【課題】装置振動等による基板の位置ずれを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット３０が配置された搬送チャンバ２０と、搬送チャンバ２０の周囲にスリットバルブ７０を介して接続されたプロセスチャンバ１０と、を備える。プロセスチャンバ１０は、載置台１１を備え、載置台１１からリフトピン１２に基板Ｗを移載することで搬送ロボット３０への基板Ｗの受け渡しが可能になっている。リフトピン１２を制御する移載制御部１３は、搬送ロボット３０が該当プロセスチャンバ１０への基板の搬送動作を開始した後に、リフトピン１２へ基板Ｗを移載させる。 （もっと読む）

【課題】基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】基板２００を保持する基板保持具１８と、前記基板及び基板保持具を収納する反応管２０５と、前記基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給系２３３ａ，２３３ｂ，２４０ａ，２４０ｂと、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系２３１とを有し、前記基板保持具は複数の支柱１１３と、該支柱に設けられ、前記基板を載置する円環状の部材であって、円環の一部に欠切部が形成された整流部材とを備え、該整流部材の外周と前記反応管の内壁面との間の距離が、前記支柱と前記反応管の内壁面との距離より短い。 （もっと読む）

【課題】基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。
【解決手段】酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ１８上に設置された基板１６に対して、トランス結合バイアス電源からバイアス電圧を印加し、前記基板１６のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘの関係を満たすように前記バイアス電位を制御することによって前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板１６に照射するプラズマ処理装置１０により前記基板１６をプラズマ酸化する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板が反っていても水平に保持することができ、被処理基板の位置ずれや反り量のばらつきを吸収することができるようにすることである。
【解決手段】左右一対の前側支柱２６と、左右一対の後側支柱２７とを有し、これら前側支柱２６および後側支柱２７に被処理基板ｗを前方から挿入可能で且つ上下方向に所定の間隔で保持可能な複数の溝２８，２９を形成してなる基板保持具９において、前側支柱２６の前記溝２８上の支持面２８ａを前後方向の中心線ｃ１に対して接近すべく斜め前方に延長させ、互いに接近した前側支柱２６の支持面２８ａの先端における被処理基板ｗの支持点３０，３０間の寸法Ｘ２を、前記後側支柱２７の支持面２９ａの先端における被処理基板ｗの支持点３１，３１間の寸法Ｙ２と同じにした。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる熱処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に収容された基板を基板の外周側から加熱する加熱装置と、前記加熱装置と処理室との間に設けられた冷却ガス流路と、前記冷却ガス流路に冷却ガスを流す冷却装置と、前記加熱装置を上方から下方にかけて分割した領域の前記冷却ガス流路とそれぞれ連通し、前記冷却装置により前記冷却ガス流路へ冷却ガスを流す複数の冷却ガス吸気路と、前記複数の冷却ガス吸気路にそれぞれ設けられた圧力検出器と、前記圧力検出器が検出する圧力値に基づいて、前記冷却装置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理容器内でプラズマ窒化処理の処理条件を変化させた場合でもパーティクルの発生を防止できるプラズマ窒化処理方法を提供する。
【解決手段】 第１のプラズマ窒化処理が終了し、処理容器１から１枚のウエハＷを搬出した後に、処理容器１内から酸素を排出させるプラズマシーズニングを行う。プラズマシーズニングでは、ウエハＷを配置せず又はダミー基板を配置し、処理容器１内に窒素ガス／希ガスの流量比０．２以上１以下で希ガスと窒素ガスの処理ガスを導入し、第２の条件で第２の窒素プラズマを生成させ、処理容器１内の酸素を除去する。 （もっと読む）

【課題】炉本体と処理容器との間の空間内を精度良く微陰圧に保ちながら、この空間内を強制冷却する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。圧力検知システム５０によって空間３３内の圧力が検知され、圧力検知システム５０からの検知信号に基づいて制御部５１により空気供給ブロア５３、空気供給ライン側弁機構５４Ａ、空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが制御されて空間３３内が微陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】支持機構の設置空間を極小化することで処理装置全体の小形化に貢献し、また、搬送アームとの間の移載時に起こる被処理体の位置ずれを格段に低減することができる被処理体の支持機構及び支持方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗと接触してこれを支持するリフトピン３８と、リフトピン３８を昇降させるモータ１００と、モータ１００を駆動する駆動制御装置２００と、からなるユニットをＮ組（Ｎは少なくとも３以上の整数）備え、駆動制御装置２００が、Ｎ組のそれぞれのリフトピン３８の先端から、搬送アーム１４に載置された被処理体Ｗまでの距離あるいは搬送アーム１４の被処理体Ｗの載置面までの距離、がすべて同じになるようにＮ組のモータ１００のそれぞれを独立して駆動してから被処理体Ｗを授受する。 （もっと読む）

【課題】処理されるワークが大型化する場合であっても、装置の大型化を抑制し、かつ、プロセスチューブに対するワークの搬入および搬出に要する時間を短くすることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 縦型炉１０は、ボート２２および昇降機構２６を少なくとも備える。昇降機構２６は、ワーク２０がプロセスチューブ１６の内部に配置される第１の位置、およびワーク２０がプロセスチューブ１６の外部に配置される第２の位置を含む複数の位置にボート２２を移動させるように構成される。ボート２２は、その上部に設けられ、かつ、開口部１８８を通過可能に構成された閉塞板２２４を備える。閉塞板２２４は、ボート２２が第２の位置に配置された際に、開口部１８８を塞ぐように開口部１８８内に配置される。 （もっと読む）

【課題】シャッタの軽量化を可能にしつつ、熱変形をも抑制することができる縦型熱処理炉のシャッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、炉体１１の下端に設けられた開口を開閉するシャッタ２５と、このシャッタ２５を開閉駆動する駆動機構２４とを備えている縦型熱処理炉１０におけるシャッタ装置２３において、前記シャッタ２５における炉体１１の中心部に対応する部分に、炉体１１の内部から遠ざかるように窪んでシャッタ２５の熱変形を抑制する凹部３３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱酸化膜と同等以上の膜質を有するシリコン酸化膜を形成できるプラズマ酸化処理方法を提供する。
【解決手段】 処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾンガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ_２とＯ_３との合計に対するＯ_３の体積比率が５０％以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】高周波給電系統の負担を軽くし、ＲＦアンテナ内の電流分布についてプロセス条件あるいはプラズマ状態に依存しない多様かつ任意な制御可能な誘導結合型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、誘電体窓と平行な一水平面内で同心状に配置される２組または２対のコイル５４(1），５４(2)を有している。高周波給電ライン６２の終端部と内側および外側コイルセグメント５６Ａ，５６Ｂの両端部との間に第１のスイッチ回路網６４が設けられている。ＲＦアース線６６の始端と内側および外側コイルセグメント５８Ａ，５８Ｂの両端部との間に第２のスイッチ回路網６８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ部材の表面近傍に残留している金属元素を、ＳｉＣ部材の破損を抑制しつつ、短時間かつ低コストで除去する。
【解決手段】 炭化珪素からなる部材が内部に露出した反応容器と、反応容器内を加熱する加熱部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給するガス供給部と、反応容器内を排気する排気部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給しつつ反応容器内を排気すると共に、反応容器内を処理温度に加熱して所定時間保持するように、ガス供給部、排気部、及び加熱部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、搬送室を中心として第１ロードロック室、第２ロードロック室、二つの処理室が配置され、搬送室は、第１のロードロック室及び第２ロードロック室と二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂが設けられた上アーム７４を有し、第１フィンガ７２ａは、第１貫通孔８３及び第２貫通孔８４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】センサの故障等を検知することができるセンサ故障検知方法、センサ故障検知装置、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】まず、処理装置に配置されているセンサがＯＮ／ＯＦＦしたか否かを判別する（ステップＳ１）。センサがＯＮ／ＯＦＦしたと判別すると（ステップＳ１：Ｙｅｓ）、センサが異常パターンに該当するか否かを判別する（ステップＳ２）。センサが異常パターンに該当すると判別すると（ステップＳ２：Ｙｅｓ）、センサの変化情報を作成する。次に、作成したセンサの変化情報を処理装置の操作パネルに表示する（ステップＳ３）。そして、センサの変化情報をセンサ情報記憶部に記憶する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】基板の異物付着を低減し、生産性を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に収納された基板を加熱する加熱部と、加熱部近傍の温度を検出する第１の温度検出部と、第１の温度検出部よりも基板の近傍に位置し、基板近傍の温度を検出する第２の温度検出部と、基板が入炉されてから所定時間内の加熱部の加熱制御を第１の温度検出部の検出温度に基づいて行う制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び加熱装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。シェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第一の鍔５３を設ける。シェルユニット５１の端部に対し隙間５０ｓで対向するシェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第二の鍔５９を設ける。封止部材５２は第一の鍔５３と第二の鍔５９との間に配置される。第一の鍔５３は封止部材５２が筒状の外側へ移動することを規制する規制部５３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 （もっと読む）