【課題】 樹脂成分の低揮発化による封止樹脂中に発生するボイドの対策、半導体チップと半導体チップを接合する構造（ＣＯＣ構造）において半田接続性が良好で信頼性、作業性に優れ、半導体装置の製造工程が簡略化可能な半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状ナフタレン型エポキシ樹脂又は液状ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の１種又は２種以上から選択される液状エポキシ樹脂を７０〜１００質量％含有する液状エポキシ樹脂、（Ｂ）３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を３０〜８０質量％以上含有する酸無水物硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤を含有してなる液状エポキシ樹脂組成物、更には（Ｄ）フラックス剤を含有してなる液状エポキシ樹脂組成物により達成される。 （もっと読む）

【課題】 ノンフローアンダーフィル工法において、アンダーフィルの偏りを低減することができ、絶縁樹脂の充填不足や絶縁樹脂のはみ出しによる外観の悪化を低減することができる電子部品の実装方法を提案する。
【解決手段】 回路基板１は、ガラス−エポキシ、紙−フェノール等の樹脂、またはセラミック等で構成された基材２上に、半導体装置の端子と導電接続される銅等の導電金属で構成された接続パッド４と、接続パッド４とその他の配線導体以外の、基材２上を被覆するレジスト膜３が形成されている。そして、この回路基板１上の、半導体装置の外形を示す点線６よりも内側部分の略中央に略円形の凹凸部５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣ搭載部及びそのＩＣ搭載部に搭載されるＩＣ１０の端子１１と接続される配線膜２２を少なくとも有する配線基板２０と、それに搭載されたＩＣ１０を少なくとも備え、このＩＣ１０の各端子１１とそれと対応する配線膜２２とを接続した電子装置のマイグレーションを防止し、更には、耐湿性、耐水性、耐塵性、防食性を高め、以て、電子装置の信頼性の向上及び長寿命化を図り、更に、電子装置の製造に伴う環境汚染を少なくする。
【解決手段】 少なくとも配線基板２０の少なくとも配線膜２２・２２間をソルダーレジスト膜２８とシリカを主成分とするコーティング膜３０とからなる二重膜で保護する。 （もっと読む）

半田材料による混成された２つの部材をコーティングするための方法。
半田材料（６）により互いに関係付けられる二つの部材により構成されるコンポーネントの混成化された領域をコーティングするこの方法は、前記コンポーネントの混成された部材間で定められる空間を毛細管現象により充填することができるコーティング物質を、前記コンポーネントに近接して堆積することを含む。
前記物質に関して非可湿性の領域（１０）が前記コンポーネントの下部部材（３）上の混成化領域の周辺上で、非可湿性領域は、前記物質に関して反湿潤であるカバーを堆積することにより、定められ、ＰＥＣＶＤにより加えられ、且つ、前記第１部材上で、ハイブリッド化と一致して、コーティング物質のための湿潤表面（１２）を定める。
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【課題】本発明は、ウエハーに溶液状態の異方性導電接着剤(ACA)および非導電性接着剤(NCA)を２重層に直接コーティングすることによってフリップチップパッケージを製造することができるウエハーレベルフリップチップパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】(a)非はんだバンプが形成されたウエハーの上部に絶縁高分子樹脂、硬化剤および有機溶媒を含む非導電性混合溶液を塗布・乾燥して非導電層を形成する工程と、(b)前記非導電層の上部に絶縁高分子樹脂、硬化剤、有機溶媒および導電性粒子を包含する導電性混合溶液を塗布・乾燥して異方性導電層を形成する工程と、(c)前記非導電層および異方性導電層が形成されたウエハーをダイシングして個別の半導体チップを製造する工程と、(d)前記半導体チップを基板上の電極と整列してフリップチップ接続する工程とを含めてなるフリップチップパッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行うことが可能であり、製造プロセスの簡素化と、製品中にボイドが無く信頼性の向上に寄与しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】回路表面に接着フィルム３が接着され、かつ該回路毎に区画する溝６が形成されてなるウエハ１の回路表面側に表面保護シートを貼着する工程、上記ウエハの裏面研削をすることで個々のチップへの分割を行う工程、個別のチップを接着フィルムとともにピックアップし接着フィルムを介して、チップ搭載用基板にダイボンドする工程、およびダイボンドされた接着フィルム付きチップを加熱しチップ搭載用基板に固着する工程を含み、かつ接着フィルムをウエハに接着した後、チップをチップ搭載用基板に固着するまでの段階で、接着フィルムを含む積層体を、常圧に対し０．０５ＭＰａ以上の静圧により加圧する工程を１回以上含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極に生ずる応力の緩和効果に優れたシート状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子３に設けられた接続用電極部２と配線回路基板１に設けられた回路電極部４とを対向させた状態で上記配線回路基板１上に半導体素子３が搭載された半導体装置における、上記配線回路基板１と半導体素子３との空隙を樹脂封止するためのシート状エポキシ樹脂組成物６であり、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）シリコーン変性ポリイミド樹脂。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのファインピッチ化に対応し、アンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を極力削減し、信頼性の高いフリップチップ実装を実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップの一面に２次元的に配列された複数の電極を、基板上の対応する導電性領域に接合するステップと、半導体チップの一面と基板との間に液状化されたアンダーフィル用樹脂を注入するステップと、一定の圧力下においてアンダーフィル用樹脂をガラス転移温度以上の温度で溶融しキュアするステップとを有する。これにより、アンダーフィル用樹脂内のボイドを消滅させる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時およびフリップチップ実装時のアライメントマークの認識が良好な電子デバイス用接着組成物を用いた電気的接続信頼性の高い電子素子の実装方法を提供する。
【解決手段】電子素子上に形成されたバンプと実装回路基板上に形成された電極パッドとを接触接続する電子素子の実装方法であって、少なくとも（Ａ）バンプ形成面に光線透過率７０％以上１００％以下の電子デバイス用接着層が形成された複数の電子素子を有する電子デバイス基板をダイシングにより個片化する工程、（Ｂ）電子デバイス用接着層が形成された電子素子を所定の温度で実装回路基板上の電極パッドに圧着し、バンプと電極パッドとの電気的接続を行う仮圧着工程および（Ｃ）電子デバイス用接着層を硬化させる本圧着工程を有する電子素子の実装方法。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性の高い電気装置を得る。
【解決手段】配線基板２０と、少なくとも片面に接続端子２７が配置された電気部品２５とが硬化接着剤層１２ａにより固定されている電気装置１において、硬化接着剤層１２ａが、第一の硬化領域１５ａと、第一の硬化領域１５ａよりもガラス転移温度が低い第二の硬化領域１８ａを有する。第一の硬化領域１ａと第二の硬化領域１８ａは配線基板２０上の異なる位置に配置する。特に、細長い電機部品２５を接続する場合には、その両端部を第一の硬化領域１２ａで接続し、その両端部の間を第二の硬化領域で接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからプリント配線板の実装面と反対面の配線パターンへの配線長を短縮するとともに、半導体チップとプリント配線板との線膨張係数の違いにより生じる応力を緩和して、接続部が破断することのない接続信頼性の高い半導体パッケージの実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】実装面３ａとその反対側の面３ｂとを貫通するビア７を有するプリント配線板３と、ビア７の反対側面３ｂの開口部を閉塞するように反対側の面３ｂに形成されてビア７と導通するビアランド７ａと、バンプ２を有する半導体チップ１と、半導体チップ１とプリント配線板３の実装面３ａとのあいだに充填される熱硬化性接着剤９とを具備してなり、
ビア７に異方性導電材料８が充填されるとともに、ビア７にバンプ２が挿入され、導電性粒子８ａによってバンプ２とビア７とが導通されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造１１を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置実装構造体１０は、一方の主面１１ｂに電極部１１ｃを配列した半導体装置１１と、半導体装置１１の電極部１１ｃとはんだバンプ１２により電気的に接続される基板電極部１３ａを有する回路基板１３と、半導体装置１１の少なくとも側面１１ａと回路基板１３との間に、膨張温度が異なる複数種の熱膨張性粒子１５を混入した硬化性樹脂１４とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】 半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電
気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とし、更に、写真法によりパターン精度の良いレジスト形成が、アルカリ水溶液を用いた現像で可能である感光性フラックスを提供する。
【解決手段】 少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）、その硬化
剤として作用する樹脂（Ｂ）と、オルトキノンジアジド構造を有する感光剤（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とする、露光、現像により、所定の位置にフラックスパターン形成を可能とする感光性フラックスであり、さらには、この感光性フラックスにより、樹脂補強されたことを特徴とする半田接合部。 （もっと読む）

【課題】電子部品を配線基板に接合する場合に形成する封止構造について、熱応力を緩和するという事項と、耐湿性および／または耐水性という事項とを同時に具備することができる封止構造を提供する。
【解決手段】電子部品の封止構造は、回路基板上の接続用電極に電子部品の接続用電極を対向させて両電極の間に導電性材料による導通接続部を形成すると共に、前記基板表面と前記電子部品の少なくとも下側表面との間に前記導通接続部を封止する樹脂封止部を形成してなる電子部品の封止構造であって、前記樹脂封止部は内側樹脂層および外側樹脂層の少なくとも２層からなり、内側樹脂層と外側樹脂層との間ではガラス転移温度が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】互いの電極端子の間を金属電極を介して接続した一対の誘電体基板を有する電子装置であって、インピーダンスを従来よりも広い範囲で調節でき、これによって金属電極の付近とそれ以外の部分との間でインピーダンスを効果的に整合できる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１０は、それぞれに信号伝送線路を構成する信号層２１，２３，３１，３３が形成された一対の配線基板１１，１２を有する。双方の配線基板１１，１２の信号層２３，３３が、配線基板１１，１２の表面に形成されたはんだボール１３を介して互いに接続されている。はんだボール１３の近傍の配線基板１１，１２間に、所定の透磁率を有する磁性体材料１５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、半導体チップを回路基板に実装する場合に、半導体チップや回路基板の界面に対する濡れ性が良く、はじきが少なく、また、作業性および信頼性に優れたプリアプライド用封止樹脂組成物を提供すること、また、別の課題は、本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物を適用することにより、信頼性に優れた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フラックス活性を有する硬化剤と、（Ｃ）界面活性剤と、を含むプリアプライド用封止樹脂組成物おいて、金およびソルダーレジスト上で１６０℃、２０s加熱溶融させた際の、金への接触角が４０°以下、かつ、ソルダー
レジストへの接触角が４０°以下、であるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の被着体に接着シートを貼付した際に生じ得る気泡を消失させることのできる接着シートの貼付装置及び貼付方法を提供すること。
【解決手段】圧力調整室１１を押圧力付与シート４５で仕切って第１及び第２の部屋Ｃ１、Ｃ２を設け、第１の部屋Ｃ１内で半導体ウエハＷと接着シートＳとを相対配置するとともに、第１及び第２の部屋Ｃ１、Ｃ２を減圧状態とし、接着シートＳが半導体ウエハＷに貼付される。その後、第１及び第２の部屋を加圧状態とて当該接着シートＳを半導体ウエハＷに貼付する。半導体ウエハＷに設けられたバンプＢの回りに生じ得る気泡ｂは、加圧雰囲気とされることによって接着シートＳの接着剤層Ａ内に吸収されて消失し、気泡ｂのない状態でのシート貼付が可能となる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】保存性に優れ、かつ、低温で迅速に硬化する接着剤を用いた電気装置を提供する。
【解決手段】第一、第二の接着材料は、第一、第二の硬化剤をそれぞれ別々に有しており、第一、第二の硬化剤が反応して始めて第一、第二の樹脂成分が重合するので、第一、第二の接着材料が分離されている状態では接着剤が硬化しない。第一の硬化剤はシランカップリング剤であり、第二の硬化剤は金属キレート又は金属アルコラートであり、硬化成分であるカチオンが遊離し、第一、第二の樹脂成分がカチオン重合する。従来に比べ接着剤がより低温、短時間で硬化するので、電気装置が低温短時間で製造される。第一の接着材料はシランカップリング剤を含有するので、ガラス基板を有する第一の貼付対象物との接着性が高い。 （もっと読む）

【課題】バックグラインドテープを使用することなく、半導体装置の回路基板への取り付け精度を良好に維持しつつ効率的に実施可能な半導体装置の実装方法および半導体装置実装品を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の実装方法は、その片面に電極パターンが複数形成されてなるシリコンウエハー基板の前記電極パターンが形成されている片面に、熱可塑性樹脂組成物からなる樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層を形成した面とは反対面のシリコンウエハー基板表面を研磨するウエハー研磨工程と、前記研磨後のシリコンウエハー基板をその片面に形成されている複数の電極パターン毎にダイシングして複数の半導体装置を得るダイシング工程と、前記ダイシングにより得られた半導体装置の前記樹脂層が形成されている面を回路基板上に接着させることにより前記回路基板に半導体装置を実装する半導体装置実装工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板や半導体チップでの反りの発生を回避し、かつ接合特性の良好な、アンダーフィル組成物を介する室温でのフリップチップ接合を可能とする。
【解決手段】エポキシ樹脂主剤、これを室温で硬化するマイクロカプセル型硬化剤、少なくとも一定量以上の鋭角形状を有する破砕フィラーを含むフィラーなどからなるアンダーフィル組成物を用い、フリップチップ接合時は、荷重をかけるとともに超音波を印加して室温での接合を行う。超音波印加によって、マイクロカプセル型硬化剤が破砕フィラーと接触してカプセルが割れ、硬化剤が滲みだして、エポキシ樹脂主剤を効果的に硬化させ、強固な接合も維持される。 （もっと読む）