【課題】基板上部で安定してプラズマを発生させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行し、前記成膜空間に向く端部がお互いに異なる極性を帯びた一対の磁石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ１と基材搬送チャンバ１５０の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット３０をアンテナ搬送チャンバ２００に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ２００の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ２００と真空チャンバ１との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１にアレイアンテナユニット３０を搬入し、真空チャンバ１内に搬入されたアレイアンテナユニット３０の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット３０を真空チャンバ１内に掛け止めする。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置は、真空チャンバと第１の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第１の電極に対向して配置された第２の電極上に被成膜基板が載置され、前記第１の電極と前記第２の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第１の電極における前記第２の電極に対向する第１の主面の反対側の第２の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、ｏｎ時間における第１の期間に第１の電力を有し、前記ｏｎ時間における前記第１の期間に続く第２の期間に第２の電力を有し、前記第１の電力は、前記第２の電力より５％以上高い。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】ステージ温度変化など運用条件の変更に対応し、突入電流の発生や過剰なＥＳＣ電流が流れることを防ぎ、なおかつ伝熱用ガスを導入する時点で裏面圧力以上の静電吸着力を発生させる。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理室内に設けられ被処理基板を保持する静電吸着膜を備えたステージを具備したプラズマ処理装置において、静電吸着膜と被処理基板間に流れるＥＳＣ電流の電流値を検知し、ＥＳＣ電流の値で吸着条件を設定し、ＥＳＣ電流が設定した制御範囲内に収まるようにＥＳＣ電流を検知しながら吸着電圧を段階的にステージに印加し、ＥＳＣ電流が制御範囲内に収まったことを検知した後に伝熱用ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】真空チャンバ１には、高周波電源に電気的に接続可能な複数のコネクタと、これらコネクタに接続可能な複数本の電極棒を有するアレイアンテナユニット３０と、が設けられている。この真空チャンバ１には、真空状態を維持したまま接続可能なアンテナ搬送チャンバ２００がゲートバルブ２０１を介して接続可能となっている。アレイアンテナユニット３０は、アンテナ搬送体７０Ａに保持されて真空チャンバ１からアンテナ搬送チャンバ２００に搬出され、また、新たなアレイアンテナユニット３０を保持したアンテナ搬送体７０Ｂが、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１内に搬入される。 （もっと読む）

【課題】電力利用効率を向上できる高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法を得ること。
【解決手段】高周波電力供給装置は、変動負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給装置であって、高周波電源と、前記高周波電源と前記変動負荷との間に配され、前記変動負荷からの反射電力を分離するサーキュレータと、前記サーキュレータにより分離された反射電力の位相及び振幅を調整する調整部と、前記高周波電源から出力された電力と前記調整部により調整された反射電力とを合成して前記サーキュレータへ出力する電力合成部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】材料品質が高く、電子装置、光電子装置、光電池装置への使用に好適なIn(x)Al(y)Ga(1-x-y)N層を成長させる方法を提供する
【解決手段】In_(x)Al_(y)Ga_(1-x-y)N層（なお、ｘは０より大きく１以下であり、ｙは０以上１以下であり、ｘとｙとの和は１以下である）を成長させる成長方法である。上記成長方法は、上記In_(x)Al_(y)Ga_(1-x-y)N層の窒素源として、プラズマ活性窒素原子を成長表面に供給し、インジウム原子と窒素含有分子とを同時に上記成長表面に供給し、上記成長表面に供給される上記プラズマ活性窒素原子のフラックスは、上記成長表面に供給されるアルミニウム原子のフラックスとガリウム原子のフラックスとの合計値の少なくとも４倍以上であり、上記アルミニウム原子のフラックスまたは上記ガリウム原子のフラックスとの何れかが０であってもなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のチャンバの側壁への被膜などの付着物を従来に比して短時間で除去することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】シャワープレート１３は、基板の載置位置を含み、基板面と略平行な平板状の主面部１３１と、筒状を有し、一端が主面部１３１の外周部に接続され、他端がチャンバ１１に接続される側面部１３２と、を有する。主面部１３１には、基板保持部１２側にガスを吹き出す複数のガス供給孔１３１ａが設けられる。側面部１３２には、チャンバ１１の側壁に向かってガスを吹き出す複数のガス供給孔１３２ａが設けられる。また、シャワープレート１３は、ガス供給孔１３１ａを介して基板保持部１２側にガスを流す主ガス供給空間１３５と、ガス供給孔１３２ａを介してチャンバ１１の側壁側にガスを流す副ガス供給空間１３６と、を仕切る仕切り壁１３４を備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器２０と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部６０と、反応ガスを供給する反応ガス供給部９０と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部５２と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部６２と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部６６と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】３次元的に複雑な形状のシリコン構造体を提供する。また、当該シリコン構造体を、自然と秩序が生じて自分自身で秩序的なパターン形成が行われる現象を用いて簡便に作製する方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン層に水素雰囲気下でプラズマ処理を行って、当該シリコン層表面に微結晶シリコンを成長させる反応過程と、露出しているアモルファスシリコン層をエッチングする反応過程を並行して進行させ、当該シリコン層上に微結晶状の上部構造体とアモルファス状の下部構造体からなるナノ構造体を形成することにより、３次元的に複雑な形状のシリコン構造体を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。基板Ｓに対するエッチング処理を実施しているときに、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との切り替えを周期的に行うことによって静電チャック１７のチャック電極１７ｂに印加する直流電圧の極性を周期的に変える。 （もっと読む）

【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極の給電点からの反射電力を小さくできる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】第２インピーダンス整合器１４ａ−１４ｄは、可変移相器１１ａ−１１ｄで設定される位相が給電点７ａ−７ｄですべて同じになるような同相状態では、増幅器１２ａ−１２ｄ側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、第１インピーダンス整合器１３Ａ、１３Ｂは、可変移相器１１ａ−１１ｄで設定される位相が給電点７ａ、７ｂと７ｃ、７ｄで１８０度異なるような逆相状態では、第２インピーダンス整合器１４ａ−１４ｄの各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、増幅器１２ａ−１２ｄ側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、第１及び第２高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、同相状態と逆相状態を高速に交互に切り替えて高周波を給電点７ａ−７ｄに供給する。 （もっと読む）