【課題】使用材料の種類や部品点数が増加してコストアップを招くことなく、製造工程数を増加することなく、しかも絶縁基板の熱収縮を小さく保持して接続精度を確保しながら、半導体の放熱効果を高めた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性絶縁基板２６の表面に、プリント配線技術によって形成した導体パターン３０に接続し、フリップチップ実装して絶縁基板上に半導体４２を搭載する半導体装置４７である。そのような半導体装置において、半導体の搭載位置における絶縁基板の裏面に、熱伝導性ペーストを塗布して硬化させることにより放熱体３７を形成してなり、半導体の搭載位置に絶縁基板の表裏を貫通する貫通孔３８を有し、その貫通孔に注入して、半導体を封止するとともに、その半導体を放熱体に連結する高熱伝導性の封止樹脂４６を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】腐食防止性、導通信頼性が高い電気装置を製造可能な異方導電性接着剤を提供する。
【解決手段】本発明の異方導電性接着剤３０は、バインダー３１と、バインダー３１中に分散された導電性粒子３５とを有している。バインダー３１には、熱硬化性樹脂と、下記一般式（１）で示されるシルセスキオキサンが含有されており、熱硬化性樹脂と、シルセスキオキサンが重合するので、バインダー３１の硬化物は疎水性が高く、硬度も高くなる。
（ＲＳｉ−Ｏ_3/2）ｎ……一般式（１） （もっと読む）

【課題】リペア、リワークの可能な半導体製品を与え、かつサイドフィル材としては、液状成分のブリードを抑制でき、サイドフィル材の基板と素子との間の間隙への侵入を防止し得、アンダーフィル材としては、隙間侵入性が良好である実装用封止材、及びこれにより封止された半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール系硬化剤、
（Ｃ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
（Ｄ）無機充填剤
を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる、基板と該基板上に搭載された素子とを有する半導体装置の実装用封止材、及びこの封止材により封止された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電子部品実装体において、電子部品とは反対側の基材表面に突起電極の頂部を露出させた状態とした際に、当該表面に所定パターンを高精度に形成することができ、実装時の密着性も確保できる製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の電子部品実装体の製造方法は、突起電極１２を備えた電子部品１０を、熱可塑性樹脂からなる基材２０に実装した電子部品実装体の製造方法において、前記突起電極の突出高さ１２ｈの２倍以上の厚み２０ｄを有する前記基材に対して加熱しながら前記電子部品を押圧することにより前記突起電極を前記基材中に埋設する電極埋設工程と、前記電子部品とは反対側の基材表面を部分的に除去することにより、前記突起電極の頂部を前記基材表面上に露出させる基材除去工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法において、フィラーが高充填されている樹脂を基板へ先塗りする場合に、半導体のバンプと基板のパッド電極との間にフィラーが挟みこまれることがなく、バンプを確実にパッド電極に接触させ、信頼性高くリフローはんだ付けできるようにする。
【解決手段】基板５２へ樹脂を先塗りし、その後に、バンプ付き半導体５０を前記基板５２へ搭載して、基板５２のパッド電極５３とバンプ５１とを接合するノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法において、基板５２のパッド電極５３以外の領域へフィラー５５が高充填されている樹脂５４ａを塗布するとともに、基板５２のパッド電極５３部分にフィラーが充填されていない樹脂５４ｂを塗布し、その後に、バンプ付き半導体５０を基板５２の所定位置へ搭載する。 （もっと読む）

マイクロフォン組立品は、キャリヤと、シリコンベースのトランスデューサと、導電素子と、アンダーフィル剤とを備える。キャリヤは、電気的接触要素を保持する第１の面を有している。シリコンベースのトランスデューサは、置換可能なダイアフラムおよび電気的接触要素を備える。トランスデューサは、キャリヤの第１の面上に一定間隔で配置される。導電材料は、キャリヤの電気的接触要素とシリコンベースのトランスデューサとの間に電気的接触を得るように配置される。アンダーフィル剤は、シリコンベースのトランスデューサとキャリヤとの間の空隙に配置される。アンダーフィル剤は、４０ｐｐｍ／℃を下回るアンダーフィル熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがフェイスダウン実装された半導体装置において、半導体チップやバンプ周辺部分の損傷を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＢＧＡ基板１１０、半導体チップ１０１、バンプ１０６およびバンプ１０６の周囲に充填されたアンダーフィル１０８とを備えている。半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。バンプ１０６は鉛フリーはんだからなる。アンダーフィル１０８は、弾性率が１５０ＭＰａ以上８００ＭＰａ以下の樹脂材料により構成され、ＢＧＡ基板１１０の基板面内方向の線膨張率は１４ｐｐｍ／℃未満となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の実装方法及び実装構造を提供する。
【解決手段】電極３と、電極３よりも突出した第１の樹脂（フェノール樹脂）により形成される凸部５と、電極３に電気的に接続されるとともに凸部５の上面を被覆する導電層６とを備える半導体装置１を、加熱加圧処理を施すことにより接合材２５を介して実装基板（配線基板）２０に実装する。その際、接合材２５は第２の樹脂（エポキシ樹脂）により形成される。ここでは、第１の樹脂（フェノール樹脂）としてそのガラス転移温度が第２の樹脂（エポキシ樹脂）の硬化温度より高いものを用いる。 （もっと読む）

本発明は、電子、特に微細電子機能群とそのような機能群の製造方法に関する。本発明の方法は、以下のステップを含む。a) キャリア（5a）を非導電性接着剤でコーティングし、b)導体構造を前記接着層（4a）の一部に適用し、c) 少なくとも一つの外部接続接点（2）を備えた電子部品（1）を前記接着層（4a）と前記導体構造（3）とに配置し、前記電子部品（1）の前記少なくとも一つの接続接点（2）が前記導体構造（3）と直接接触し、前記部品（1）の外郭の一部が前記接着層（4a）と直接接触する。本発明の方法は、電子、特に微細電子機能群を、注意を払い、素早く、特に低コストで実現可能とする。 （もっと読む）

【課題】素子を配列した基板から他の基板へ素子を転写する際の製造工程の簡易化を図ることを目的とする。
【解決手段】第一の基板３１上に配列された素子を第二の基板３４上に転写する素子転写方法であって、第二の基板３４上に電気配線３６を形成する工程と、電気配線３６上に粘着層３５を形成する工程と、第一の基板３１上に配列された素子３３ａを、電気配線３６と電気的に接続するまで粘着層３５に埋入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】屈曲させても割れ、剥がれの発生がなく取り扱うことができ、ラミネート時にバンプ電極が狭ピッチ、高ピン数のバンプ電極付きの半導体ウェハの電極側にラミネートすることができ、ダイシング時に切削粉の汚染や欠損がなく高速切断可能で、熱伝導率が大きい半導体用接着組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）導電性粒子とを含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）導電性粒子とを０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において液状である化合物と２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において固形である化合物を含有し、液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下である半導体用接着組成物である。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ボイド発生がなく、フィレット形成性に優れた電子部品封止用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された信頼性（耐湿性、耐熱衝撃性）の高い電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）平均粒径が２μｍ未満のヒドラジド化合物及び（Ｄ）平均粒径が２μｍ未満の無機充填剤を含有することを特徴とする電子部品封止用液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を抑制し、信頼性の高いフリップチップ実装を実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ２０の一方の主面２２に２次元状に形成された複数の電極２４を、基板３０上の対応する導電性領域３２、３４に接合するステップと、真空雰囲気中で、半導体チップの一方の主面と基板との間にアンダーフィル用樹脂４０を供給するステップと、アンダーフィル樹脂４０が供給された半導体チップおよび基板を大気中に露出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フラックス剤を用いる工程を経て製造される半導体装置の信頼性を向上することができる液状封止剤組成物を提供する。
【解決手段】半田リフローする際にフラックス剤を使用して半導体素子と基板とを半田バンプで接続し、該フラックス剤を洗浄した後に前記半導体素子と前記基板との間を封止するために用いる液状封止樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、アミン系硬化剤と、洗浄後の前記フラックス剤の残渣を除去するアミノ基を有する化合物および／またはチオール基を有する化合物と、を含む。また、前記半導体素子と前記基板との間を、上記に記載の液状封止樹脂組成物の硬化物で封止する。 （もっと読む）

【課題】 回路部材を低温短時間で接続する場合であっても、対向する電極間の接続抵抗を十分小さくすることができ、部材間を良好に接続できる接着剤組成物、それを用いた回路接続用接着剤、並びに、接続体及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する接着剤組成物は、（ａ）熱可塑性樹脂と、（ｂ）分子内に（メタ）アクリロイル基を２個以上有するラジカル重合性化合物と、（ｃ）ラジカル重合開始剤と、（ｄ）シクロペンタジエン、シクロペンタジエン単重合体、当該重合体の変性物、シクロペンタジエン及びこれと共重合可能なモノマーの共重合体、当該共重合体の変性物、並びに、テルペンのうちから選ばれる一種以上の流動性付与剤とを含有するものである。 （もっと読む）

【課題】モジュールを親基板へ半田付け時に、チップ部品の半田の溶融膨張でチップと基板との隙間でショートする。
【解決手段】半導体素子の側面の中央部において第１の樹脂が前記半導体素子側面に付着するように、前記半導体素子と前記基板との間の隙間に前記第１の樹脂を注入する工程と、この工程の後で前記半導体素子の角部近傍に第２の樹脂を塗布する工程と、この工程の後で少なくとも前記第２の樹脂を硬化させる工程とを有し、前記第２の樹脂を塗布する工程における前記第２の樹脂の粘度は、前記第１の樹脂を注入する工程における前記第１の樹脂の粘度より大きくしたものである。これにより第１の樹脂でチップ部品や半田が覆われ難くなり、半田が溶融膨張しても、チップと基板との隙間へ噴出することはない。 （もっと読む）

【課題】配線からの金属イオンの析出によるマイグレーション発生を防止できる、高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】ベースフィルム１に複数の配線９が配置されたフレキシブル配線基板１１と、上記フレキシブル配線基板１１に搭載された半導体チップ５と、フレキシブル配線基板１１と半導体チップ５との間に、少なくとも一部が配線９に接するように配置された封止樹脂６を有し、封止樹脂６に金属イオン結合剤が混合されている。 （もっと読む）

【課題】屈曲による割れ、剥がれの発生がなく、バンプ電極が狭ピッチ、高ピン数のバンプ電極付きの半導体ウェハの電極側にラミネートすることができ、ダイシング時に切削粉の汚染や欠損がなく高速切断可能で、比誘電率が大きい半導体用接着組成物の提供。
【解決手段】（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）ペロブスカイト型結晶構造あるいは複合ペロブスカイト型結晶構造を有する高誘電率無機粒子とを含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍで液状、２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍで固形である化合物を含有し、液状エポキシ化合物含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下である半導体用接着組成物。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装時に半導体素子と回路実装基板との間からはみ出した樹脂シート材と回路実装基板との密着性を、生産性を損なうことなく改善できる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フリップチップ実装時の本圧着工程で付加される高温高荷重により半導体素子１と回路実装基板４との間からはみ出した封止樹脂材は、回路実装基板４における半導体素子１の実装位置の外側に設けた突部９によって広がりが規制される。半導体素子を回路実装基板に高温高荷重で押し付ける際の熱が突部９に伝わることによって、突部９に接触して広がりが食い止められた封止樹脂材が確実に熱硬化する。 （もっと読む）

【課題】屈曲させても割れ、剥がれの発生がなく取り扱うことができ、ダイシング時に切削粉の汚染や欠損がなく高速切断可能で、熱伝導率が大きい半導体用接着組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化硼素、酸化アルミニウムから選択される少なくとも１種の無機粒子を含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０⁵Ｎ／ｍ²において液状である化合物と２５℃、１．０１３×１０⁵Ｎ／ｍ²において固形である化合物を含有し、液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下である半導体用接着組成物。 （もっと読む）