単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系単結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、酸化物からなる部材を備えたＳｉを主成分とする半導体基板の表面をＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含むハロゲン含有ガスに曝す工程と、前記半導体基板の前記表面をハロゲン含有ガスに曝し始めた後、前記表面をハロゲンを含まないＳｉ含有ガスおよびハロゲンを含まないＧｅ含有ガスのうち少なくともいずれか１つを含む雰囲気に曝し、前記表面にＳｉおよびＧｅのうち少なくともいずれか１つを含む結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】従来のエピタキシャルウェーハに比べて、結晶性が良好であり、また発光輝度を向上させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、エピタキシャル成長によってｎ型層１２と、該ｎ型層１２上にｐ型層１３とを形成し、該エピタキシャル成長の際に、少なくとも前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３形成時に窒素ドープ用ガスを、前記ｐ型層１３形成時にｐ型ドーパントドープ用ガスを導入するエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３として、ＧａＡｓＰまたはＧａＰを形成し、前記ｐ型層１３を、少なくとも第１ｐ型層１３ａ形成後に、該第１ｐ型層１３ａよりキャリア濃度の高い第２ｐ型層１３ｂを形成し、前記第１ｐ型層１３の成長途中から少なくとも前記第２ｐ型層１３ｂの成長終了までの間に、前記窒素ドープ用ガスの導入量を０ｓｃｃｍまで徐々に減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に開口部と段差を有する絶縁膜上に、エピタキシャル成長により半導体膜を形成した後研磨することにより、高精度に膜厚を制御された薄膜のＳＯＩ層を形成する際にも、ＳＯＩ層中に残留結晶欠陥が少なく結晶品質の高いＳＯＩウエハの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に、段差のついた第一第二絶縁膜２、３を形成し、該絶縁膜２、３の第二開口部５ｂにエピタキシャル層５ａ成長させ、該エピタキシャル層５ａが前記第二開口部５ａから横方向に延び、前記第二絶縁膜３を覆うように成長させた際のエピタキシャル膜厚を３μｍ以下に制御し、続いて、ＣＭＰ研磨により前記第一絶縁膜２をストッパとして該エピタキシャル層５ａを研磨し、前記第一第二絶縁膜２、３の段差の厚みとちょうど同じ厚さに制御されたＳＯＩ層を有するＳＯＩウエハとする。 （もっと読む）

【課題】 気相成長室内の基板（種結晶基板）以外の部分に原料ガスの反応生成物が付着し堆積するのを大幅に抑制して、窒化物体の生産性を向上させることができ、低コストに窒化物体を製造することができる窒化物体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 窒化物体の製造方法は、基板３の表面に気相成長法によって窒化物体を成長させる窒化物体の製造方法であって、気相成長室（石英管）１内において７００℃以上に加熱された基板３を保持する保持体２ａ，２ｂが熱輻射率が１未満で水素及び塩素を含む原料ガスに対する耐腐食性を有する材料から成るものである。この構成により、保持体２ａ，２ｂが気相成長室１内の内壁、各部材等からの輻射熱を吸収しにくいものとなるため、保持体２ａ，２ｂの温度上昇が抑えられ、その結果保持体２ａ，２ｂへの原料ガスに起因する反応生成物の付着、堆積が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】単結晶Ｓｉの基板と、基板の上に形成され、開口領域を有する絶縁層と、開口領域の基板上にエピタキシャル成長されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上にエピタキシャル成長されたＧａＡｓ層と、を備え、Ｇｅ層は、超高真空の減圧状態にできるＣＶＤ反応室に基板を導入し、原料ガスを熱分解できる第１温度で第１のエピタキシャル成長を実施し、第１温度より高い第２温度で第２のエピタキシャル成長を実施し、第１および第２のエピタキシャル成長を実施したエピタキシャル層をＧｅの融点に達しない第３温度で第１のアニールを実施し、第３温度より低い第４温度で第２のアニールを実施して形成された半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】低温での選択成長が可能な半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内にジクロロシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面にシリコン単結晶膜を選択的に形成する第一のエピタキシャル成長工程と、前記第一のエピタキシャル成長工程の後に、前記処理室内に前記ジクロロシランガスと前記水素ガスと塩素系ガスとを供給して前記シリコン単結晶膜の上にシリコン単結晶膜を形成する第二のエピタキシャル成長工程と、前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の反応炉を用いた場合でも、安定した特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給ラインに原料ガスを流し始める（ステップＳ２）。供給ラインからＭＦＣを通過した原料ガスは排気ラインに流れ、炉内供給ラインには流れない。その後、ＭＦＣを流れる原料ガスの流量が安定したかを判定する（ステップＳ３）。例えば、流量の変動幅が所定の範囲内に収まっているか判定する。流量が安定すると、バルブＶ１を開くと共に、バルブＶ２を閉じる（ステップＳ４）。この結果、供給ラインからＭＦＣを通過した原料ガスは排気ラインに流れなくなり、炉内供給ラインに流れるようになる。続いて、所定時間が経過したかを判定する（ステップＳ５）。この所定時間は、形成しようとしているＳｉＧｅ層の成長に必要とされる時間である。所定時間が経過すると、バルブＶ１を閉じると共に、バルブＶ２を開く（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置の耐食性を向上させる、半導体基板処理システム及び半導体基板を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体処理装置用コーティングのシステム及び方法である。半導体基板処理システムは、半導体処理ガスを封じ込めるためのエンクロージャを含む。エンクロージャは、その内側表面が少なくとも部分的に、炭化珪素コーティングで希望の厚さに被膜される。エンクロージャは、半導体基板を処理するための処理チャンバに半導体処理ガスを運ぶための吸込み配管、処理チャンバ、及び使用済み半導体処理ガスを処理チャンバから離れた場所に運ぶための吐出し管、或いはそのいずれかであることが可能である。内側表面は、珪素及びダイアモンド状炭素、或いはそのいずれかを含む追加コーティングを含むことができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理機器および方法の分野に関し、特に、リアクタチャンバの内部、例えば、チャンバ壁およびその他の場所にある望ましくない堆積物をｉｎ−ｓｉｔｕ除去するための方法および装置を提供する。本発明は、高スループットの成長プロセスに洗浄ステップを統合し組み込む方法を提供する。好ましくは、成長を延期し洗浄を開始する必要があるときと、洗浄を終了し成長を再開する必要があるときは、センサ入力に基づいて自動的に判定される。本発明はまた、本発明の統合された洗浄／成長方法を効率的に実行するためのリアクタ・チャンバ・システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】発光効率や寿命などの特性を向上させた発光素子などの半導体装置を工業的に安価に得ることが可能な２インチ以上の大口径ＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有するＧａＮ基板１であって、低欠陥結晶領域５２と、当該低欠陥結晶領域５２に隣接する欠陥集合領域５１とを備える。低欠陥結晶領域５２と欠陥集合領域５１とは主表面から当該主表面と反対側に位置する裏面にまで延在する。主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］がオフ角方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速回転時にウェーハを確実に支持し、ウェーハ上に均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、反応室１１内の所定位置でウェーハｗを下面側より支持する第１の支持部材１７と、この第１の支持部材１７の上方に設けられ、ウェーハｗの外周縁部を上面側より全周に亘って支持する第２の支持部材１８を備え、ウェーハｗを第１および第２の支持部材と共に回転させながら加熱し、均一に成膜を行う。 （もっと読む）

【目的】気相成長膜を成長させる成長速度の向上を図ることが可能な気相成長装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明のエピタキシャル成長装置１００は、ガスを加熱する加熱器１３２と、加熱器１３２で加熱されたガスを供給する流路１２２と、流路１２２が接続され、加熱されたガスを用いてシリコンウェハ１０１に成膜するチャンバ１２０と、チャンバ１２０からガスを排気する流路１２４と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成膜される膜の成長速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】水平円盤型サセプタの下方から発生する金属汚染物の浸入を遮蔽し、ウェーハの歩留まり率を改善することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる気相成長装置１は、ウェーハＷを収容する円環形状のホルダ１０と、前記ホルダ１０の円環形状の内周端と当接させる円周状段差を上面に設けた皿型形状のサセプタ５と、前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、前記回転駆動手段６の外側に、前記ホルダ１０の周縁部に設けられた突出部１０ａ下面を押し上げるウェーハ突き上げ手段９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

反応チャンバ（１）と、反応チャンバにプロセスガスを導入するためのガス流入口（２）と、残留ガス排出口（３）と、反応チャンバから残留ガス排出口を介して残留ガスを排出するためのポンプ（４）とを備えるＨＶＰＥリアクターの構成であって、ポンプは、反応チャンバにおいて約１００ミリバール以下の圧力を生じ、維持することができる。本発明によれば、リアクターの構成は、ポンプの内面の残留ガスの物質の起こり得る寄生性の堆積を溶解するために、ポンプに溶解流体を供給するための手段（６、７、Ｖ２、Ｖ３）を備える。 （もっと読む）

【目的】基板と支持部材の貼り付きを抑制することが可能な気相成長装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置１００は、基板を支持するホルダ１１０と、ホルダを内部に配置し、基板にＳｉ含有膜を成膜するチャンバ１２０と、基板の裏面側からＨＣｌガスを基板に向けて供給する供給部１６０と、基板の加工面側から基板を加熱するウェハ加熱源１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板とホルダ１１０の貼り付きを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化性ガスと還元性ガスとを用いることによって、設備コストの大幅な上昇を招来することなく、石英製の構成部材の表面から不純物金属、特に銅を除去することが可能なクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４と、処理容器内で被処理体を支持するための支持手段６と、被処理体を加熱する加熱手段２４と、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段２８とを有すると共に、各構成部材の内の少なくとも１つが石英製になされて被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置のクリーニング方法において、処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して両ガスを反応させることによって石英製の構成部材をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる基板１上にイオン注入処理をおこなう注入工程と、塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理することにより、イオン注入された前記基板１上のイオン注入によるダメージをエッチング除去するダメージ除去工程とを備え、前記ダメージ除去工程におけるエッチング除去量が、前記基板１の深さ方向に対する注入されたイオンのガウス分布の最大濃度深さＲｐの５〜１２０％の厚みであるシリコンウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】転位が少なく、また、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい、窒化ガリウムのような化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に複数の球形のボール２０をコーティングする工程と、球形のボール２０がコーティングされた基板上１０に化合物半導体エピ層３０を成長させつつ、球形のボール２０下部にボイド３５を形成する工程と、ボイド３５に沿って基板１０と化合物半導体エピ層３０とが自家分離されるように、化合物半導体エピ層３０が成長した基板１０を冷却させる工程と、を含む化合物半導体基板の製造方法。球形のボール処理により転位減少効果を持つ。また、自家分離を利用するので、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい。 （もっと読む）