酸化ケイ素層を形成する方法が開示される。これらの方法は、ラジカル前駆体とラジカル酸素前駆体の両方を炭素のないケイ素含有前駆体と同時に組み合わせるステップを含む。ラジカル前駆体およびケイ素含有前駆体の１つは窒素を含有する。このような方法の結果、ケイ素、酸素、および窒素含有層が基板上に堆積される。次いで、ケイ素、酸素、および窒素含有層の酸素含有量を増大させて、窒素をほとんど含有しない酸化ケイ素層を形成する。ラジカル酸素前駆体およびラジカル前駆体は、別個のプラズマまたは同じプラズマ内で作り出すことができる。酸素含有量の増大は、酸素含有雰囲気の存在下でこの層をアニールすることによって引き起こすことができ、膜の密度は、不活性環境中の温度をさらに高くすることによって、さらに増大させることができる。
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【課題】流量制御部のゼロ点の補正及び補正結果の確認を効率的に行う。
【解決手段】処理室と、処理室内に供給するガスの流量を調整する流量制御部と、流量制御部の動作を制御する制御部と、を備え、流量制御部は、補正処理開始要求を受信したらゼロ点を補正する補正処理を開始し、補正処理が完了したらゼロ点における流量を示す流量モニタ情報を送信し、制御部は、基板処理レシピを実行する前に補正処理開始要求を流量制御部に送信し、補正処理が完了したら流量モニタ情報を流量制御部から受信し、ゼロ点における流量が所定の範囲以内であれば補正処理が成功したと判定し、ゼロ点における流量が所定の範囲外でなければ補正処理が失敗したと判定する。 （もっと読む）

本発明は、一般に、基板を処理するための方法および装置に関する。本発明の実施形態は、放射熱源からの光に対して実質的に透明であるダイナミックヒートシンクを備える、基板を処理するための装置を含み、ダイナミックヒートシンクは基板の近くに配置され、この２つが結合する。本発明の追加の実施形態は、記載された装置を使用して基板を処理する方法を対象とする。
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【課題】プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の上で開口端を下に向けて磁気を遮蔽する磁気シールド空洞導体７０を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】異常解析を行う保守員の負担を低減し、保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とする。
【解決手段】処理手順及び処理条件が定義されたレシピを実行する基板処理装置と、基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、群管理装置は、レシピの実行中に生じた異常現象を特定する異常現象特定情報及び異常現象が発生した基板処理装置の種別を特定する装置種別特定情報に共に関連づけられた検証項目特定情報を抽出し、抽出した検証項目特定情報を含む検証項目テーブルを作成する解析支援手段を備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも温度センサの数を少なくし、かつ隣接する加熱ゾーン間における磁束の干渉を考慮した温度分布制御を行うことのできる半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の誘導加熱コイル１２（１２ａ〜１２ｆ）と、誘導加熱コイル１２のそれぞれに接続されるインバータ２０（２０ａ〜２０ｆ）と、複数の誘導加熱コイル１２により構成される面上に配置されるグラファイト１４とを有してウエハ１６を加熱する半導体基板熱処理装置１０であって、複数の誘導加熱コイル１２の中から、隣接配置された２つの誘導加熱コイルをそれぞれ組として選択し、選択した組を成す２つの誘導加熱コイル間で加熱されるグラファイト１４を温度検出点とする温度センサ３０（３０ａ〜３０ｃ）と、複数の温度センサ３０により検出された温度から温度勾配を導き出し、当該温度勾配に基づいて、複数の誘導加熱コイル１２のそれぞれに投入する電力を定める温度制御部２８を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内で生成するプラズマの分布を簡易な手段で制御できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】遅波板３３は、内側に配置される小径部材１０１と、小径部材１０１を囲む大径部材１０３とから構成されている。小径部材１０１と大径部材１０３は、誘電率が同じ材質か、異なる材質で構成される。小径部材１０１と大径部材１０３とは、間隔をあけて配置され、間には空気層（エアギャップＡＧ）が介在している。小径部材１０１及び大径部材１０３の材質と、エアギャップＡＧにより、平面アンテナ板３１とカバー部材３４との間の領域の誘電率を制御できる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入後のアニール後に生じる残留欠陥を除去することができ、その後シリコンエピタキシャル層を形成しても積層欠陥を生じない、高品質な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板に選択的にイオン注入を行う工程と、該イオン注入後に、前記シリコン単結晶基板の結晶性を回復させる回復熱処理と前記注入イオンを拡散させる拡散熱処理を行う熱処理工程と、該熱処理後に、前記イオン注入工程によって前記シリコン単結晶基板の表面層に形成されたアモルファス層の全部を取り込む厚さの熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、該形成された熱酸化膜を除去する工程と、該熱酸化膜を除去した表面上にエピタキシャル層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化処理前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できるようにする。
【解決手段】表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板表面を酸化処理する工程と、酸化処理後の基板を処理室内より搬出する工程とを有し、酸化処理工程では、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）以下とすると共に、酸素含有ガスの流量Ａに対する水素含有ガスの流量Ｂの流量比Ｂ／Ａを２以上とする。 （もっと読む）

【課題】細やかな微調整を必要とせず、勘や熟練度に依存する事無く加熱体（グラファイト）に所望する温度分布を得ることのできる半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】同心円上に配置された複数の誘導加熱コイル１２（１２ａ〜１２ｅ）と、複数の誘導加熱コイル１２のそれぞれに接続されて、各誘導加熱コイル１２に対する投入電力を制御するインバータ２０（２０ａ〜２０ｅ）と、複数の誘導加熱コイル１２により構成される面上に配置される円盤型のグラファイト１４とを有してグラファイト１４に載置されたウエハ１６を加熱する熱処理装置１０であって、グラファイト１４は、その外径を複数の誘導加熱コイル１２のうち最外に配置された誘導加熱コイル１２ｅの外径よりも大きくしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持ピン用の貫通孔部分の温度低下を抑制し、基板の加熱処理を均一化できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ホットプレート７１およびサセプタ７２には、支持ピン７０用の貫通孔７７が形成され、この貫通孔７７には、円筒状のピン孔用スリーブ７８が嵌め込まれている。このピン孔用スリーブ７８は、サセプタ７２の形状に合わせて、サセプタ面に対して＋／−０．２ｍｍの範囲の高さであり、０．５〜１０ｍｍの範囲の厚さである。また、ピン孔用スリーブ７８は、貫通孔７７に対して約１ｍｍの余裕を持たせて嵌め込まれている。なお、サセプタ７２が石英の場合、石英よりも熱伝導率の高いＡＬＮやＳｉＣ等の材料を用いると、貫通孔７７に対応する部分の温度は、石英の場合より高く設定できる。その結果、支持ピン７０用の貫通孔７７部分の温度低下を抑制できる。 （もっと読む）

基板を処理し、基板の加熱および冷却を制御する方法および装置が説明される。第１の波長範囲で放射する放射源が、所定の温度範囲内で基板を加熱し、この基板は、第１の波長範囲内の第２の波長範囲で、所定の温度範囲内の放射を吸収する。フィルタが、第２の波長範囲内の放射の少なくとも一部分が基板に達することを防ぐ。
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【課題】作業性を改善及びコストの削減を図ると共に、基板への自然酸化膜の発生を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】筐体１３を具備する基板処理装置であって、前記筐体は機構部が組込まれる密閉された基板搬送空間１４を有し、該基板搬送空間を分割する様に前記筐体を分割することで２つの小筐体１８，１９を形成し、分割された前記基板搬送空間にそれぞれ開口部２１，２２を形成し、前記小筐体を連結すると共に前記開口部を気密に連結することで前記筐体が一体化され、該筐体内部に気密な基板搬送空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】処理室内にある複数の基板（ウエハを含む）の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層保持する基板保持具２１７と、該基板保持具２１７に保持された基板２００を処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内の前記基板２００の積層方向に延在し、前記基板２００の中央部に向けて処理ガスを供給するガス供給孔２４８を前記積層方向に複数有するガス供給部と、前記ガス供給部へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御部２４１と、前記処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部２４３と、前記基板２００の処理中に、複数のガス供給孔２４８の少なくとも一つのガス供給孔２４８から供給される処理ガスの流速を変化させるように前記流量制御部２４１、又は前記圧力制御部２４３を制御するコントローラ２８０とから構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】反応管上部から、水素含有ガスや酸素含有ガスを供給しなくても、酸化膜厚の面内均一性を向上する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を水平状態で隙間をもって鉛直方向に配列させて保持する基板保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から反応管内に水素ガスを供給する水素ガスノズルと、基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガスノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御器とを有し、水素ガスノズルには複数のガス噴出孔が設けられ、該ガス噴出孔は、最上部に位置するガス噴出孔の孔径が最も大きくなるように構成されることを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）