【課題】様々な半導体加工用部品とこうした半導体加工用部品を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体加工用部品はＳｉＣで形成され、および、この半導体加工用部品の外側表面部分が、内部不純物レベルの１０倍以下である表面不純物レベルを有する。半導体加工用部品を処理する方法は、この半導体加工用部品を高温度においてハロゲン気体に曝露することと、酸化物層を形成するために半導体加工用部品を酸化させることと、この酸化物層を除去することとを含む。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であり、かつ前記ｎ型層および前記ｐ型層のシリコン濃度は１×１０^１４〜１．５×１０^１５／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】導電性ＳｉＣ基板上にＧａＮ系のキャリア走行層を含む化合物半導体層を形成して化合物半導体装置を構成する場合において、優れたデバイス特性を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に、ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ型ＡｌＮバッファ層１２と、ｉ型ＡｌＮバッファ層１２上に形成され、Ｆｅが添加されたＧａＮバッファ層１６と、ＧａＮバッファ層１６上に形成されたｉ型ＧａＮ層１８と、ｉ型ＧａＮ層１８上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたソース電極２６及びドレイン電極２８と、ソース電極２６及びドレイン電極２８との間のｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたゲート電極３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】良好なグローバルフラットネスを有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハを生じる、シリコンウェハをエピタキシャル被覆する方法を提供する
【解決手段】準備されたシリコンウェハのそれぞれ一つをエピタキシー反応器中のサセプタ上に置き、第１の工程で、水素雰囲気下でだけで１〜１００ｓｌｍの水素流量で前処理し、第２工程で、前記水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら、１〜１００ｓｌｍの水素流量で、０．５〜１．５ｓｌｍのエッチング媒体の流量で、かつ９５０〜１０５０℃の平均温度で前処理し、引き続き前記シリコンウェハのポリシングされた前面をエピタキシャル被覆し、前記エピタキシー反応器から取り出し、前記前処理の第２の工程において、前記サセプタの上側及び下側に配置された加熱エレメントの出力を、エピタキシャル被覆すべきシリコンウェハの中心軸の周りの放射形対称の領域と前記シリコンウェハの前記領域の外側にある部分との間に５〜３０℃の温度差があるように調節する （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長
させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第２の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処
理ガスを供給する第２のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第２のガス供給工程とを少なくとも１回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用部材などの物品のＣＶＤ‐ＳｉＣ膜の表層を酸化と酸洗浄とにより清浄化する工程が、より効果的にかつより効率良く行える手段を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表面汚染層１０８の厚さ（例えば０．２５μｍ）より幾分厚くなるように、ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表層から除去されるべき取代の厚さＤ１（例えば０．５μｍ）が設定される。次に、ＣＶＤ‐ＳｉＣ１０６の表層に成長させるべき酸化珪素膜１１０の厚さＴ１が取代厚さＤ１の２倍以上、好ましくはＴ１＝Ｄ１÷０．４５で設定される（例えばＴ１＝１１１１ｎｍ）。その後、設定された膜厚Ｔ１分の酸化珪素膜１１０を形成して除去するために要する、酸化と酸洗浄の工程を最適な実行回数が、各回の酸化時間とトータルの処理時間の計算結果に基づいて決定される。そして、決定された回数分だけ酸化と酸洗浄が繰り返される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを安定して載置可能であるとともに、ウエハがサセプタに貼り付くことを防止可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 ウエハの表面に膜を成長させる成膜装置であって、チャンバと、チャンバ内に設置されており、ウエハが載置される載置部を備えるサセプタと、載置部に載置されるウエハを加熱するヒータと、加熱されることによって反応して固体を生成する原料ガスをチャンバ内に導入する原料ガス導入手段と、サセプタ内に形成されており、下流端が載置部の周囲のサセプタ外周部に開口している阻害ガス流路と、原料ガスの反応を阻害する阻害ガスを阻害ガス流路に供給する阻害ガス供給手段を有している。 （もっと読む）

【課題】 金属汚染を効果的に防ぎ、白傷の発生が少ない高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内にガスを導入するためのガス導入管と、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタを回転させるためのサセプタ回転機構とを有し、前記ガス導入管から反応ガスを前記チャンバー内に導入しながら前記ウェーハ上に気相成長を行い、反応後のガスを前記ガス排出管から排出する気相成長装置において、前記ガスに接触し、かつ金属を含む材料からなる部位が、全て非金属の保護膜で覆ったものであり、前記気相成長装置を構成する部材の接合部に用いられるＯ−リングは、少なくとも、Ｔｉを含まないものである気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

ゲルマニウム含有量が漸次変化した高ゲルマニウム化合物領域を供する装置及び方法に係る実施例が全体として記載されている。他の実施例も記載及びクレームされている。
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【課題】 発光素子や電子デバイスの基板として用いることができ危険な原料を使うＳｉをドーパントとすることなくｎ型の自立したＧａＮ基板を与えること。
【解決手段】原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、ＨＣｌ、ＮＨ_３あるいは水素ガスに含ませて、ＨＶＰＥ法あるいはＭＯＣ法でＧａＡｓ基板の上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去し自立膜を得る。酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮとなる。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、レジストを用いて、下地基板上に開口部を有するマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層を酸性溶液が洗浄される（ステップＳ３）。そして、酸性溶液で洗浄するステップＳ３後に、下地基板およびマスク層を有機溶媒で洗浄される（ステップＳ４）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】反応炉への副生成物の付着を効果的に低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉１内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハをするエピタキシャルウェーハ製造方法において、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成するためのトリクロロシラン（ＴＣＳ）を供給して気相成長させる気相成長工程において、トリクロロシランと共に塩化水素を供給するようにする。これにより、気相成長工程中に炉内に付着する副生成物を低減することができる。このため、気相成長工程後において副生成物の除去を行う必要性を低下させることや、副生成物を除去する頻度を低減させることができ、生産性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系結晶またはＧｅ系結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、水素ガス雰囲気中において、圧力が第１の圧力であり、温度が第１の温度である条件下で、シリコン窒化物からなる部材を備えたＳｉ系基板の前記部材に覆われていない領域の自然酸化膜および付着したシリコン窒化物を除去する工程と、水素ガス雰囲気中において、圧力を前記第１の圧力に保持したまま、温度を前記第１の温度から第２の温度に下げる工程と、水素ガス雰囲気中において、温度を前記第２の温度に保持したまま、圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に下げる工程と、圧力を前記第２の圧力に下げた後、水素ガス、およびＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含む前駆体ガス雰囲気中において、前記Ｓｉ系基板の表面にＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含む結晶をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶体が成長して厚くなっても、簡単に割れることがなく、転位や不純物の少ない高品質な単結晶体の成長を連続的に行うことができる単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】反応加熱室２ａ内に種基板３ａを配置し、反応加熱室２ａ内に腐食性ガスを原料ガス５ａ，５ｂとして導入するとともに、種基板３ａを含む領域を加熱して、種基板３ａ上に単結晶体３ｂを気相成長させる単結晶体の製造方法であって、反応加熱室２ａ内には、耐腐食処理を施した熱反射用金属板８ａ，８ｂが、反射面を、種基板３ａを含む領域に向けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】 金属部分の腐食を抑制して、基板の汚染を抑制し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させる。
【解決手段】 処理室と、基板保持具と、処理室を開閉する蓋体と、基板保持具載置部と、基板保持具載置部を回転させる回転機構と、蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように蓋体を貫通し基板保持具載置部及び回転機構に接続される回転軸と、回転機構および蓋体、回転軸とで囲われ構成され第一のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、回転軸に設けられ第二のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、回転軸に設けられ第一ガス溜り部と第一ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有する。 （もっと読む）

チャンバと、電磁放射線源とを含む半導体成長システム。反応チャンバの塩化物系化学物質による放射線源からの放射線の吸収を検出するように検出器が配置される。制御システムが、塩化物系化学物質による放射線の吸収に応答して、チャンバの動作を制御する。制御システムは、反応チャンバのパラメータを調節することによって、チャンバの動作を制御する。 （もっと読む）