本発明の電極間接続構造体形成方法では、表面（１１０ａ）に第１電極部（１１１）を有する第１接続対象物（１１０）に対して、開口部（１３０ａ）を有する接着層（１３０）を、開口部（１３０ａ）から第１電極部（１１１）が露出し、かつ、表面（１１０ａ）の少なくとも一部を覆うように形成する工程と、第２電極部（１２１）を有する第２接続対象物（１２０）を、第１接続対象物（１１０）に対して、第１電極部（１１１）と第２電極部（１２１）が対向しつつ接着層（１３０）が第２接続対象物（１２０）に接するように配置する工程と、第１電極部（１１１）および第２電極部（１２１）が導体部（１４０）を介して電気的に接続されるとともに接着層（１３０）が硬化するように加熱処理を行う接続工程とが含まれている。
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【課題】 常温での接合が可能であり、実装の位置精度も向上する半導体チップのフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】
半導体チップ５２のフリップチップ実装方法において、半導体チップ５２の基板５０への搭載前もしくは接合時に、絶縁性接着剤５１に熱以外の硬化トリガーを与える工程と、該硬化トリガーを与えたことにより絶縁性接着剤５１の硬化が進行する間に、半導体チップ５２のバンプを基板５０のパッドに圧接方法もしくは金属間結合方法により接合する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装に要する時間を短縮できると共に、品質の向上が可能な電子部品の基板実装方法、及び基板実装装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の電子部品の基板実装装置１は、基板１０に電子部品１１を実装する実装手段１２と、基板１０を所定の位置に供給する基板供給手段１７と、電子部品１１を実装手段１２に供給する電子部品供給手段１４と、実装手段１２によって電子部品１１が実装された基板１０を所定の位置まで搬送する基板戻り搬送手段３２と、基板供給手段１７から供給された基板を着脱自在に保持し、且つ所定値以上の熱容量を有するキャリア１００と、基板送り手段１３の基板搬送開始位置１３ａから所定の位置まで、キャリア１００を搬送しながら加熱するキャリア加熱移動手段１０１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂からなるフィルムを基板とし、この基板上に形成されたリードとチップのバンプとが電気的に接続され、前記チップと基板の隙間と、チップの側面とチップ周囲の基板面との間を、異なる樹脂で封止する方法として、両樹脂による封止が確実に行われ、温度サイクルテストでリードにクラックが生じないようにできる方法を提供する
【解決手段】チップ５とポリイミドフィルムからなる基板１との間に第１の封止樹脂４を、平面視でチップの全外形線５１より外側に至るように供給した後、第１の封止樹脂４より線膨張係数が小さい第２の封止樹脂７を用いて、チップ５の側面と基板１との間を封止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の導電部間を接合する際に、加熱加圧による接着剤の漏れ出しを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電部１２ａと、これと対向する第２導電部１２ｂとが接合されてなる半導体装置の製造方法であって、前記第１導電部１２ａと前記第２導電部１２ｂとを、金属酸化物粒子を含む接着材５により接合させる接合工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

チップおよびパッケージ型式基板を有する集積回路チップ構造の種々の特性を助長する。種々の実施例において、カーボンナノチューブ充填材料（１１０）を、集積回路チップ（２２０，３４０）とパッケージ型基板（２１０，３５０）と間の構成に使用する。カーボンナノチューブ充填材料は、パッケージの封入（モールド化合物（３３０）として）、ダイ接着（３７４）、フリップチップのアンダーフィル（２４０）など多様な用途に使用される。カーボンナノチューブは、強度、熱伝導性、導電性、耐久性、流動性など、多様な特性を助長する。
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【課題】 簡易な工程が可能で、かつ薄型化が可能な半導体装置および半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 基板上に電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターンが形成された基板に、電子部品である集積回路を位置決めされた所定の電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターン電極と対向させる。ここに、電子部品は、基板の電極と接合するために接合部電極上にある電気絶縁樹脂を排除する。集積回路がフリップチップボンデイング装置のヘッドに吸着され熱及び荷重及び超音波振動を印加することにより所定の電極上にある電気絶縁樹脂を排除し、導電バンプが金属配線パターンと接合または接触して導通を得る。 （もっと読む）

【課題】 回路基板に実装部品を接続する方法であって、これらの接続後に生じる回路基板の反りを防止できる実装方法を提供する。
【解決手段】 第一電極１２を有する回路基板１０と第二電極３１を有する実装部品３０とを、第一電極１２と第二電極３１を対向させ、回路基板１０と実装部品３０の間に接着剤２０を介在させてステージ４１上に配置する位置決め工程と、ステージ４１に対向して設置してあるヘッド４２をステージ４１方向に移動させ、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加圧する加圧工程と、加圧状態を保持しながら、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加熱する加熱工程と、ヘッド４２を移動し、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０の加圧状態を解除する圧力解除工程と、を有する実装方法。 （もっと読む）

【課題】 電子機器や電子部品となる半導体装置の実装構造の薄厚化を可能にし、しかもフレキシブル性を有して曲げに対する耐性も強い、半導体装置の実装構造とこれを製造する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】 フレキシブル基板１上に半導体チップ２をフェースダウンで実装する、半導体装置の実装方法である。フレキシブル基板１上に、絶縁性樹脂からなる緩衝層３を形成する工程と、緩衝層３上に配線４を形成する工程と、配線４の接続部４ａと半導体チップ２の端子７との少なくとも一方に、液滴吐出法で金属微粒子を分散液に分散させてなる液状体を配する工程と、液状体を介して配線４の接続部４ａと半導体チップ２の端子７とを接合する工程と、液状体を焼成して金属微粒子を焼結し、配線４の接続部４ａと半導体チップ２の端子７とを接続するとともに電気的に導通させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

ＰＣＢ上に実装された集積回路（ＩＣ）を備えるプリント回路板（ＰＣＢ）組立体の熱伝導度を改善する方法と装置である。空所がＰＣＢ内に形成され、除去された部分の回路基板の熱伝導度より高い熱伝導度を有するデバイスまたは材料が空所内に配置される。また、ＰＣＢは少なくとも１つの回路トレースを含み、ＩＣダイは、その上の電気的接触パッドをＰＣＢの回路トレースと相互接続する少なくとも１つの電気的相互接続によってＰＣＢに相互接続される。空所内に相対的に高い熱伝導度を有する材料を配置することによって、熱ネルギー放散効果が改善される。
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【課題】ＬＥＤベアチップ等の発光素子と基板との間の空隙をなくすことができ、出力光の色度が均一で、発光効率の高い発光光源を提供する。
【解決手段】発光素子（１）と、導体パターン（４）を含む基板（２）と、蛍光体と透光性母材とを含む蛍光体層材料（３）とを含み、発光素子（１）は導体パターン（４ｂ）に接続され、蛍光体層材料（３）は発光素子（１）を被覆し、発光素子（１）と基板（２）との間に蛍光体層材料（３）の少なくとも透光性母材が配置されている発光光源とする。 （もっと読む）

【課題】
アンダーフィル工程を行なわなくても、シリカ粒子が半導体チップと配線基板の間に入らないようにする。
【解決手段】
記配線基板で半導体チップを搭載する面にソルダーレジストを塗布し、そのソルダーレジストを半導体チップとの接続部では除去し、少なくとも半導体チップの外縁に沿って連続した形状の隆起部として残す。半導体チップの回路素子形成面を配線基板に対面させてバンプ電極により配線基板に接続して半導体チップを搭載した後、封止樹脂主材料に半導体チップの回路素子形成面と隆起部との隙間より大きいシリカ粒子を含む封止樹脂を半導体チップ上に滴下して半導体チップを被うとともに、配線基板と半導体チップの回路素子形成面との間で隆起部より内側の領域にはシリカ粒子を含まない封止樹脂主材料を浸入させて封止する。 （もっと読む）

本発明は、支持体上でのシリコンチップ等の電子コンポーネントの組立てプロセスに係わり、その方法は、予め定められた少なくとも１つのパッド（４１Ａ）に１つのバンプ（４２）が備わっている、複数の接続用パッドを有する電子コンポーネント（４０）を提供する手順と；前記バンプを介して前記予め定められたパッドに電気的に接続すべき少なくとも１つの端子（３１）を有する支持体（３０）を提供する手順と；バンプが備わった前記予め定められたパッドと前記端子を対面させて置き、前記バンプと前記端子を接触させ、既定の温度及び圧力条件下でこれらを互いに組み立てる手順と；を具備する。前記バンプと前記端子を接触させ固定する前に、前記端子の表面を絶縁層（３２）で被覆し、前記絶縁層は、前記温度及び圧力条件下で前記バンプが横断できるように選択された材料でできている。
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【課題】 半導体装置の組み立てにおいてワイヤボンディングの接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５の主面５ａにソルダレジスト膜５ｈの表面より凹んだ溝部５ｄが形成され、この溝部５ｄが半導体チップ１の内側から外側にまたがるように半導体チップ１を配置し、その後、半導体チップ１を押圧してフリップチップ接続することにより、半導体チップ１の下部からはみ出ようとするＮＣＰ７を溝部５ｄに流れ込ませてＮＣＰ７のはみ出し量を低減することができ、その結果、ＮＣＰ７はチップ搭載領域の外側に配置されたワイヤ接続用端子まで到達しないため、ワイヤ接続用端子にＮＣＰ７が付着することを防止でき、半導体装置におけるワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップが配線基板に電気的接続された半導体装置であって、分解が容易でリペアやリサイクルに有利で、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された電極および配線基板上に形成された電極を真空または電極と反応しないガスを封止した枠構造を用いて封止することによって、封止樹脂を用いることなく、これらの電極が酸素や水分からの攻撃により劣化することを防止し、さらに、半導体チップ上に形成された電極と配線基板上に形成された電極とを接触により電気的接続を達成することによって、分離可能性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ズリ速度依存性の少ない（チクソトロピー性の小さい）流動特性を有し、しかも低温硬化可能で、しかも長時間の可使時間性にも優れた低粘度の一液無溶剤型のエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止されてなる電子部品装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１に設けられた接続用電極部（半田バンプ）３と配線回路基板２に設けられた接続用電極部（半田パッド）５を対向させた状態で上記配線回路基板２上に半導体装置１が搭載された電子部品装置である。そして、上記配線回路基板２と半導体装置１との空隙が、下記の（Ａ）および（Ｂ）成分とともに下記の（Ｄ）〜（Ｅ）成分を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂層４によって樹脂封止されている。（Ａ）液状エポキシ樹脂。（Ｂ）液状フェノール樹脂。（Ｃ）固体分散型アミンアダクト系硬化促進剤粉末粒子。（Ｄ）アミン系シランカップリング剤。（Ｅ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】フラックス機能を有する封止樹脂を用いてフリップチップ接続した半導体装置において、回路基板の反り戻しによるバンプ接続部の断線を抑制する。
【解決手段】半導体素子１１は第１の電極パッド１２上に第１の低融点半田層１６を介して形成された半田バンプ１５を有する。回路基板１３は第１の電極パッド１２に対応する第２の電極パッド１４を有し、第２の電極パッド１４上には第２の低融点半田層１７が形成されている。これら半導体素子１１と回路基板１３とは、フラックス機能を有する封止樹脂１８を用いてフリップチップ接続される。 （もっと読む）

【課題】脆く延性に乏しい材質の半田バンプに対応した適正組成の補強樹脂によって樹脂封止された電子部品実装構造を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品の電極と樹脂基板の電極とを半田バンプによって接続するとともに、電子部品と樹脂基板との間に補強樹脂を充填して両者を接着する電子部品実装構造において、線膨張係数が１０ｐｐｍ〜３０ｐｐｍであり、且つ曲げ強さが１００Ｍｐａ以上ような物性を備えた樹脂材質を補強樹脂として採用する。これにより、補強樹脂の外縁部の高応力領域での電子部品と補強樹脂との口開きを防止するとともに補強樹脂の熱変位を抑制して、脆く延性に乏しい材質を用いた場合にあっても半田バンプの破断を有効に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との間の接続部位におけるショートの防止。
【解決手段】端子電極２を有する半導体装置１００が、入出力端子電極８を有する回路基板９に実装され、端子電極２と入出力端子電極８とが対向配置されて電気接合層１３を介して電気接続されている。ＩＣ基板１の一面１ａに設けられた端子電極２と、一面１ａに設けられたパッシベーション４と、パッシベーション４を覆う保護膜５とを有する。端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。電気接合層１３は、その周囲が凹部４５によって囲まれることで周囲への流出が阻止される。
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【課題】 ＩＣチップのバンプ面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップの効果により、従来のＩＣチップを配線基盤に実装する作業工程に比較しロス率の低下の改善を実現する。
【解決手段】 ＩＣチップの端子（バンプ）面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップ及び粘着剤付きＩＣチップの実装方法を提供する。 （もっと読む）