【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子とガラス基板との間に塵埃等が侵入するのを防止するための工程を容易にすることができる撮像素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 撮像素子１より大きく形成され、熱硬化性を有し、撮像素子１の受光面３及び導電性ペースト６，…に対応した開口部９，…が形成される両面接着剤シート８を、ガラス基板２に貼着する工程と、両面接着剤シート８の開口部９，…から露出する電極パターン５の所定部位に導電性ペースト６を塗布する工程と、撮像素子１の受光面３が両面接着剤シート８の開口部９内に収まるようにし且つ撮像素子１の端子４，…が電極パターンに対応するよう撮像素子１を両面接着剤シート８に載置する工程と、導電性ペースト６と共に両面接着剤シート８を加熱する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの封止用樹脂として要請されるボイド発生抑制、耐湿性を維持しつつ、しかも、薄型チップでもフィレット高さを低く抑えることができて加熱治具と樹脂とが接触することがなく、かつ、フィレット形状が均一で封止性に優れる、半導体チップの圧接工法による実装工程に使用する封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決の手段】エポキシ樹脂（Ａ）に対して、固形のフェノールノボラック樹脂又はナフトールノボラック樹脂（Ｂ）を、前記（Ａ）中のエポキシ基のモル数に対するフェノール性水酸基のモル数が０．０１〜０．３倍となる割合で、及び、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸（Ｃ）を、前記（Ａ）中のエポキシ基のモル数に対する酸無水物基のモル数の２倍が０．６〜１．２倍となる割合で、それぞれ含有する樹脂先置き型フリップチップ実装における半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子とガラス基板との間に塵埃等が侵入するのを防止するための工程を容易にする又は省略することができる撮像素子パッケージの製造方法及び撮像素子パッケージを提供する。
【解決手段】 撮像素子１と略同じ大きさに形成される開口部８を有するガラス枠体９を備え、ガラス枠体は、開口部８内に撮像素子１を配置し且つガラス基板２の電極パターン５，…を被覆するようにガラス基板２に固定されるべく、ガラスペーストをガラス枠体９の形状に対応して電極パターン５の上からガラス基板２に塗布する工程と、ガラスペーストを焼成する工程と、撮像素子１をガラス枠体９の開口部８内に配置する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子とガラス基板との間に塵埃等が侵入するのを防止するための工程を容易にすることができる撮像素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 熱可塑性接着剤８を撮像素子１の受光面３を囲い得る枠状となるようガラス基板２に塗布する工程と、電極パターン５の所定部位に導電性ペースト６を塗布する工程と、撮像素子１の受光面３が枠内に収まるようにし且つ撮像素子１の端子４が電極パターン５に対応するよう撮像素子１をガラス基板２に載置する工程と、外部接続端子４を載置する工程と、電極パターン５及び撮像素子１及び外部接続端子７間を電気的に接続するための導電性ペースト６と共に熱可塑性接着剤８を加熱する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＮＳＭＤ型ランド構造を有するＢＧＡ型パッケージの半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】配線基板ＷＢの表面に配置された半導体チップと、配線基板ＷＢの裏面ｓ２に配置された配線ＭＷ、配線ＭＷ端のランド部ＭＬ、ソルダレジストＳＲ、ボール電極ＥＢ、および、保護樹脂ＰＲとを有する半導体装置であって、半導体チップと配線ＭＷとは電気的に接続され、ソルダレジストＳＲは配線基板ＷＢの裏面ｓ２において配線ＭＷを覆うように形成され、ソルダレジストＳＲはランド部ＭＬ上においてＮＳＭＤ型の開口部ＯＦを有し、ボール電極ＥＢはランド部ＭＬに電気的に接続されるようにして形成され、保護樹脂ＰＲはボール電極ＥＢとランド部ＭＬとの接触部を含むソルダレジストＳＲの開口部ＯＦ内を埋め込むようにして形成され、保護樹脂ＰＲは有機酸、溶剤、および、硬化剤を含む熱硬化性樹脂である。 （もっと読む）

【課題】 フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。また、半導体装置の製造方法は、上記半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記半導体素子をピックアップして基板に搭載する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品を低い加圧力で接続することができ且つ高い接続信頼性を確保できる簡易な実装構造および電子部品実装体を形成する。
【解決手段】微細配線層と脆弱な低誘電率絶縁膜とから成る多層配線層１ｂを持った半導体素子１の電極端子１ａと、回路基板６の電極端子６ａ（ここではその上に形成した突起電極５）とを導電性接着剤２を介して接続し、半導体素子１と回路基板６との間に封止樹脂４を充填した実装構造において、導電性接着剤２による接続部の周囲に応力緩和層３を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグ等の半導体装置における半導体チップの実装に関して、従来のＡＣＰ実装等に代えて、安価かつ高接続強度の半導体チップの実装を行うことで、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プリント配線基板の基板電極には少なくとも一つの凸部を、半導体チップのバンプ電極には少なくとも一つの凹部を形成し、前記凸部の少なくとも一つと前記凹部の少なくとも一つを嵌合して電気的接続をさせることで、安価かつ高強度にて半導体チップの基板電極への実装を行う。その結果、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】塗布性に優れており、かつ電子部品の接合に用いられた場合に、電子部品の厚みが薄くても、電子部品に反りが生じるのを抑制することができる電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】脂肪族ポリエーテル骨格とグリシジルエーテルとを有するエポキシ化合物（Ａ１）と、フェニル基を表面に有するシリカ粒子（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）とを含有し、エポキシ化合物（Ａ１）１００重量部に対し、シリカ粒子（Ｂ）を１００〜４００重量部の割合で含有する電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＧ実装であっても表示ムラの発生を大幅に改善することが可能な半導体チップの実装方法及び液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶パネル１０は、互いに対向する主面１２ａ，１２ｂを有するガラス基板１２と、ガラス基板１２の主面１２ａに熱硬化性樹脂２０を介して搭載された半導体チップ１４と、ガラス基板１２の主面１２ｂに熱硬化性樹脂２４を介して搭載されたダミーチップ１６とを備える。半導体チップ１４は、主面１２ａ，１２ｂの対向方向から見て、矩形状を呈している。半導体チップ１４とダミーチップ１６とは、主面１２ａ，１２ｂの対向方向から見たときに重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】実装後の半導体チップと配線基板の熱膨張係数差に起因する接続部破壊を抑制する電子デバイスを提供する。
【解決手段】半導体チップは、配線基板と、チップ部品４とを有する。配線基板は、第１主面および第２主面を有する絶縁樹脂層１と、絶縁樹脂層１の第２主面側に配置された第１の配線層２とを有する。チップ部品４は、下面に突起電極５を有する。絶縁樹脂層１は、チップ部品４の下面と側面とが絶縁樹脂層１に接し、チップ部品４の上面が絶縁樹脂層１の第１の主面側に露出する態様で、チップ部品４を保持し、チップ部品の突起電極５が第１の配線層２と接続されている。チップ部品４は絶縁樹脂層１の第１主面より突出している。 （もっと読む）

裏面研削工程、ダイシング工程及びピックアップ工程およびダイアタッチ工程を同時に行うことができる半導体パッケージ用複合機能テープを提供する。特に、粘着層と第２の接着層との界面に、紫外線硬化剤を含み紫外線照射時に粘着層とともに硬化する第１の接着層をおくことで、複合機能テープの粘着層の剥離特性をより向上させることができる。本発明に係る半導体パッケージ用複合機能テープは、基材フィルムの一面に形成された紫外線硬化型粘着層、前記紫外線硬化型粘着層上に形成される第１の接着層及び第２の接着層を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成される接着剤層の性能低下が抑えられる半導体ウエハのバックグラインド方法、半導体ウエハのダイシング方法、及び半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０のバックグラインド方法は、突出電極１０ａを埋め込むように、半導体ウエハ１０の主面Ｓ１上に絶縁性接着剤層１３を形成する接着剤層形成工程と、接着剤層形成工程で形成された絶縁性接着剤層１３上にバックグラインドテープＢＴを設置するテープ設置工程と、バックグラインドテープＢＴが設置された面の反対側に位置する半導体ウエハの裏面Ｓ２を研削し、半導体ウエハ１０を薄化する研削工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】流動性に優れて作業性が良く、加熱加圧の圧接時にボイドの巻込みなどの不具合もなく、半導体チップ直下でないフィレット部の硬化性を高めて、しかもその形状の不具合もなく、電極間への噛み込みも抑えて電極接続性を良好ともすることのできる、アンダーフィル封止先塗布用の新しい液状エポキシ樹脂とこれを用いた封止方法、そしてこれによる封止半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板１上に塗布された後に半導体チップ３が搭載され、次いで半導体チップ３上部からの加温による熱伝導で硬化されるアンダーフィル封止先塗布用の樹脂組成物２であって、エポキシ樹脂および硬化剤と共に、無機充填材として、最大粒径が０．５μｍ以上１５μｍ以下の球状酸化アルミニウムを組成物の全体に対する体積含有率として５ｖｏｌ％以上５０ｖｏｌ％以下で含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】全面にわたって均一な条件で、効率よく安全に基板を接合する。
【解決手段】一対の基板を接合する接合装置であって、一方の基板の位置を検出して、検出した位置に基づいて、前記一方の基板が他方の基板に近接する方向及び前記一方の基板が前記他方の基板から離反する方向への前記一方の基板の移動を制御する位置制御部と、前記一対の基板が所定の大きさの間隔以下の大きさの間隔で互いに近接していること、または、前記一対の基板が互いに接触していることを検出する近接検知部と、近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知した後に、前記一対の基板の間で作用する圧力を検出し、当該圧力が所与の目標圧力に到達するまで、前記一方の基板を前記他方の基板に向けて加圧する圧力制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極付きの半導体ウェハのバンプ電極面にラミネートすることができ、ダイシング時に切削粉や欠損がなく高速切断可能で、ダイシング時およびフリップチップ実装時のアライメントマークの認識が良好であり、保存安定性と短時間での加熱加圧による接続信頼性に優れた半導体用接着組成物を提供すること。
【解決手段】半導体ウェハのバンプ電極面に形成される半導体用接着組成物であって、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）潜在性硬化剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物が固形エポキシ化合物と液状エポキシ化合物を含有し、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し（ｃ）潜在性硬化剤が１０重量部以上３５重量部以下であることを特徴とする半導体用接着組成物。 （もっと読む）

【課題】複数のバンプ接合部の周辺のみを封止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム部材７０は、複数の絶縁用フィルム部材７１とこれら各絶縁用フィルム部材７１の周縁の一部がそれぞれミシン目７３を介して分断容易に連結される把持用フィルム部材７２とを有する。各絶縁用フィルム部材７１にそれぞれ貫通させた各バンプ６０と、各電極５２とが当接するようにセンサチップ２０と配線基板５０とを近接させる。そして、各バンプ６０と各電極５２とを電気的に接続する。そして、把持用フィルム部材７２を把持して各絶縁用フィルム部材７１から離間させることにより当該把持用フィルム部材７２と各絶縁用フィルム部材７１とをミシン目７３により形成される分断線に沿って分断する。そして、分断後の各絶縁用フィルム部材７１により各バンプ６０および各電極２３，５２との接合部であるバンプ接合部の周囲を封止する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの更なる小型化、高集積化に向けて、電子部品用接着剤を更に薄膜化した場合でも、冷熱サイクルの繰返しに対し、線膨張率が低く、寸法安定性に優れる電子部品用接着剤を提供する
【解決手段】エポキシ化合物と、硬化剤と、無機フィラーとを含有する電子部品用接着剤であって、前記無機フィラーの平均粒子径が１００ｎｍ以下、最大粒子径が２００ｎｍ未満であり、かつ、前記無機フィラーの含有量が３０重量％以上である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】良好な導通接続状態を実現し、端子間の電気的接続性を向上させる端子間の接続方法、および半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しないバインダーと、還元剤とを含む導電性ペーストを介して、端子同士を対向させて配置させる端子配置工程と、５０℃以上、前記導電性粒子の融点以下の温度領域、１０〜３００秒の処理時間、かつ−５〜５℃／秒の単位時間当たりの温度変化で前記導電性ペーストを加熱処理する第一の加熱処理工程と、前記導電性粒子の融点よりも高く、かつ前記バインダーの硬化が完了しない温度で前記導電性ペーストを加熱処理する第二の加熱処理工程と、前記バインダーを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする端子間の接続方法。 （もっと読む）