【課題】基板の温度均一性を向上させつつ、基板を高速に昇温する。
【解決手段】処理室内に設けられた第２基板支持部の上方に、処理室内に搬入された前記基板を第１基板支持部により第２基板支持部から離して支持させ、ガス供給部により処理室内にガスを供給させ、処理室内の圧力を基板の搬入時の圧力より高めさせた状態で、加熱部により基板を昇温させ、所定時間経過した後に、第１基板支持部から第２基板支持部へと基板を移載させ、加熱部により基板を加熱させながら基板を処理させる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応でき、かつ、処理室内におけるプラズマ分布の制御性を良好にすることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１１ａ、１１ｂと、プラズマ生成領域と高周波アンテナとの間に配置される金属窓３と、を備え、金属窓３が、この金属窓３の周方向θに沿って２以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第１の分割がされ（３ａ、３ｂ）、かつ、第１の分割がされた金属窓３が、さらに周方向θと交差する方向ｒ１、ｒ２に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第２の分割がされている（３ａ１〜３ａ４、３ｂ１〜３ｂ４）。 （もっと読む）

【課題】既存の基板処理装置に対して新たな設備の導入負荷を少なくし、基板処理装置内壁に付着した厚い堆積膜の除去を行うことができる基板処理装置を得ること。
【解決手段】チャンバ１１と、チャンバ１１内で基板を保持するステージ１２と、基板に対する処理によってチャンバ１１内に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系６０と、チャンバ１１内のガスをチャンバ１１の底壁に設けられたガス排出口１５から排出する排気系３０と、を備える基板処理装置１において、チャンバ１１内のガス排出口１５の周囲に溝１６を備える。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応して誘電体窓部を一辺当たり三以上に分割して従来技術よりも多数の分割片に分割した場合でも、処理室内に強いプラズマを発生させることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１１ａ〜１１ｃと、プラズマ生成領域と高周波アンテナ１１ａ〜１１ｃとの間に配置され、複数の誘電部材３ａ〜３ｈと、該複数の誘電部材３ａ〜３ｈを支持する導電性梁７とを含む誘電体窓部３を備え、導電性梁７が誘電体窓部３を一辺当たり三以上に分割し、かつ、導電性梁７には、導電性梁７が誘電体窓部３を一辺当たり三以上に分割したときに誘電体窓部３の中央部分に高周波アンテナ１１ａ、１１ｂに沿って生じる閉ループ回路２００がない。 （もっと読む）

【課題】互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽１の内部空間８において被処理体４を保持するステージ３と、真空槽１内に配置され、内部空間８を被処理体４が配置される第１の空間８ａと第２の空間８ｂとに仕切る仕切部７と、仕切部７に設けられ、第１の空間８ａに向けてガスを放出するガス放出孔７ｃと、ガス放出孔７ｃに真空槽１外から第１のガスを導入する第１のガス導入部と、第２の空間８ｂに真空槽１外から第２のガスを導入する第２のガス導入部と、第１の空間８ａに容量結合プラズマを発生させる容量結合電極と、第２の空間８ｂ内部に配置され、第２の空間８ｂに誘導結合プラズマを発生させる誘導結合プラズマ発生源とを備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、Ｘ方向の一端部から他端部に高周波電流Ｉ_R が流されるアンテナ３０を備えている。アンテナ３０の下面３３に、上下方向の凹凸を付け、かつアンテナ３０のＸ方向における中央部よりも両端部付近に凸部３５を多く配置している。アンテナ３０の下方に、アンテナ３０とプラズマ５０との間の電界を遮蔽するくし型のシールド導体６０を備えている。シールド導体６０は、Ｙ方向に平行な線状導体６２をＸ方向に複数有しており、かつ当該複数の線状導体６２のＹ方向の一端部を電気的に並列接続する電気的に接地された接続導体を有している。 （もっと読む）

【課題】ワーク搭載用のトレイに載置された基板に処理を行う際、昇降装置により支承されたトレイの平面度を向上する。
【解決手段】基板カートＫの複数のトレイＴは、基板搬送装置７０の搬送用ローラＲにより、一対の側縁の下面を支承されている。基板カートＫの下方には、複数の昇降装置５０が配列されており、各昇降装置５０の先端側の保持部５２は、受け板５３を介して、トレイＴの下面を支承している。各昇降装置５０の保持部５２によるトレイＴの下面の支承面と、複数の搬送用ローラＲによるトレイＴの下面の支承面とを、トレイＴの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイＴに搭載された基板Ｗに薄膜が成膜される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜処理において、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。 （もっと読む）

【課題】基体の温度を高くしなくも緻密なＳｉ系アモルファス膜を形成でき安定性に優れるプラズマＣＶＤ装置及びＳｉ系アモルファス膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００４において、誘導エネルギー蓄積型のパルス電源１０２８からチャンバの内部に収容された電極対１０１２，１０１６へ直流パルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】マスク板をフィルム表面と接触させずに成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
円筒部材１２の外周に沿って配置された複数の成膜部は、第一、第二の仕切板２１、２２の間の成膜空間２３を真空排気する真空排気部２４と、成膜空間２３に原料ガスを放出する原料ガス放出部２５と、原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２６と、第一、第二の仕切板２１、２２に架設され、表面が円筒部材１２の外周側面と対向されたマスク板２７とをそれぞれ有しており、円筒部材１２の外周側面に裏面が密着し、円筒部材１２の回転に伴って、各マスク板２７の開口２８と対面しながら走行するフィルム５１の表面に薄膜を形成する。各成膜空間２３の外側に副ガスを放出する副ガス放出部３１を有し、各マスク板２７の円筒部材１２と対面する部分には排気口３２が形成され、マスク板２７と円筒部材１２との間の気体を排気口３２から排気する。 （もっと読む）

【課題】新たな不純物を発生させることなく、製膜室の内部にダメージを生じさせずにクリーニング処理時に残留した反応生成物の影響を除外し、良好な物性の薄膜を製造することができる薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室１１と、ステージ１２と、製膜室１１内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、被膜の形成によって製膜室１１内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを製膜室１１内に供給するクリーニングガス供給手段と、反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを製膜室１１内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、ステージ１２に対向して配置されるシャワーヘッド１４と、反応生成物および反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源１９ａ〜１９ｃと、を備え、光源１９ａ〜１９ｃは堆積物が付着する製膜室１１内の領域が照射されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室を構成するシリコンを含む構成部材に起因するパーティクルが被処理基板に付着することを防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む構成部材を有し、処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室３０と、隔壁部材４０を介してプラズマ生成室に連通するプラズマ処理室２０と、プラズマ生成室の誘電体窓１３の外側に配設された平面状の高周波アンテナ１４０とを具備したプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズマ生成室内で水素ガスを含む処理ガスをプラズマ励起し発生した水素ラジカルを隔壁部材を介してプラズマ処理室に導入し被処理基板に作用させてプラズマ処理を施し、被処理基板を搬出した後、プラズマ生成室内に四フッ化炭素ガスを導入してプラズマ生成室内に堆積したシリコン系の堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】イットリア材料のフッ化を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室７と、処理室７にガスを供給する手段１０と、処理室７を減圧する排気手段１２と、プラズマ生成のための高周波電力２０，２１と、被処理体４に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電力２２，２３と、表面がイットリア１７で覆われている内壁材を処理室側壁に有するプラズマ処理装置において、処理室内のイットリアのフッ化度合いを検知可能なフッ化検知センサー３０を設置し、また、密度の高いプラズマに曝される側壁部分に石英製の円筒状の部品４１を設置し、また、処理室側面の下方に導電率の高い材料をアース５２として設置し、エッチング処理間のクリーニングにおいて、イットリア材料１７，３７のフッ化の緩和を基準にクリーニング時間を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。
【解決手段】ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。窒素ガスバルブ２９ａの開弁による窒素ガス源２８からの導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。次に、大気導入バルブ２６ａの開弁による大気の導入と、それに続く排気バルブ１４ａの開弁によるドライポンプ１２ａでの排気とを予め定められた回数繰り返す。その後、大気導入バルブ２６ａとダクト排気バルブ２４ａの両方を開弁する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の導電性制御を目的に行われる不純物ドーピング後の活性化アニールや欠陥修復アニールおよび表面の酸化等を行う熱処理装置に関し、特にＳｉＣを基材とする半導体に必要な１２００〜２０００℃の超高温の熱処理を行う場合に問題となるエネルギー効率、処理速度、装置の部品寿命および被加熱試料の劣化を改善することである。
【解決手段】 本発明では、断熱材９を設け放熱を抑制する構造としたプラズマ処理室内に、被加熱試料１を下部電極３上に載置し、その上部電極２−下部電極３間を大気圧近辺の希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等）を主原料としたガスで満たし、上部電極２に高周波電源５からの電力を印加することで、大気圧のグロー放電を生成し、該グロー放電による電極間のガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態では、ずれを防止し、取り替え作業を容易に実施できる保護層を有した載置台を提供する。
【解決手段】
載置台１０は、ウェーハＷを載置する載置面４を有する電極本体２と、前記載置面４に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面４に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層３とを有することを特徴とする。また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 （もっと読む）

【課題】低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。
【解決手段】プラズマ窒化処理方法は、上部に開口を有する処理容器１と、ウエハＷを載置する載置台２と、処理容器１の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させるマイクロ波透過板２８と、処理容器１内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナ３１と、を備えたプラズマ処理装置１００を用いる。処理容器１内で、窒素含有ガスと希ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成させて、ウエハＷ上の窒化珪素膜をプラズマ窒化処理する。窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール６と、プラズマ発生電極７とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁８を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列９を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）