【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】薬液に関する問題を低減するとともに、洗浄効果を高めるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣの表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）とを備え、酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）では、オゾンガスを用いる。酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマを用いることが好ましい、 （もっと読む）

【課題】負荷を低減させて加熱部を昇温させることが可能な半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
処理室内に基板を搬入する工程と、加熱部に電力を供給して加熱部を発熱させることにより、基板を加熱して処理する工程と、処理が完了した基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有し、基板を加熱して処理する工程では、加熱部の温度を検出し、検出した加熱部の温度が所定温度未満であるか否かを判定し、加熱部の温度が所定温度未満であると判定した場合には、加熱部の昇温速度が、あらかじめ設定した加熱部の昇温速度の基準となる目標昇温速度以上であるか否かを判定し、加熱部の温度が所定温度未満であり、かつ昇温速度が目標昇温速度以上であり、かつ昇温速度が目標昇温速度と異なる場合には、加熱部への電力供給量を低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１を加熱する加熱手段２０６と、第１の熱電対２６３により基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、第２の熱電対２６４により加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、第１の温度検出手段により検出された温度、及び第２の温度検出手段により検出された温度に基づき制御する第１の制御手段と、第２の熱電対により検出された温度に基づき制御する第２の制御手段と、検出された温度に従って、第１の制御手段と第２の制御手段による制御とを切り替える制御切り替え手段を有し、第１の熱電対２６３は第２の熱電対２６４に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の熱電対２６４は第１の熱電対２６３と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす基板保持具を提供する。
【解決手段】被処理基板ｗに所定の熱処理を施す熱処理方法において、基板保持具１１に裏面を上面にした被処理基板ｗを上下方向に所定の間隔で保持し、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環３４で支持した単板ユニット３５を構成し、上記基板保持具１１は、被処理基板ｗの周囲を取り囲むように配置された複数本の支柱２７と、該支柱２７に被処理基板ｗを保持する爪部３６と、上記単板ユニット３５の支持環３４の外周に適宜間隔で突設された突片を介して単板ユニット３５を支持するユニット支持部３７とを有することにより、上記被処理基板ｗの裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしている。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持プレート７に保持される。半導体ウェハーＷは保持プレート７に内蔵されたヒータなどによって所定温度に温調される。その後、フラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温させてすぐに降温させることができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】応答要求に対する応答を制限時間内に返せないことによる、通信障害を防止する基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する少なくとも１つの基板処理装置１と、該基板処理装置を通信手段３１を介して管理する管理装置２９とで構成され、前記基板処理装置１と前記管理装置２９との間で通信状態を確認しながらオンラインで接続される基板処理システムであって、前記基板処理装置１から前記管理装置２９へ所定のメッセージを送信すると共に、該管理装置２９との通信状態を確認するメッセージを付随して送信する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数のマグネトロンを用いて反射電力を少なくしてマイクロ波を照射することができるマイクロ波照射装置およびマイクロ波照射方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波照射装置１００は、被処理体を収容するチャンバ１と、電圧が供給されることによりマイクロ波を発生させ、そのマイクロ波を前記チャンバ１内の被処理体に照射するための複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂと、これら複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂにパルス状電圧を供給する電源部２０とを具備し、電源部２０は、複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂにそれぞれ供給されるパルス状電圧の電圧パルス同士が時間的に重ならないように電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部およびブロア出力演算部に送られる。ヒータ出力演算部において、ヒータ出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部において、ブロア出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ブロア出力が求められる。 （もっと読む）

【課題】移載室内のエア滞留発生を抑制して、移載室内における確実なエアフロー形成を実現する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。 （もっと読む）

【課題】固体デバイスの製造効率を高めることができるようにする。
【解決手段】 処理すべき基板を取り出すカセット室を指定する取出カセット室指定手段と、処理すべき基板の取出スロット番号や処理の終了した基板の回収スロット番号を指定するスロット番号指定手段と、基版毎に複数のプロセス室に搬送順序を指定する搬送順序指定手段と、指定搬送順序に従って基板を複数のプロセス室に搬送する基板搬送手段と、基板毎の複数のプロセス室で実行するプロセスを指定するプロセス指定手段と、指定されたプロセスを複数のプロセス室で実行するプロセス実行手段と、処理の終了した基板を回収するカセット室を指定する回収カセット室指定手段と、表示部と、取出カセット室指定手段とスロット番号指定手段と搬送順序指定手段とプロセス指定手段と回収カセット室指定手段とを有する運転レシピ作成画面を表示部の画面上に表示する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉１は、炉本体１０と、炉口１０ｂを閉塞する閉塞体１５と、炉本体１０内を加熱する加熱体２０と、半導体ウェーハＷを立ててプロセスガスの導入方向と平行な方向に複数平行保持させる横型ボート３０と、プロセスガス導入口１０ａから導入されるプロセスガスの前記半導体ウェーハＷへの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハＷを横型ボート３０に平行保持させた際、横型ボート３０より上方に位置する半導体ウェーハＷの外周部近傍を通過するプロセスガスのガス流速を前記外周部近傍の特定領域毎に変化させるプロセスガス整流板４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の窒化速度を向上させる。
【解決手段】ガス流量制御部により処理ガス中の水素含有ガスと窒素含有ガスとの流量をそれぞれ調整し、処理ガス中に含まれる水素原子の数と窒素原子の数との総数に対する水素原子の数の比率Ｒを０％＜Ｒ≦８０％とする工程と、ガス供給部により処理ガスを処理室内に供給する工程と、プラズマ生成部により励起した処理ガスで酸化膜が形成された基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に吸着したガスに含まれる不純物を効果的に除去しつつ基板処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内へ搬入された基板に、第１のガスを吸着させる第１ガス供給工程と、前記第１ガス供給工程の後、前記処理室内から第１のガスを排気する第１ガス排気工程と、前記第１ガス排気工程の後、前記基板に付着した第１のガスを、分解機構により分解する第１分解工程と、前記第１分解工程の後、前記処理室内へ第２のガスを供給しつつ、前記分解機構により第２のガスを分解する第２ガス供給工程と、前記第２ガス供給工程の後、前記基板を処理室内から搬出する搬出工程とから、基板処理方法を構成する。 （もっと読む）