【課題】基板を有さなくても製造工程中において容易にハンドリングすることが可能な半導体装置の構成と、このような構成を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子６０を封止して樹脂成形された封止樹脂部７０と、封止樹脂部７０の一方の面を被覆する絶縁層３０と、封止樹脂部７０に封止され、絶縁層３０に積層して形成された配線パターン１４と、絶縁層３０に形成された開口部３２に配設され、配線パターン１４に接続して設けられた外部接続端子８０と、配線パターン１４にフリップチップ接続された半導体素子６０の接続部を保護するアンダーフィル樹脂５０と、を有していることを特徴とする半導体装置１００である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの電子構成素子（９）、ならびに該少なくとも１つの電子構成素子（９）をコンタクトする導体路構造を含む電子モジュールに関する。この方法においては、第１ステップにおいて、導体路構造（７）を形成するために導電性フィルム（１）がパターニングされる。第２ステップにおいて、導体路構造（７）に少なくとも１つの電子構成素子（９）が装着される。最後のステップにおいて、前記少なくとも１つの電子構成素子（９）が装着された導電性フィルム（１）の、前記少なくとも１つの電子構成素子（９）が装着されている方の側に、別のフィルムがラミネートされる。
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【課題】気密性の高い封止が可能で、かつ小型化が可能な電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０上にフリップチップ実装されたデバイスチップ２０と、パターン３２の上面とデバイスチップ２０の下面との間に隙間を有するようにデバイスチップ２０の側面に沿って絶縁性基板１０上に設けられたパターン３２と、パターン３２の上面とデバイスチップ２０の下面との間の隙間に埋め込まれ、かつ絶縁性基板１０の上面とデバイスチップ２０の下面との間に空隙２６が形成されるように、デバイスチップ２０およびパターン３２の側面を覆うＳＯＧ酸化膜３０と、を具備する電子部品である。 （もっと読む）

【課題】封止材にボイドを発生させずに半導体チップと配線基板とをフリップチップ接続するボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ４０を配置するステージ１８と、フレキシブル配線基板６７を吸着するボンディングツール２２と、押圧体６１、６２、６３と、押圧手段５１、５２、５３とが備えられ、半導体ウエハ４０に封止材を介してフレキシブル配線基板６７をボンディングする装置であって、押圧体が、半導体ウエハ４０のバンプ電極とフレキシブル配線基板６７の接続パッドとを接合する主押圧体６１と、主押圧体６１の押圧の後に半導体ウエハ４０のバンプ電極側の面のバンプ電極以外の部分とフレキシブル配線基板６７の接続パッド側の面の接続パッド以外の部分とを接合する補助押圧体６２、６３とからなるボンディング装置を用いることにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープをウエハに貼り付ける際に、既存のインライン装置を転用することが可能であり、またテープの切断の際に発生するウエハと切断刃の接触、切断屑のウエハ汚染、切断位置のずれを抑制することができ、かつ粘着剤層を有する基材テープの剥離時のウエハ破損を防ぐことが可能な、ウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープ及びウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープの半導体ウエハ表面への貼り付け方法を提供する。
【解決手段】 粘着剤層を有する基材フィルムと、接着剤であるフィルムを貼り合せた積層型のウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープであって、基材フィルムと積層された接着フィルムの両方又は片方が、半導体ウエハと同形状、同程度の大きさであるウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープ及びウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープの半導体ウエハ表面への貼り付け方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板間の間隙にグリースなどが浸入することによるアンダーフィル樹脂のボイド発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板４上に半導体素子２をフェイスダウンで実装する実装工程と、半導体素子２の周囲に洗浄除去可能な材料で構成される保護部９を半導体素子２と配線基板４との間隙を埋めて形成する保護部形成工程と、半導体素子２の動作検査及び半導体素子２と配線基板４との接続検査を行う検査工程と、保護部９を洗浄除去する保護部除去工程とを有する製造工程とする。 （もっと読む）

【課題】１０秒以下の短時間でも硬化可能であり、かつＯＳＰ処理された基板の接続に安定した接続信頼性を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、リン酸エステルと、導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を１００重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が０．５重量部から２．５重量部の範囲である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】スリット加工することができ、巻重体を重ねて保管しても巻重体同士が固着せず、使用時に均一な厚みの半導体接着組成物の層を有する半導体用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハのバンプ電極面に形成される半導体用接着フィルムであって、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物および（ｃ）マイクロカプセル型硬化促進剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドが１０〜９０重量部、（ｃ）マイクロカプセル型硬化促進剤が２５〜５０重量部であり、（ｂ）エポキシ化合物が液状エポキシ化合物と固形エポキシ化合物を含有し、液状エポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し５０重量％以上９５重量％以下であり、さらに剥離性基材αを有する半導体用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低温でも硬化可能であり、かつＰＥＴ上に形成された基板の接続に十分な接着強度を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供することを目的とする。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、破断伸度が１００％以上１０００％未満のポリエステルウレタン樹脂を含有する回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】複雑な製造工程を経ることなく、容易に製造することができ、電子部品を実装した場合、電子部品から発生する熱を効率的に放出することができるフレキシブル配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線基板は、アウターリード形成領域と、電子部品実装領域とが、両領域の間に形成された第１折り曲げ部を介して隣接する可撓性絶縁基板と、可撓性絶縁基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル配線基板であり、フレキシブル配線基板に形成された配線パターンの一方の端部がアウターリードを形成し、他端がインナーリードを形成し、該フレキシブル配線基板は、所定形状に折り曲げが可能なように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウエハプロセスにおいて、優れた作業性と接続信頼性とを両立できる半導体封止用フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】（ａ）ポリイミド樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂及び（ｃ）硬化剤からなる樹脂組成物と無機フィラーとを含有し、５５５ｎｍにおける光透過率が１０％以上であり、上記樹脂組成物と上記無機フィラーとの屈折率の差の絶対値が０．１５以下である半導体封止用フィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との高い接続信頼性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一方面Ｓ１に形成された突起電極２を埋め込むように絶縁性樹脂層３を形成する被覆工程と、ダイシングテープ５上に半導体ウェハ１を固定するダイシング準備工程と、半導体ウェハ１を絶縁性樹脂層３とともに切断して半導体チップ８を得るダイシング工程と、絶縁性樹脂層３を有する半導体チップ８をピックアップするピックアップ工程と、基板１２の表面に設けられた電極１２ａ及び半導体チップ８の突起電極２の位置を合わせる位置調整工程と、位置調整工程後、半導体チップ８を基板１２に押し当てるとともに熱を加えることによって、半導体チップ８を基板１２に実装する接続工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路部材を低温短時間で接続する場合であっても、十分に高い接着力を発現できる接着剤組成物、それを用いた回路接続用接着剤、並びに、接続体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤組成物は、（ａ）熱可塑性樹脂と、（ｂ）分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤と、（ｄ）分子内にチオウレタン結合及びアルコキシシリル基を有するシランカップリング剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の封止用に用いた場合に作業性に十分優れており、３００℃以上に加熱した場合であってもボイドの発生を十分に抑制し、接続信頼性と絶縁信頼性とに十分優れた半導体装置を製造可能な半導体封止用フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体封止用フィルム状接着剤は、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化促進剤とを含有する。そして、（ｂ）硬化促進剤が１２０℃以上の融点を有し、（ｂ）硬化促進剤の活性領域が１２０℃以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温短時間で硬化させた場合であっても、十分な接着性及び接続信頼性を得ることを可能とする接着剤組成物、それを用いた回路接続用接着剤及び接続体を提供すること。
【解決手段】（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、及び（ｄ）加熱によりイソシアネートを生成する官能基を有するシランカップリング剤を含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ４及び圧着ヘッド５を有する圧着装置１０によって半導体チップ３と基板１との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層２とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップがフリップチップ接続される配線基板と、半導体チップと配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、ボイドの発生を防いで、半導体装置の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板本体２１の上面２１Ａに、基板本体２１の上面２１Ａ、パッド２２、及びはんだ２３との間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂３１を貼り付け、次いで、フィルム状アンダーフィル樹脂３１の上面３１Ａを平坦化し、その後、上面３１Ａが平坦化されたフィルム状アンダーフィル樹脂３１に半導体チップ１２を押圧して、パッド２２に半導体チップ１２をフリップチップ接続した。 （もっと読む）

【課題】高温加熱に伴うボイドの発生を十分に抑制でき、十分に高い埋め込み性を示すと共に、接続信頼性と絶縁信頼性とに十分優れた半導体装置を製造可能な半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノール樹脂及び（ｃ）酸化防止剤を含有する半導体封止用接着剤。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温で接続を行った場合であってもボイドの発生を抑制でき、かつ製造される半導体が優れた接続信頼性を有する半導体封止用接着剤、並びにそれを用いた半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供すること。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、および（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物を含有する半導体封止用接着剤。（ｃ）重量平均分子量が１００００以上の高分子成分をさらに含む。高分子成分が（ｄ）ポリイミドをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）