【課題】半導体パッケージと配線基板との接続信頼性を確保するプリント回路板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】プリント回路板５は、一方の面に複数の半田ボール５３を有したＢＧＡ５０と、半田ボール５３の夫々と対向した位置に電極を有し、ＢＧＡ５０を実装したＢＧＡ搭載基板５１と、一部に開口部５２０を設けてＢＧＡ５０の周囲に連続して形成されており、ＢＧＡ５０とＢＧＡ搭載基板５１とを固着した補強部材５２とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）平均粒子径が０．１〜１．０μｍである球状シリカ粉末を必須成分とし、該球状シリカ粉末を２０〜６０質量％含有する液状エポキシ樹脂組成物であって、（イ）室温における粘度が２０Ｐａ・ｓ以下、（ロ）１２０℃保持における粘度挙動が１０倍に到達する時間が３０〜１００秒、（ハ）１２０℃に加熱された１０μｍの隙間を有する二枚重ねのガラス板の該隙間への深さ１０ｍｍまでの侵入時間が６０秒以下、及び（ニ）１２０℃の雰囲気下に置かれたＳｉの鏡面に３ｍｇ滴下し、広がりが止まった状態でのその直径が５ｍｍ以下である半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【効果】本発明によれば、隙間侵入性と汚染防止の機能を併わせもつ半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びそれを用いたフリップチップ型半導体装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ラジカル硬化系でありながら、高い接着強度を有する接着剤組成物、及び高い接着強度と優れた接続信頼性を有する回路接続体を作製することが可能な回路接続用接着剤を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂、分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤、及び分子内に尿素結合とアルコキシシリル基を有するシランカップリング剤、を含む接着剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】被接着体に対する接着性および剥離性のバランスに優れる接着剤用硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】末端又は側鎖に脂環式エポキシ基を1個以上含有する特定のオルガノシロキサン化合物を含むことを特徴とする接着剤用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡便な技術でモジュール製造時のモジュール基板の反りを防止したモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モジュール１は、相対する第１の面と第２の面を有するモジュール基板２と、第１の面に固定された電子部品４と、マザーボード７と電気的な接続を行うための外部端子３と、外部端子３の近傍に塗布された、第１の面側の収縮率と前記第２の面側の収縮率の差により生じる反りを打ち消す凝固収縮率を有する反り防止樹脂６とを有している。このため、モジュール１をマザーボード７への取り付けに際し、モジュール基板２の反りによって発生する外部端子３及びマザーボード７がオープン（非接触）になる現象を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装時に生じるクラックの発生を簡便且つ確実に防止できる、半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実装基板４００と実装基板４００に電気的に接続されたバンプ１３０を能動面に有する電子部品１００とを備え、実装基板４００に電子部品１００が樹脂層２５０を介して実装される半導体装置１の製造方法である。電子部品１００の形成用基板における複数の領域の各々に、バンプ１３０を含む電子部品１００の構成要素を形成する。その後、形成用基板の複数の領域にわたって溝状の凹部を有する樹脂膜を一括して形成する。そして、形成用基板を個片化して電子部品１００を形成するとともに樹脂膜を個片化して凹部２４０を有する樹脂層２５０を形成する。さらに、樹脂層２５０を介して電子部品１００を実装基板４００に固着させる。 （もっと読む）

【課題】室温でタック性を有し、フォトリソグラフィー法によりパターン形成が可能であり、フォトリソグラフィー法により硬化された後でも熱圧着で高い接着性を示す接着剤組成物及び接着フィルムを提供する。
【解決手段】有機弾性微粒子を含む粒子と、熱硬化性エポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリロイル基を含む光硬化性樹脂と、光重合触媒とからなる接着剤組成物で、光硬化性樹脂は式Ｉおよび式IIのうち少なくとも1つで表される構造を側鎖に有する接着剤組成物を提供する。
式Ｉ：[(CH2)mCOO]n
式II：[(CH2)mOCO]n
（式中mは独立に２以上１０以下であり、nは独立に１以上３以下である） （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、半導体素子、チップ部品またはディスクリート部品を、マイグレーションを発生させないで印刷配線基板に接着できる導電性接着剤を提供する。
【解決手段】導電粒子および樹脂を含む導電性接着剤において、該導電粒子の３０重量％以上が銀と錫から実質的になり、該導電接着剤の金属成分の銀：錫のモル比が７７．５：２２．５〜０：１００の範囲にあることを特徴とする導電性接着剤；およびそれを用いて接合させた回路。 （もっと読む）

【課題】接着樹脂層が基材フィルムから容易に引き剥がせると共に、接着剤層の性能低下が発生しない半導体加工用接着フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルム、分離層、および接着剤層がこの順に積層された半導体ウェハ加工用接着フィルムであって、分離層と接着剤層の凝集力が分離層＜接着剤層の関係である、半導体ウェハ加工用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】極めて簡便に層間接着剤が付着した半導体チップを得ることができ、凸状電極を有する半導体チップであっても接続信頼性の高い高積層型の半導体チップ積層体を製造することができる半導体チップ積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】接着シートの層間接着用接着剤層２２と、表面に凸状電極１２を有するウエハ１貼り合わせる工程と、ウエハを研削する工程と、接着シートにエネルギー線を照射して層間接着用接着剤層を半硬化させる工程と、接着シートから基材フィルム２１を剥離して、半硬化した層間接着用接着剤層が付着したウエハを得る工程と、ウエハをダイシングして個片化する工程と、半硬化した層間接着用接着剤層が付着した半導体チップを、半硬化した層間接着用接着剤層を介して基板又は他の半導体に接着して半導体チップ積層体を得る工程とを有する半導体チップ積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い実装体を実現可能とする基板間の接続方法を提供することにある。
【解決手段】複数の電極１１、１３をそれぞれ有する基板１０、１２間に、導電性粒子１５及び気泡発生剤が含有された樹脂１４を供給した後、樹脂１４を加熱して樹脂１４中に含有する導電性粒子１５を溶融させるとともに、気泡発生剤から気泡２０を発生させる。少なくとも一方の基板１０、１２には、段差部１６、１７が形成されており、樹脂１４の加熱工程において、気泡が２０成長することで、樹脂１４が気泡２０外に押し出されることによって、樹脂１４中の溶融した導電性粒子１５が、電極１１、１３間に誘導されて接合体２１が形成されるとともに、樹脂１４が、段差部１６、１７における基板１０、１２間に誘導され、樹脂１４が硬化されることによって、基板１０、１２とが固定される。 （もっと読む）

【課題】基材にベアＩＣチップを実装して、品質の高い電子回路基板を効率良く生産することができる電子回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】インレット用基材２１のうちベアＩＣチップ２３が実装される位置に、第１接着剤４１が、第１のディスペンサー３１により、ベアＩＣチップ２３のバンプ２５に達しない程度の量だけ塗布される。次に、超音波を印加することができるピックアップノズル１５により、半導体ウェハー１６を個別に切り出して形成された個々のベアＩＣチップ２３が、インレット用基材２１に塗布された第１接着剤４１上に各々載置される。その後、ピックアップノズル１５がＩＣチップ２３に対して超音波を印加し、このことにより、ベアＩＣチップ２３のバンプ２５とアンテナ２２とが電気的に接合される。更に、インレット用基材２１およびベアＩＣチップ２３に、第２接着剤４２が、第２のディスペンサー３２により、ベアＩＣチップ２３の上面全域および側面外周全域を覆うように塗布される。 （もっと読む）

【課題】銅バンプを備える半導体装置に好適なアンダーフィル剤を提供する。
【解決手段】下記成分（Ａ）〜（Ｄ）を含むアンダーフィル剤組成物
（Ａ）エポキシ樹脂 １００質量部
（Ｂ）アミン硬化剤又は酸無水物硬化剤を、（Ａ）成分のエポキシ基の当量に対して０．７〜１．２当量
（Ｃ）無機充填剤を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して５０〜５００質量部
（Ｄ）イミダゾールシランカップリング剤を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜１０質量部。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上することである。
【解決手段】半田リフローする際にフラックス剤を使用して半導体素子と基板とを半田バンプで接続した後、前記半導体素子と前記基板との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）アミン系硬化剤と、（Ｃ）前記半田バンプの周辺に存在する前記フラックス剤の残渣を除去する１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５、およびこれらの塩のうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする液状封止樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】吸湿水分の急激な体積膨張による実装部の破壊や、半導体装置の接合部への負荷を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１と回路基板３とを、前記半導体素子１の電極上に形成したバンプ２と、前記回路基板３上に設けた配線４とを介して電気的に接合し、前記半導体素子１と回路基板３の間に封止樹脂５を介在させた半導体装置において、前記封止樹脂５に含まれる吸湿成分により発生する応力を減少可能な構造が、回路基板３に形成された貫通穴２１により構成され、前記貫通穴２１の位置が、回路基板３の半導体素子実装領域３ａの隅部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び耐マイグレーション性に優れ、アウトガスの発生を十分に低減した封止充填剤及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の封止充填剤は、１５０℃における溶融粘度が３０〜１００００Ｐａ・ｓであり、１％重量減少温度が３５０℃以上であるポリイミド樹脂を含有する。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以上の高温で半導体チップと基板又は半導体チップ間を半導体封止用接着剤を介して接続する場合のボイドの発生を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 バンプ又は金属配線を有する半導体チップとバンプ又は金属配線を有する基板とを、半導体封止用接着剤を介して３００℃以上の温度で接続するとともに、上記半導体チップと上記基板との間の空隙を上記半導体封止用接着剤で封止充てんする工程を有しており、上記半導体封止用接着剤として、（ａ）熱重量減少量が３５０℃で５０％以下であるエポキシ樹脂と、（ｂ）熱重量減少量が３５０℃で５０％以下である硬化剤と、を含有する半導体封止用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

強化硬化性組成物が説明される。かかる硬化性組成物は、硬化性樹脂、表面修飾ナノ粒子、及びゴムナノドメインを含む。自己集合性ブロックコポリマーより生じるコア−シェルゴムナノドメイン、及びナノゴムドメインの両方が開示される。強化硬化樹脂組成物、及びかかる硬化組成物を含む物品も論じられる。
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【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、先アンダーフィル接合方式において、半導体素子のコーナー部に十分な封止樹脂を設け、かつ信頼性の高い不透明な封止樹脂を使用したフリップチップ接合を可能にする。
【解決手段】半導体チップ１１と前記半導体チップを搭載する回路基板上との間に充填した第１の封止樹脂１４の前記半導体チップの少なくとも４隅におけるはみ出し部を第２の封止樹脂１５で覆い、前記第１の封止樹脂の耐湿性及び耐熱性を前記第２の封止樹脂の耐湿性及び耐熱性より優れたものとする。 （もっと読む）

【課題】低コストで基板にＩＣチップなどの電子部品を実装することが可能であり、電子部品の実装時にポリマー型導電インクによって導電部の端子間が電気的に接続され、回路がショートすることを防止する部品実装基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の部品実装基板の製造方法は、基板１の一方の面１ａに、ポリマー型導電インクを塗布して未乾燥の塗膜２を形成する工程Ａと、この塗膜２における電極部２ａの間に熱可塑性樹脂３を付着する工程Ｂと、電極部２ａに電子部品１１の端子１２が対向するとともに、端子１２間に熱可塑性樹脂３が配されるように、基板１の一方の面１ａに電子部品１１を配置する工程Ｃと、未乾燥の塗膜２を加熱、乾燥させて導電部を形成するとともに、熱可塑性樹脂３を溶融させて導電部の一対の電極間および電子部品の端子１２間に、熱可塑性樹脂３を充填する工程Ｄとを有することを特徴とする。 （もっと読む）