５（１） （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体装置において、半導体素子を適切に保護しつつ、半導体装置の反り量を低減する。
【解決手段】半導体素子２と樹脂回路基板４とを、半導体素子２に形成された突起電極３を介してフリップチップ接続し、半導体素子２と樹脂回路基板４間の隙間を第１の樹脂５により封止する。樹脂回路基板４における半導体素子２が実装されている面を、半導体素子２と共に第１の樹脂５とは異なる第２の樹脂６で覆う。さらに、半導体素子２上の第２の樹脂６で覆われている部分に凹部７を設け、凹部７に第１の樹脂５と第２の樹脂６とは異なる第３の樹脂または金属８を設ける。 （もっと読む）

【課題】配線基板の電極と半導体チップなどの電気素子のバンプとを、重合開始剤として有機過酸化物を含有する速硬化性の熱硬化性接着剤を介して、ハンダによる金属結合を形成するために加圧ボンダーで加圧して接続して製造する場合に、ハンダが濡れ広がりすぎず、また、配線基板と半導体チップとの間の接着剤を十分に排除でき、良好な接続信頼性を得られる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の電極及び／又は電気素子のバンプの少なくとも一部が溶融温度Ｔｓ（℃）のハンダから構成されている当該配線基板の電極と電気素子のバンプとを、重合開始剤として１分間半減期温度Ｔ１（℃）の有機過酸化物とを含有するアクリル系熱硬化性接着剤を介して、圧着温度Ｔ２（℃）で加圧ボンダーで電気素子側から加圧することにより接続して接続構造体を製造する際に、以下の式（１）及び（２）を満足するようにする。
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【課題】低温及び短時間での接続においても、局所的な硬化不良が起こり難く、接続領域における配線及び電極の腐食の発生が抑制され、長期の信頼性を与える接続が可能な、保存安定性の高い異方導電性接着フィルムを提供すること。
【解決手段】フィルム形成性ポリマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、潜在性硬化剤（Ｃ）及び導電粒子（Ｄ）を含有する異方導電性接着フィルムであって、潜在性硬化剤（Ｃ）が、重量平均分子量の数平均分子量に対する比として定義される分子量分布が３以下であるアミンアダクトを含有し、フィルム形成性ポリマー（Ａ）１００質量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）を５０質量部以上１９０質量部以下、及び潜在性硬化剤（Ｃ）を１５質量部以上７５質量部以下含有し、異方導電性接着フィルム全体に対して導電粒子（Ｄ）を０．１質量％以上３０質量％以下含有する、異方導電性接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化性樹脂と熱硬化促進触媒とを含有し、熱硬化促進触媒の割合が熱硬化性樹脂全量に対して１．５重量％以上２０重量％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が２体積％以上３０体積％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】対向する電極間の導電性と対向する回路部材同士の接着力を良好に維持しつつ、回路部材と回路接続部との界面での剥離を抑制することによって接続信頼性及び接続外観に優れる回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の回路接続材料は、第一の回路基板２１の主面２１ａ上に複数の第一の回路電極２２が形成された第一の回路部材２０と、第二の回路基板３１の主面３１ａ上に複数の第二の回路電極３２が形成された第二の回路部材３０とを、第一及び第二の回路電極２２，３２を対向させた状態で第一の回路電極２２と第二の回路電極３２とを電気的に接続するための回路接続材料であって、接着剤組成物４０と導電性粒子５３とポリアミック酸粒子及びポリイミド粒子の一方又は双方を含む絶縁性粒子５１とを含有し、絶縁性粒子５１の平均粒径が５〜１０μｍである。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】導電体が貫通する第一絶縁層２１と、第一絶縁層２１の一方の側に設けられ、導電体に接続された第一回路層２２と、この第一回路層２２を被覆するとともに、第一回路層２２の一部を露出させるための開口が形成された第二絶縁層２３と、第二絶縁層２３の開口内に設けられ、開口から露出する第一回路層２２の一部と接触する金属層２７とを備え、金属層２７は、第一回路層２２側から、厚さが０μｍ以上、５５μｍ以下の銅を含む金属層（ａ）２７１、厚さが２μｍ以上、１５μｍ以下のニッケルを含む金属層（ｂ）２７２、厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下の錫を含む金属層（ｃ）２７３がこの順に構成されている回路基板１である。 （もっと読む）

【課題】 作業性、ハンドリングの容易性、狭ピッチ化対応のため、液状であり、短時間での硬化が可能で、短時間で半導体チップ-基板間のボイドを抑制し、さらに硬化後には、半導体チップ-基板間を接着するためのボンディング性、THB試験での抵抗値変化の抑制、PCT試験での剥離抑制に優れた先供給型封止材樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (A)液状エポキシ樹脂、(B)特定の構造のエポキシ樹脂、(C)酸無水物硬化剤、(D)特定の構造のイミダゾール化合物硬化促進剤および(E)シランカップリング剤を含み、(A)成分と(B)成分の質量割合が、84：16〜16：84であり、(A)成分のエポキシ当量と(B)成分のエポキシ当量の合計1に対して、(C)成分の酸無水当量が0.8〜1.1であり、かつ(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、(D)成分が1.7質量部より多く10.3質量部未満で、成分(E)が0.1質量部より多く2.3質量部未満であることを特徴とする、先供給型液状半導体封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとする半導体接合用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記無機フィラーは、半導体接合用接着剤中の含有量が３０〜７０重量％であり、かつ、平均粒子径が０．１μｍ未満のフィラーＡと、平均粒子径が０．１μｍ以上１μｍ未満のフィラーＢとを含有し、前記フィラーＡは、前記フィラーＢに対する重量比が１／９〜６／４である半導体接合用接着剤である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体チップ接着用樹脂を提供する。
【解決手段】重合可能な主樹脂成分と、主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有させ、接着剤１２を構成される。この接着剤１２を基板１３に塗布し、半導体チップ１１を貼付し、加熱すると、主樹脂成分の自己重合反応によって形成される三次元網目構造の主鎖に対し、副硬化剤が付加重合する。付加重合による部分がゴム状構造になる第１の温度は、主鎖がゴム状構造になる第２の温度よりも低温なので、第１の温度で弾性率の低下率が急激に大きくなり、半導体チップ１１と基板１３の間の応力が緩和される。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＩＺＯからなる接続端子の溶出を抑制し、優れた接着強度が得られ、信頼性試験後でも安定した性能を維持できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】第一の接続端子３２を有する第一の回路部材３０と第二の接続端子４２を有する第二の回路部材４０とを接続する接着剤組成物であり、第一の回路部材及び／又は第二の回路部材はＴｇが２００℃以下の熱可塑性樹脂を含む基材から構成され、第一の接続端子及び／又は第二の接続端子はＩＴＯ及び／又はＩＺＯから構成され、接着剤組成物は（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）ラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、（ｄ）リン酸基を有するビニル化合物を含有し、（ｃ）ラジカル重合開始剤はパーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイドの１種以上を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ方式又はＳＯＦ方式で組み立てられた半導体装置に対する液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性フィルム基板３上の回路と該回路上に搭載される半導体素子１又はその他の電子部品との接続部が２個以上存在し、前記接続部へ液状封止樹脂組成物５を流入及び硬化させて組み立てられる、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）方式又はＳＯＦ（システム・オン・フィルム）方式の半導体装置において、前記接続部への液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法であって、半導体装置の耐熱性フィルム基板の下部に透明ヒーター４を配置し、前記透明ヒーターの下部より半導体装置下部越しに前記接続部を観測すると同時に前記接続部に液状封止樹脂組成物を供給することを特徴とする、液状封止樹脂組成物の流入挙動観測方法。 （もっと読む）

【課題】材料選択の自由度を向上させることが可能であると共に、高温加熱プロセスを必要とする半導体装置の作製においてボイドの発生を抑制することが可能な高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の高分子化硬化剤は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の反応により得られ、本発明の高分子化硬化剤の熱重量減少量は、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下である。本発明の高分子化硬化剤の製造方法は、高分子化硬化剤の熱重量減少量が、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下となるように、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を反応させる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ化合物、前記エポキシ化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、硬化剤及びポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンを含有する半導体チップ接合用接着フィルム。前記半導体チップ接合用接着フィルムは、上記エポキシ化合物と反応可能な靱性をもち、優れた耐衝撃性を発言することができる。 （もっと読む）

【課題】
保存安定性に優れ、かつフリップチップ接続をした際にボイドの発生が充分に抑制され、良好な接続信頼性を得ることができる半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤、フラックス剤を必須成分とし、硬化促進剤が４級ホスホニウム塩である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）