【課題】表面温度の熱均一性の低下を低減できるシャフトを提供する。
【解決手段】シャフト１００は、ヒータープレートと接合する面において、導体を挿通するための複数の第１貫通孔１１０と、ヒータープレートとシャフト１００とを機械的に固定する固定部材を挿通するための複数の第２貫通孔１２０とを有する。第１貫通孔１１０は、ヒータープレートと接合する面の中央を中心とする第１円環上に間隔を存して配置され、第２貫通孔１２０は、第１円環と同心の第２円環上に間隔を存して配置される。第１貫通孔１１０のそれぞれと、第２貫通孔１２０のそれぞれとは、第１円環及び第２円環の中心から前記シャフトの外側を臨んだ場合に、第１貫通孔１１０の中心と第２貫通孔１２０の中心とが直線上に並ばないように配置される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを高温アニールするような場合であっても、低熱容量で且つ均一加熱が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置において、平行平板電極２、３と、これら電極間に高周波電圧を印加し放電させる高周波電源６と、これら電極間に配置される被加熱試料１の温度を計測する温度計測手段１７と、これら電極間へのガス導入手段１０と、これら電極の周囲を覆う反射鏡１３と、高周波電源６の出力を制御する制御部１８を備える。これら電極間での放電によるガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１９と、前記処理室１９にガスを供給するガス供給系と、前記処理室１９を排気する排気系３０と、を有し、前記排気系３０の減圧ポンプ３６の上流側であってメインバルブ３２の下流側に、リークを検出するための圧力センサ５０と、酸素濃度計５４と、ガス分析器５８と、が設けられた基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板を誘導加熱する際に、放射温度計を用いて正確な温度測定が可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容して処理する反応管と、該反応管の内部に設けられ、複数の基板を加熱する積層された複数の被誘導加熱体と、前記複数の被誘導加熱体からの光を同時に集光する集光部を備え、該集光部が同時に集光した被誘導加熱体からの光に基づき、前記複数の被誘導加熱体の温度を測定する放射温度計と、前記反応管の外部に設けられ、前記放射温度計が測定した温度情報に基づき、前記被誘導加熱体を誘導加熱する誘導加熱体と、を有するように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】真空断熱層形成体の外側シェルの座屈強度を向上させた熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は筒状の反応管３と、ウエハＷを装填して保持するボート５と、反応管３の外周に設けられたヒータ２と、ヒータ２の外周に設けられた真空断熱層形成体１０とを備えている。真空断熱層形成体１０は、内側シェル１１と、内側シェル１１との間で真空断熱層を形成する外側シェル１２とを有している。外側シェル１２は薄板からなり、塑性加工が施されて、その断面が波状となっている。 （もっと読む）

【課題】枚葉移載と一括移載を切り替える際に、パーティクル発生を抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が収容される基板収容器と、複数の基板が積載されるボートと、複数の基板が積載されたボートを収容し前記ボート上の複数の基板を処理する処理室と、前記基板収容器と前記ボートとの間で基板の移載を行う基板移載装置とを備え、前記基板移載装置は、１枚の基板を移載するための枚葉移載用プレートを駆動する第１の駆動部と、複数枚の基板を移載するための一括移載用プレートを駆動する第２の駆動部とを備え、１枚の基板を移載する場合は、第１の駆動部により枚葉移載用プレートを駆動し、複数枚の基板を移載する場合は、第１の駆動部と第２の駆動部により、枚葉移載用プレートと一括移載用プレートを同期して駆動するように、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層５と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板１の前記外周領域に設けられたテーパ部１２の上に前記化合物半導体層５が成長することを阻止する成長阻止層４を形成するステップと、
前記成長阻止層４が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層５を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータ素線同士の接触を防止することができる素線接触防止部材を提供する。
【解決手段】加熱すべき被加熱体の外周に螺旋状に巻回して配置したヒータ素線５２を有するヒータ装置４８において、前記ヒータ素線の間隔が、前記ヒータ素線の変形により前記ヒータ素線の配置時よりも狭まった箇所７０に対応させて前記ヒータ素線間に絶縁性の素線接触防止部材６０を配置する事により、ヒータ装置４８に設けたヒータ素線同士の接触を防止して、ヒータ素線の溶断等の発生を阻止する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの熱処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、素子形成面が略水平となるようにウェハ３０２をエッジリング３０３が保持し、保持されたウェハ３０２の素子形成面に同心円状に区分されたゾーン毎にプロセスガスをガス導入口３０７が供給する。このため、プロセスガスの流量をウェハ３０２の素子形成面の同心円状のゾーン毎に制御することができるので、例えば、熱処理時（特に到達温度付近）でのウェハ３０２の外周部でガス流量を下げることにより、ウェハ３０２外周部でのウェハ３０２温度低下を抑制し、熱処理の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、装置の小型化を図りつつ加熱装置の寿命を長くし、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置を提供することにある。
【解決手段】筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の搬送方式では、対象スロット間に十分な移載空間が確保できないような構成における基板搬送を可能とした基板処理装置を提供することである。
【解決手段】内部で基板を処理する反応容器と、中央部に収納された前記基板を加熱する第一被誘導体と、複数枚の前記第一被誘導体を前記反応容器の延在方向に所定の間隔を成して保持する被誘導体保持体と、前記被誘導体保持体の両端に保持される第二被誘導体と、前記反応容器内で少なくとも前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記第一被誘導体および前記第二被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、前記被誘導体保持体の最上段から最下段に順次前記第一被誘導体又は前記第二被誘導体が移載されるよう制御する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【解決手段】半導体基板の熱処理工程に用いる熱処理炉であって、両側端面に半導体基板の挿入及び取り出し可能な大きさの開口部を有する円筒状の炉心管を具備することを特徴とする熱処理炉。
【効果】本発明によれば、半導体の連続熱処理時の各バッチ間の待機時間を減少させ、生産性を向上することが可能となった。また、炉芯管の構造を単純な円筒状形状としたことで、ガス導入管部分の破損頻度が低下し、熱処理工程のランニングコストを削減することができた。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れたＨＥＭＴ構造またはＭＩＳ（ＭＯＳ）型ＨＥＭＴ構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群を有する半導体積層構造において、バッファー層３と第１の半導体層４とをＭＯＣＶＤ法で形成し、第２の半導体層６をＭＢＥ法で形成する。 （もっと読む）

【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０で区切られた二つの空間が形成される。発熱体２０を取り付ける側壁内層５０と側壁中層６０との間の第一の空間Ｓ１には冷却媒体流通通路１４が形成される。側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素含有ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、所定元素および炭素を含む層を窒化して炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、所定厚さの炭窒化層を酸化して酸炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】装置振動等による基板の位置ずれを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット３０が配置された搬送チャンバ２０と、搬送チャンバ２０の周囲にスリットバルブ７０を介して接続されたプロセスチャンバ１０と、を備える。プロセスチャンバ１０は、載置台１１を備え、載置台１１からリフトピン１２に基板Ｗを移載することで搬送ロボット３０への基板Ｗの受け渡しが可能になっている。リフトピン１２を制御する移載制御部１３は、搬送ロボット３０が該当プロセスチャンバ１０への基板の搬送動作を開始した後に、リフトピン１２へ基板Ｗを移載させる。 （もっと読む）