【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いゲート酸化膜をＳｉＣ基板の熱酸化によって得ることができる酸化膜形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１上に水素および酸素を同時に導入する工程と、前記ＳｉＣ基板１上において、１０００℃以上の温度かつ減圧の条件下で前記水素および前記酸素を燃焼反応させ、該燃焼反応により前記ＳｉＣ基板１表面にシリコン酸化膜であるゲート酸化膜４を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シールキャップアームや炉口シャッタアームの撓みを補正して、Ｏリングを十分潰すことができ、処理室を十分シールするができる閉塞補助機構を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を搬入する開口部を有し、搬入した基板に対し処理を行う処理室と、基板が処理室内にあるときに前記処理室の開口部を閉塞する第１の蓋体と、前記第１の蓋体を開閉動作させる第１の開閉機構と、基板が処理室内にないときに前記処理室の開口部を閉塞する第２の蓋体と、前記第２の蓋体を開閉動作させる第２の開閉機構と、前記第１の開閉機構の閉塞力を補助する第１の閉塞補助機構と、前記第２の開閉機構の閉塞力を補助する第２の閉塞補助機構とを備える基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面積が大きい被処理基板に容易に対応できる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、処理室２５と、前記処理室内に配置され、被処理基板２２を保持する保持部２３と、前記処理室内に加圧されたガスを導入するガス導入機構と、前記処理室内のガスを排気するガス排気機構と、前記処理室内に配置された透明管２０と、前記透明管内に配置され、前記被処理基板にランプ光が前記透明管を通して照射されるランプヒータ１９と、を具備することを特徴とする加圧式ランプアニール装置である。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

本発明は、各々が少なくとも１つの処理対象面を有する少なくとも２つの多層体、ならびに多層体を位置決めするための少なくとも１つの装置を含む、多層体配列に関し、装置は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして処理対象面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように構成されており、そこで処理が行われる。本発明はさらに、このような多層体配列を用いて多層体を処理するシステム、ならびに多層体を処理する方法にも関し、多層体は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして表面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように設けられており、そこで処理が行われる。
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【課題】処理室内へのガス流量を均等にすると共に、質量流量計の数を低減させる。
【解決手段】 複数の基板を収容する処理室と、ガス供給源に接続されるガス供給管と、ガス供給管に接続され、ガス供給管からのガスを処理室内にそれぞれ供給する複数の分岐管と、分岐管にそれぞれ設けられる差圧生成部と、を備え、差圧生成部は、分岐管から処理室内に供給されるガスの流量が、複数の分岐管の間で均等になるように、差圧生成部より上流側の分岐管内と、差圧生成部より下流側の分岐管内と、の間にそれぞれ差圧を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】加圧した状態でランプアニール処理ができる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。加圧ライン１２は、アルゴンガスによる加圧ライン、酸素ガスによる加圧ライン及び窒素ガスによる加圧ラインを有している。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置のプロセスチャンバに関してリークの可能性のある状態を早期に、かつ、確実に発見する方法を提供する。
【解決手段】処理ガスを導入して熱処理を行うためのプロセスチャンバを備えた熱処理装置において、プロセスチャンバ１内の気体を排気して減圧した状態でプロセスチャンバを封止し、封止されたプロセスチャンバ内の圧力の時間的変化を所定の閾値と比較するリークチェックを熱処理の実行毎に前もって行う制御装置６を具備する。前記時間的変化が閾値より大きいときは熱処理中止とする。 （もっと読む）

エンハンスメント・モードＧａＮ ＭＯＳＦＥＴ（１００）が、ＡｌＧａＮ（又はＩｎＡｌＧａＮ）障壁層（１１８）上のＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）を用いて形成される。ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉ_３Ｎ_４部分（１２０）は、ゲート絶縁層（１２４）と障壁層（１１８）との間の接合での界面準位の形成を低減させ、ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉＯ_２部分（１２２）は、漏れ電流を著しく低減させる。

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【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 高品質で作業コストを低減しつつ、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。封止部材５２は帯状であるとともにシェル５０の外周側から隙間５０ｓを覆うように巻き付ける。この封止部材５２の外側から帯状の固定部材５３を巻き付けることにより封止部材５２を締め付け固定する。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】炉口に溜まった水を短時間で除去し、製品の生産速度をあげるとともに、デバイス特性不良を少なくすることができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の熱処理装置は、底部に設けられた炉口２３を通してプロセスチューブ２２内に搬入された基板をウェット処理する熱処理炉２と、前記炉口２３を開放可能に閉塞する開閉扉と、前記熱処理炉２の下方に設けられたロード空間３と、前記基板をボート４で保持して前記炉口２３を通してロード空間３側からプロセスチューブ２２内に搬入するとともに、当該プロセスチューブ２２からロード空間３に搬出する昇降リフト５と、前記プロセスチューブ２２内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段３２と、前記プロセスチューブ２２内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の高周波電極その他の電気的部材から給電ラインや信号線等の線路上に入ってくる高周波ノイズに対して並列共振周波数を任意にずらして調整できるようにし、異なる周波数の高周波ノイズをいずれも効率よく安定確実に遮断する。
【解決手段】フィルタ１０２(1)は、円筒形の外導体１１０の中にコイル１０４(1)を同軸に収容し、コイル１０４(1)と外導体１１０との間にリング部材１２２を同軸に設ける。リング部材１２２は、好ましくは外導体１１０の軸方向と直交する平面上で円環状に延びる板体として構成され、好ましくは銅、アルミニウム等の導体からなり、外導体１１０に電気的に接続され、コイル１０４(1)とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハにおける微細ダメージの直接的な抑制によって、ミリセックアニールによる熱応力にも耐えうる機械的強度を有するシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ（１０）の端面を含む表面全体に、膜厚が１０ｎｍ以上の酸化膜（２０）を形成する工程と、該酸化膜（２０）を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程とを含む。また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、両面を鏡面研磨したシリコンウェーハ（１０）の端面を含む表面全体に、膜厚が８ｎｍ以上の酸化膜（２０）を形成する工程と、該酸化膜（２０）を除去して表面に存在する微細ダメージを低減する工程と、酸化膜（２０）を除去したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層（３０）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 輻射加熱源３１と、輻射加熱源３１の上方に設けられた第１の反射板８ａと、輻射加熱源３１の下方に設けられた第２の反射板８ｂと、を備え、シリコンを含む被加熱体Ｗが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間に配置され、シリコンを含む被加熱体Ｗが、輻射加熱源３１からの輻射エネルギが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間で反射を繰り返す空間Ｓ内で熱処理されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】処理室内を撮影することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１３と、処理室１４内を加熱するヒータユニット４０と、処理室１４を閉塞するシールキャップ２５と、シールキャップ２５に支承された回転軸３０と、回転軸３０に立設されたボート３１とを備えている熱処理装置において、シールキャップ２５の周辺部に透明な石英によって形成された保護管７０を立設し、保護管７０内に内視鏡８０を下端部の開口から挿入し、カメラ９０をシールキャップ２５下面以下において内視鏡８０に光学的に連結する。 （もっと読む）