【課題】Ｈ₂ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ₂ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ₂Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れたノンドープの半導体層を実現し、更には、チャネル中を移動するキャリアの移動度と素子の耐圧性とが共に高い半導体デバイスを実現すること。
【解決手段】ＡｌＮから成る核形成層が供する結晶成長面上に成長温度が１１５０℃で、Ｖ／III 比が１４７３の結晶成長条件下で、（ｅ）６５９Å／ｍｉｎ，（ｆ）８２７Å／ｍｉｎ，（ｇ）９６８Å／ｍｉｎの各結晶成長速度毎にノンドープの高抵抗半導体層を積層して、それぞれのリーク電流を測定した。図５−Ａのグラフは、この時の高抵抗半導体層の結晶成長速度（（ｅ）〜（ｇ））と、印加電圧４０Ｖに対する各リーク電流との関係を示している。この結果より、ノンドープのＧａＮ層から高抵抗半導体層を形成する場合、リーク電流を１×１０^-8〔Ａ〕以下に抑えるためには、結晶成長速度を約６５〔ｎｍ／ｍｉｎ〕以上にすると良いことが判る。 （もっと読む）

【課題】成長前の反応炉内の不純物を低減し、ＨＥＭＴの電子移動度の低下を抑えることができるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内のサセプタ１に基板３をセットし、その基板３をヒータ５で加熱し、基板３に沿って原料ガス６を流すことにより、加熱された基板３上で半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、上記基板３をセットする前に、反応炉内に、高温ガス７を流すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成する結晶を良好に安定して形成でき、特性の優れた半導体レーザ素子を高い生産効率で得ることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー（３７）内に、基板（２２）を支持する基板支持手段（２１）及び基板を加熱する第１の加熱手段（２３）を備え、さらに、高周波加熱をする第２の加熱手段（２８）と、これを収容するためにチャンバーの側壁の外側に連接して設けた収容室（３０）と、第２の加熱手段を、チャンバーの内部と収容室（３０）との間で移動させる移動手段（３５Ａ）とを備え、収容室内部の圧力をチャンバーとは独立して制御可能なように構成した。 （もっと読む）

【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのＧａＮ結晶から成る半導体層１０３（バッファ層）の上には、厚さ約４０ｎｍのノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから成る半導体層１０４が積層されている。この半導体層１０４は、本発明に基づく厚さ約３０ｎｍの急峻界面提供層１０４１と、本発明に基づく厚さ約１０ｎｍの電極接続面提供層１０４２の計２層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから形成されているが、急峻界面提供層１０４１を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＨ₂ を使用した。また、電極接続面提供層１０４２を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＮ₂ を使用した。 （もっと読む）

インサイチュドープトエピタキシャル半導体層を堆積するための方法は、パターニングされた基板を収容する処理チャンバ内を約８０ｔｏｒｒより高圧に維持するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へジクロロシランのフローを提供するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へドーパント水素化物のフローを提供するステップを含む。本方法は更に、パターニングされた前記基板上の単結晶物質上に、約３ｎｍ ｍｉｎ^−１より速い速度で、前記エピタキシャル半導体層を選択的に堆積するステップを含む。
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本発明の実施形態により、高ドーパント濃度を含有するエピタキシャルシリコンゲルマニウム材料を選択的に堆積するなど、シリコン含有材料を堆積するためのプロセスが提供される。一実施例において、１つの層を別の層の上部に堆積するために、少なくとも２つの異なるプロセスガスに基板が曝される。１つのプロセスガスは、ジクロロシラン、ゲルマニウム源、およびエッチャントを含有し、次のプロセスガスは、シランおよびエッチャントを含有する。他の実施例において、プロセスガスが、ジクロロシラン、メチルシラン、および塩化水素、またはシラン、メチルシラン、および塩化水素を含有する。一態様において、堆積された層が、結晶格子内に格子間部位を有し、格子間部位内に約３ａｔ％以下の炭素を含有し、引き続き、結晶格子の置換部位内に炭素を包含するようにアニーリングされる。別の態様において、シリコンゲルマニウム積層体が、約２５ａｔ％以下、約２５ａｔ％以上、および約５ａｔ％以下のゲルマニウム濃度を含有する第１、第２、および第３の層を有する。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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【課題】 原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 原子層堆積（ＡＬＤ）を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第１のガスおよび第２のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第１のガス流れを流し、第１の時間に処理チャンバに第２のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第２の時間に基板ホルダにＲＦ電力をパルス化する。 （もっと読む）

デバイスが、成長面（１２２）、成長マスク（１３２）、成長導波コアメサ（１４０）およびクラッド層（１６０）を有する光電子デバイスまたは透明な導波デバイスである。成長マスクは、成長面上に配置されており、細長い成長窓を画定する。光導波コアメサは、成長窓内に配置されており、台形の断面形状を有している。クラッド層は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。このようなデバイスは、成長面（１２２）を有するウェハ（１１０）を設け、光導波コアメサ（１４０）をマイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、さらに、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料（１６０）で覆うことによって製造する。
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本発明は、天井（２）と基板（４）を載せるための垂直に反対側の加熱された床（３）を有する反応チャンバー（１）中の少なくとも１の特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置に関するものである。垂直に重ねられたガス入口域（６、７）を形成するガス入口部材（５）は、少なくとも１の第一および１の第二ガス状出発物質を分離して導入し、前記出発物質は、キャリヤガスとともに前記反応チャンバー（１）を通過して水平方向に流れる。前記ガスの流れは、前記ガス入口部材（５）に直接隣接した入口域（ＥＺ）で均質化し、前記出発物質は少なくとも一部分解され、前記入口域（EZ）に隣接した成長域（GZ）中の基板（４）上に堆積される分解物を生成し、ガスの流れは連続的に使い尽くされる。前記入口域（EZ）の水平方向の広がりを減少させるためには、ガス入口部材（５）の追加ガス入口域（８）は、２つの出発物質のうちの一方に必須である。
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高い熱伝導率の金属マトリックスを含む非連続なダイヤモンド粒子、およびこれらの複合材料を製造する方法が提供される。この製造方法は、ダイヤモンド粒子上に、拡散して結合され、機能的に勾配を有するインタラクティブＳｉＣ表面層が形成される薄層反応を含む。インタラクティブ表面転化ＳｉＣコーティングされたダイヤモンド粒子は、ついで型内に配置され、加圧下に、粒子間で急速に個体化される。ダイヤモンド粒子上の表面転化インタラクティブＳｉＣコーティングは、金属マトリックスと最小の界面熱抵抗、良好な機械的強度および複合材料の剛性を与え、複合材料の理論的な熱伝導率に近いレベルを達成する。ダイヤモンド金属複合材料は二次的に薄いシート製品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱的に処理するための装置に関する。熱処理装置(230)は、気体を処理チャンバ(236)に選択可能に注入するための注入システム(250)を有する。注入システム(250)は、反応物及び他の気体の流れを各ウェーハ(242)の表面を横切るように差し向けるための複数の注入ポート又はオリフィス(252)が分配された１又は２以上の細長い注入管を含む。細長い注入管は、軸線の周りに３６０度回転可能である。
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基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

【課題】サセプタの交換周期を長くしても均一な膜厚分布の半導体結晶膜が形成された基板を作製することができる半導体気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応炉内に少なくとも２種類以上の原料ガスを供給して半導体結晶膜を基板３１上に形成する半導体気相成長装置において、基板３１を挿通可能な貫通穴２７ａが形成されたサセプタ２７と、基板３１を保持する基板保持用治具３７と、基板３１の基板厚さ方向の位置を変更するためのスペーサー３５と、が設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速性、均一性に優れ、原料ガスの使用効率を高めて成膜コストを低減することを可能とした成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】反応容器１と、該反応容器１内に設けられ、対向して設けられた少なくとも一対の基体７を支持するための支持体６と、該基体７を加熱する手段と、前記一対の基体７間に形成された空間に原料ガスを吐出するためのガス吐出口８ａと、ガスの排出口９と、前記支持体６を同一方向に回転させる手段とを具備することを特徴とし、前記加熱する手段が高周波誘導加熱であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）