バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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ガス分配シャワーヘッド(1501)は、広範囲なシャワーヘッド対ウェハ間隔(y)にわたり均一厚みの膜の堆積を許容するように設計される。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートへの入口オリフィス(1501a)の数、幅及び／又は深さを減少させて、流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートの上流で圧力を高める。この高い上流のガス流圧力は、次いで、シャワーヘッドの縁部分に対してその中心部分を通して流れるガスの速度の変化を減少させ、これにより、ウェハの縁又は中心部分に堆積される膜の厚みの均一性を保証する。 （もっと読む）

本発明は、人の手を介することなく、自動的に正常状態にある基板を回収することができる基板処理装置を提供することを目的とする。基板１２を多段に保持する基板保持具２６と、この基板保持具２６に基板１２を移載する基板移載機３４とからなり、基板保持具２６の基板保持状態は検知部６０により検知される。検知部６０は、フォトセンサ６４ａ，６４ｂを有し、このフォトセンサ６４ａ，６４ｂから検知された検知波形が正常波形と比較され、少なくとも異常と判断された基板１２以外の基板１２を基板移載機３４にて移載するよう制御する制御部６６が設けられている。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）

処理システム（１００）は、基板ホルダ（１３０）と電極（１２５）とを有する処理チャンバ（１２０）を含む。処理システムは、圧力制御システムとガス供給系とモニタ装置（１６０）とを含む。電極（１２５）には、単一可変素子を有する整合回路（１１５）を介して、マルチ周波数ＲＦ電源（１１０）が接続される。マルチ周波数ＲＦ電源は、プラズマを点火するように第１の周波数に設定され、プラズマを維持するように第２の周波数に設定される。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱的に処理するための装置に関する。熱処理装置(230)は、気体を処理チャンバ(236)に選択可能に注入するための注入システム(250)を有する。注入システム(250)は、反応物及び他の気体の流れを各ウェーハ(242)の表面を横切るように差し向けるための複数の注入ポート又はオリフィス(252)が分配された１又は２以上の細長い注入管を含む。細長い注入管は、軸線の周りに３６０度回転可能である。
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反応炉１内で基板１０に成膜を行う工程と、成膜後の基板１０を反応炉１よりアンロード後、反応炉１内に１０基板がない状態で反応炉１内を強制冷却する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出される。 （もっと読む）

【課題】でこぼこ状珪素含有面の形成方法を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素が含まれた層を第一温度に設定された反応室内へ供する。水素同位元素の少なくとも１種を反応室中へ流入させながら、温度を前記第一温度よりも少なくとも４０℃高い第二温度まで上昇させる。温度が第二温度まで達したら、前記層へ種子結晶を加える。次いで種子結晶が加えられた層をアニール処理してでこぼこ状珪素含有面を形成させる。でこぼこ状珪素含有面はコンデンサ構造体へ組み入れることができる。このようなコンデンサ構造体をＤＲＡＭセル中へ組み入れ、組み入れられたＤＲＡＭセルは電子装置に利用可能である。 （もっと読む）

緩和シリコンゲルマニウム構造は、約１Ｔｏｒｒより高い操作圧力での化学気相成長法を用いて提供されるシリコンバッファ層を含む。この緩和シリコンゲルマニウム構造は、シリコンバッファ層上に堆積されたシリコンゲルマニウム層をさらに含む。このシリコンゲルマニウム層は、１平方センチメートル当り約１０^７未満の貫通転位を有する。減少した堆積速度でシリコンバッファ層を堆積させることによって、シリコンゲルマニウム層に「クロスハッチフリー」表面が付与され得る。
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【課題】プロセスチャンバに導入され熱分解反応を行う反応ガスを用いてプロセスチャンバ内の1または複数の結晶基板の上に結晶層を蒸着する装置を提供する。
【解決手段】片面から加熱可能な搭載プレート２を具備しかつ該搭載プレート上に少なくとも１つの基板ホルダ９と基板ホルダを取り囲む少なくとも１つの補償プレートとが載置されることにより水平ギャップ３を形成し、補償プレート４の局所的表面温度に影響を及ぼすために、ガス流の方向における前記基板ホルダの上流側において水平ギャップ３のギャップ高さを変化させるかまたは局所的に異なるようにする。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）

ケイ素クラスターを気相中で分裂させる、炭化ケイ素層の形成方法。ケイ素クラスターは、ＶＩＩ族含有成分等のケイ素エッチングガスにより分裂させることができる。本発明の方法により形成した層を有する半導体デバイスも開示される。
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本発明は、半導体基板を含み、その上部に少なくとも薄層歪緩和バッファを有し、本質的に３層のスタックから成っている半導体装置に関するものであり、その薄層歪緩和バッファは半導体装置のアクティブ部分でなく、さらに、薄層歪緩和バッファを形成する前記３層が本質的に一定のＧｅ濃度を有することを特徴としている。前記３層は以下の通りである：Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第１エピタキシャル層、ｘはＧｅ濃度である；前記第１エピタキシャル層上の、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ：Ｃの第２エピタキシャル層、Ｃの量は少なくとも０．３％である；前記第２層上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第３エピタキシャル層。

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【課題】 半導体製造装置から排出される流体を安定してかつ応答性よく制御することのできる半導体製造装置における排気流体の制御装置を提供すること。
【解決手段】 半導体製造装置１から排出される流体３が流れる排気流路４を主流路４Ａとバイパス流路４Ｂとに分岐し、主流路４Ａには流量または圧力制御弁７を設け、バイパス流路４Ｂにはパイロット弁８を設けた。 （もっと読む）

【課題】 例えば５０〜６００℃程度の低温域での降温率を高くでき、熱処理のスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施す熱処理装置４０において、排気可能になされた筒体状の処理容器４２と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段５８と、前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段７８と、前記処理容器の内側に配置されて前記被処理体を加熱する加熱手段７６と、前記処理容器の壁面を冷却する容器冷却手段１１０と、を備える。これにより、全体としての熱容量が小さくなり、しかも、処理容器の壁面が冷たいので、低温域での降温率（降温速度）及び動特性を大幅に向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 製造誤差があっても所定範囲で取付調整が可能な半導体ウエハを加熱する縦型炉における熱電対装置の取付構造を提供する。
【解決手段】 熱電対装置７の横管部７ｂが、ポート８ａの一端側を支点として他端側でフランジ１０及びＯリング９によって上下に移動可能になるように支持し、取付位置が上下に調整可能にすることにより縦管部７ａとの角度誤差を吸収し要求精度誤差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを保持具に棚状に保持して反応容器内に下方側から搬入して熱処理を行う装置において、処理雰囲気の温度安定時間を短くし、また温度の均一性の高い処理雰囲気を広くとれるようにする。
【解決手段】 反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に保温ユニットを設け、この保温ユニットの例えば上面部に、例えば高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下方側に例えば石英ブロックを設ける。保温ユニットを蓋体に固定する一方、保温ユニットの中央部に保持具を回転させる回転軸を貫通させ、発熱体ユニットに給電するための給電路部材の外部への引き出しを容易にする。 （もっと読む）