【課題】強誘電体膜の配向率を改善し、強誘電体膜を有するデバイスの不良品発生率を小さくすること。
【解決手段】
基板上に強誘電体材料膜を形成する第１の工程と、前記強誘電体材料膜を形成した前記基板を熱処理炉内に配置し、前記熱処理炉内に熱処理雰囲気ガスを第１の流量で供給すると共に、前記第１の流量に対応する第２の流量で前記熱処理炉内を排気しながら、前記強誘電体材料膜を加熱して強誘電体膜を形成する第２の工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板を処理室に搬入する工程と、処理室に還元性ガスを導入し、プラズマ放電して還元性ガスプラズマを生成し、還元性ガスプラズマで被処理基板を処理する工程と、還元性ガスプラズマで被処理基板を処理する工程の後、処理室に酸素または酸素含有ガスを徐々に導入し、還元性ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理材に対するダメージを完全になくすことができ、活性ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成である活性ガス生成装置を提供する。
【解決手段】活性ガス生成装置７００は、少なくとも１以上の電極セル１，２と、電極セル１，２に交流電圧を印加する電源部と、電極セルを囲繞する筐体１６，１６１と、外部から筐体内に原料ガスを供給する原料ガス供給部２０とを、備えている。そして、電極セル１，２は、第一の電極１と、誘電体を有する第二の電極２とを備えている。さらに、第一の電極１は、誘電体および空間ギャップ（放電空間）１００を隔てて、第二の電極２と対面しており、電極セル１，２の平面視における中心領域には、ガス取り出し部１ｄが形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱処理用治具を洗浄した後に外部から熱処理用治具表面に付着する汚染物を可及的に低減できる熱処理用治具の清浄化方法を提供する。
【解決手段】熱処理炉内で用いる治具を酸系の薬液で酸洗浄する工程ａと、酸系の薬液で酸洗浄した前記治具を水洗・乾燥する工程ｂと、水洗・乾燥した前記治具の表面に酸化膜を形成する工程ｃと、還元性ガス雰囲気中で気相エッチングして前記酸化膜を除去する工程ｄとを有する清浄化方法。 （もっと読む）

【解決手段】一端が閉塞され、他端が開放可能に設けられた炉口扉によって閉塞され、拡散基板にドーパントを熱拡散させる炉芯管と、基板を搭載し、前記炉口扉を開放することによって形成される炉芯管の基板出入口から炉芯管に出入する拡散基板ボートとを備えた半導体基板拡散炉において、前記炉芯管の一端閉塞部を気密に貫通してドーパント拡散用プロセスガス噴射ノズルを配設し、前記ボートに、該ボートに搭載される各基板に向けてプロセスガスを噴出させる一又は複数のガス案内管を配設すると共に、該ガス案内管をガス導入管を介して前記噴射ノズルと結合して、前記噴射ノズルからのプロセスガスを前記ガス案内管から各基板に噴出させるように構成したことを特徴とする半導体基板拡散炉。
【効果】本発明では、拡散基板に対し確実にプロセスガスを供給して均一なシート抵抗を有する拡散基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化処理前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できるようにする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内より搬出する工程とを有し、処理工程では、処理室内の圧力を大気圧未満の圧力として処理室内に水素含有ガスを先行して導入し、続いて水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスを導入し、その後、水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスの導入を停止する。 （もっと読む）

【課題】弾性シール部材を透過して処理容器内に侵入する酸素や水素成分を減らすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理容器２０３と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器内でプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、前記処理容器は複数の部材で構成されると共に、前記各部材間は弾性シール部材３０２で密閉されており、前記処理容器の外部には、前記弾性シール部材による密閉部の外周側を不活性ガス２７６雰囲気に保つ不活性ガス雰囲気形成部２７５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理条件の異なる基板の組合わせを処理実行前に、事前にチェックし、自動運転が失敗することを未然に防止し、自動運転失敗に伴う時間のロスを無くし、基板処理装置の稼働率の向上を図る。
【解決手段】基板処理をする為の基板載置手段を有する複数の処理室２５，２６と、該処理室へ基板４を搬送する第１搬送手段５を有する前記各処理室と真空ゲート２７，２８を介して連設される第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段１６を有する第２搬送室１３と、前記第１搬送室と前記第２搬送室を連結する減圧可能な予備室７，８と、前記第２搬送室に連設され複数の基板が収納される基板収納手段２４と、該基板収納手段と前記処理室との間の搬送を前記第１搬送手段や前記第２搬送手段により制御させる為の制御手段とを設けた基板処理装置１であって、前記制御手段は自動運転開始時に基板毎に割付けられた処理レシピの整合性を判断する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物保持面の加工が安価で部品コストの低減を図ることができ、且つ被処理物保持面における均熱性に優れ、必要に応じて急速昇温及び急速冷却が可能な半導体製造装置用の保持体を提供する。
【解決手段】 抵抗発熱体７を有する板状でＡｌＮ等からなるセラミックスヒータ５の上に、被処理物９を保持するＡｌ等からなる金属製保持部１０を備えている。金属製保持部１０内には、冷却媒体が中央付近から放射状に移動し、外周縁に排気されるように流路１２が形成されている。この保持体１０は、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂の加熱硬化又は半導体絶縁膜の加熱焼成に用いられる。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させ、かつ、炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスが電気的に絶縁された構造とすることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上に下地層１２を形成する工程と、下地層１２上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、炭化シリコン膜１３をマスクに用いて、マスクが形成されていない領域の下地層１２をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。
【解決手段】 表面に酸化膜が形成された基板を処理室内に搬入する搬入工程と、加熱手段により処理室内を所定温度に加熱しつつ、ガス供給手段により処理室内にＮＯガス及びＮ_２Ｏガスを供給して酸化膜を窒化させる窒化工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する搬出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、パターニングされた炭化シリコン膜を得ることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後にシリコン膜１４を炭化処理し炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オゾンよりも短い所定の寿命を有する活性粒子の発生密度および発生効率を向上させることができる活性粒子発生装置を提供する。
【解決手段】接地電極１と、空隙を介して接地電極１と対向し、空隙側の表面が誘電体４で覆われた高圧電極２との間に、高電圧を印加して誘電体バリア放電を生じさせるとともに、空隙に原料ガス８を供給して、誘電体バリア放電により活性粒子を発生させる活性粒子発生装置であって、活性粒子の寿命を、原料ガス８が空隙に滞在する平均時間で除した値が０．１以上１０以下であり、接地電極１および高圧電極２の単位面積に供給される放電電力が、原料ガス流の上流側から下流側に向けて増加されるものである。 （もっと読む）

【課題】 基板上での酸化物形成方法。
【解決手段】 本発明の方法によると、基板をチャンバに置く。次いで、酸素含有ガス及び水素含有ガスをチャンバに供給する。次いで、酸素含有ガスと水素含有ガスを相互に反応させてチャンバ内に水蒸気を形成する。次いで、水蒸気が基板を酸化する。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗのシリコン層の表面に、ゲート絶縁膜との間に介在される界面酸化層を形成する成膜方法において、シリコン層をケミカル洗浄処理することによってケミカル酸化膜を形成するケミカル酸化膜形成工程と、ケミカル酸化膜の形成された被処理体に対して酸素分圧が０．２〜２Ｐａの範囲内の雰囲気中で熱処理を施すことにより界面酸化膜を形成する熱処理工程とを有する。これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して熱処理する反応炉を備えた熱処理装置に対して給電する電力設備の容量を小さくすることのできる熱処理システムを提供する。
【解決手段】基板に対して熱処理を行うｎ個（ｎは２以上の整数）の反応炉を備えた熱処理システムにおいて、第１の電力変換部２ａ、２ｂは三相交流電力を直流電力に変換するためにｍ個（ｍは２以上の整数）設けられ、第２の電力変換部４１〜４３は、これら第１の電力変換部２ａ、２ｂに接続されて各反応炉のヒータに電力を供給する。制御部５ａ、５ｂはｎ個の反応炉のヒータ１４〜１６の消費電力の合計がｍ個の第１の電力変換部２ａ、２ｂの最大出力の合計を越えないように各反応炉の運転のシーケンスを制御する。 （もっと読む）