【課題】半導体材料上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の堆積中、パーティクル生成を最小限化する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ前駆体と、分解温度がゲルマンより高いＧｅ前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップ、および最終Ｇｅ含有量が約０．１５より大きくかつパーティクル密度が約０．３パーティクル／ｃｍ^２より小さいＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を前記基板上に堆積するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥のほとんどないシリコンエピタキシャル層を形成できるエピタキシャルウェーハの製造方法、当該方法により製造されたエピタキシャルウェーハ及び撮像用デバイスの製造方法を提供することを目的とする
【解決手段】前記シリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の表面から０．５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程と、前記ＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させたシリコン基板の表面上に前記シリコンエピタキシャル層を形成する工程とを具備するエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶基板主表面に、ドーパント濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上であるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハにおいても、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたエピタキシャルウェーハ及び製造方法、該シリコンエピタキシャルウェーハを使用した貼り合わせＳＯＩウェーハ及び製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであって、シリコン単結晶基板の主表面は、［１００］軸に対して（１００）面から［０１１］方向又は［０−１−１］方向に角度θだけ傾斜し、［０１−１］方向又は［０−１１］方向に角度φ傾斜し、θ及びφが１０′未満であり、シリコンエピタキシャル層のドーパント濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われる炭化珪素エピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる半導体製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
縦方向に延在して設けられる第１のガス供給ノズルと第２のガス供給ノズルとを備え、第１のガス供給ノズルには第１のガス供給口が設けられ、第２のガス供給ノズルには第２のガス供給口が設けられ、第２のガス供給ノズルが基板と第１のガス供給ノズルとの間に設けられる半導体製造装置における半導体装置の製造方法であって、縦方向に積層して配列された複数枚の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第１のガス供給口から、シリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記第２のガス供給口から、炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板表面に炭化ケイ素膜を形成する工程と、複数枚の基板を反応室内から搬出する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、ＧａＣｌガス、ＮＨ_３ガス、及びＮ_２又はＡｒにより所定の濃度に希釈されたＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをＧａＮ単結晶基板に供給し、４５０μｍ／ｈｏｕｒより大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度でＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ単結晶を成長させると共に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスが所定の濃度に希釈されたことによるＮＨ_３ガスとの反応の抑制により、ＧａＮ単結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−２Ωｃｍ以下となるようにＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスに含まれるＳｉがＧａＮ単結晶にドーピングされることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
【解決手段】基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてEpi−SiGe成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてSiコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したGeO等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、GeOから脱離した酸素がEpi−SiGe膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のクリーニングを実施しても、基板を処理するスループットの低下を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明における基板処理装置ＳＴによれば、基板処理装置ＳＴ内に予備室ＰＲＥと隔離された隔離室ＳＰを設け、クリーニングする必要のあるボートを、予備室ＰＲＥから隔離室ＳＰを介して外部空間へ搬出するように構成している。これにより、本発明における基板処理装置ＳＴでは、予備室ＰＲＥ内の清浄度を保って、基板処理装置ＳＴの稼動状態を維持しながら、クリーニングを必要とするボートを外部空間に搬出することができる。したがって、基板処理装置ＳＴでの処理におけるスループットの低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、表面処理用原料流体が基板表面に沿って流されて排出される際に、処理済流体が流出部内壁に衝突して流れが乱れることを抑制することである。
【解決手段】表面処理装置１０は、円筒状の周囲壁を形成する筐体部１２の内部に円板状の試料保持台１４が設けられる構成を有する装置である。筐体部１２の上方側に設けられる円筒状部分２２は原料流体供給流路部で、筐体部１２において試料保持台１４の側方に設けられ、円筒状部分２２から見ると末広がりとなっている流路部は、流出流路部２４である。流出流路部２４は、試料保持台１４の最外周上端の位置を焦点位置とし、焦点位置に対称的に向かい合う流出口上縁端の位置を基準位置とするパラボラ曲線等が用いられる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの生産性を向上できるようにする。
【解決手段】エピタキシャル成長装置１０は、ウェーハに対してエピタキシャル成長を施す成長反応室１２と、ガス供給源Ｓから供給された気体を、成長反応室１２内から排出する排出管２６と、ガス供給源Ｓから供給された気体を、成長反応室１２を通さずに排出するベント側管２３とを有し、複数のエピタキシャル成長装置１０の排出管２６のそれぞれに対応してその下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う複数のスクラバー２９と、複数のエピタキシャル成長装置１０のベント側管２３の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行うスクラバー３７とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】デッドスペースを増加させることなく、基板の面内均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２を保持する基板保持体と、複数の基板２を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板２を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板２の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材３５とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える固定支柱２６、底板３１と、前記基板載置部に載置された基板２の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材３６を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材３６を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材３５と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動支柱２７、支柱支持腕３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜室内壁を保護するライナ上に副生成物が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部には、プロセスガス２５の供給部４が、内部には、半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、チャンバ１の内壁を被覆する筒状のライナ２とがそれぞれ設けられている。ライナ２は、サセプタ７の配置される胴部３０と、供給部４の側にあって胴部３０より断面積の小さい頭部３１と、胴部３０と頭部３１をつなぐ段部３２とを有する。ライナ２の頭部３１の周囲には、塩化水素ガスをライナ２内に供給するガス流路２６が設けられており、ライナ２内に塩化水素ガスを供給しながら、プロセスガス２５を供給部４からチャンバ１内に流下させて、下方に配置されたサセプタ７上の半導体基板６に結晶膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】爆発等の発生を抑制することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、及び、基板の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気コイル５０によりアウターチューブ４２内を電磁誘導加熱するとともに、アウターチューブ４２とライナーチューブ２０４との間には、不活性ガス供給ノズル２１０が設けられており、この不活性ガス供給ノズル２１０の不活性ガス供給孔２１２から窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスを導入し、処理室４４外の周囲空間２１４を上方から下方に向かってパージする。周囲空間２１４を不活性ガス雰囲気とし、この周囲空間２１４内の大気（酸素）濃度を低くする。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高速回転時にウェーハを確実に保持することができ、ウェーハに均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハwが成膜処理される反応室11と、反応室11の上部に設けられ、プロセスガスを内部に導入するためのガス供給機構12と、反応室の下部に設けられ、反応室よりガスを排出するためのガス排出機構13と、成膜処理の際に、ウェーハwの端部が所定位置となるように保持するために設けられ、所定位置の上部より中心方向に突出したウェーハ外れ防止部を有する支持部材15と、ウェーハwを支持部材15の上方において保持し、上下駆動可能な突き上げ機構21と、ウェーハwを所定の温度分布となるように加熱するためのヒータ18a、18bと、ウェーハwを回転させるための回転駆動機構17と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０上に単結晶層３０が形成されたエピタキシャルウエハの製造方法であって、平坦な上面１２と、平坦な下面１４と、上面１２と下面１４を接続する端面１６を有する半導体ウエハ１０の端面１６上に、アモルファス層２０を形成するアモルファス層形成工程と、アモルファス層形成工程後に、半導体ウエハ１０の上面１２上に、８０μｍ以上の厚みを有する単結晶層３０を気相成長させる単結晶層形成工程を有する。 （もっと読む）