【課題】反りの少ないエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板１と窒化物半導体４，５，６の間に形成されたアルミニウム層２と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化（陽極酸化Ａｌ）層３によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。
【解決手段】反応装置５００は、第１の加熱ユニット１００及び第２の加熱ユニット２００を備える。第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００とが向かい合うように配置して反応領域１５０を形成し、第１の加熱ユニット１００の内側面と第２の加熱ユニット２００の内側面とにより角度が形成され、第１の加熱ユニット１００の温度と第２の加熱ユニット２００の温度とを個別に制御する。第１の加熱ユニット１００上に少なくとも１つの基板３００を配置し、少なくとも１つの基板３００が第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００との間に位置し、第１の加熱ユニット１００上の少なくとも１つの基板３００上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板にエピタキシャル成長させる際に、供給される原料ガスの基板面内でのガス流速ムラを効果的に抑制でき、高品質のエピタキシャル層を形成できるエピタキシャル成長装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガス供給手段が、ガス供給源に接続され、垂直方向にガスが流れる垂直ガス流路と、垂直ガス流路の下流の端部に接続され、垂直ガス流路からのガスを水平方向に噴き出してサセプタ上に載置された基板にガスを供給する水平ガス流路とを有し、垂直ガス流路が、下流に向かって複数の流路に分岐していくツリー状の流路であるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いてＧａＮ系の良質な半導体結晶層を形成する。
【解決手段】第１領域と第２領域とを表面に有する基板と、前記第１領域の上方に形成された第１半導体と、を含み、前記基板は、表面がＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）であり、前記第１領域は、前記第２領域により囲まれ、前記第１半導体は、窒素原子を含有する３−５族化合物半導体であり、単結晶であり、且つ前記Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘと格子整合または擬格子整合し、前記第２領域は、前記第１領域とは性状が異なる半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物、特にデバイス活性層であるシリコン単結晶薄膜の表層領域の不純物濃度が従来に比べて低く、優れたデバイス特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、成膜工程によりシリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ未満として冷却する冷却工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

本発明の特定の実施形態例は、透明な導電性コーティング（ＴＣＣ）としてグラフェンを使用することに関する。被覆しようとする表面を有する基材を供給する。自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）テンプレートを、被覆しようとする表面に配置する。前駆体分子を含む前駆体を供給する。ここで、前駆体分子は、多環式芳香族炭化水素（ＰＡＨ）及びディスコチック分子である。前駆体を溶解して溶液とする。この溶液を、上にＳＡＭテンプレートを配置した基材に適用する。前駆体分子をＳＡＭテンプレートに光化学的に付着させる。基材を少なくとも４５０℃まで加熱すると、グラフェン含有膜が形成される。有利なことに、グラフェン含有膜は基材に直接、例えばリフトオフ法を必要とせずに、形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ウェーハとの固着を防止したエピタキシャル成長用サセプタ及び該サセプタを用いたエピタキシャル成長装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用サセプタは、エピタキシャル炉内で水平に配置され、上面にウェーハを収容するザグリ部を有するサセプタであって、該ザグリ部を形成する側壁の少なくとも一部に、熱伝導率がサセプタ本体の熱伝導率よりも低い離間材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化膜形成工程、酸化膜除去工程などを省略して製造コストを抑制しつつ、エピタキシャル層表面への欠陥（ピット）発生を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、エピタキシャルウェーハの主面を研磨する研磨工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法であって、エピタキシャル層形成工程後、研磨工程を行う直前まで、ウェーハを液体中で保管する保管工程を更に含むことを特徴とする、エピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】裏面クラウンのステージへの接触が阻止される半導体装置の製造方法と、それに適用される半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体基板１に面取り部１ｄが設けられる。半導体基板１の裏面１ｃを覆うように酸化膜１３が形成される。酸化膜１３のうち、側面１ｂに位置する部分と、裏面１ｃの面取り部１ｄにおける一定の領域に位置する部分が除去される。半導体基板の表面１ａにエピタキシャル成長法により、ｎバッファ層２、ｎ-層３が形成される。ｎ-層３にｐベース層およびｎ+エミッタ層が形成され、さらに、ゲート電極、エミッタ電極、コレクタ電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】確実にオートドープ及びポリシリコン生成物の発生を抑制し、抵抗率のウェーハ面内均一性が高く、ＬＰＤ密度の低減が図られたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル成長工程に先立って、前記シリコン基板１０の裏面１０ａに酸化膜２０を形成する裏面酸化膜形成工程と、前記裏面酸化膜を所定の幅のウェーハ周縁部分だけ除去する裏面酸化膜除去工程とを有し、前記裏面酸化膜２０の除去は、前記所定の除去幅をｙ（μm）とし、所望のエピタキシャル膜の抵抗率をｘ（Ω・cm）としたとき、ｙとｘが、
ｙ≦−909.01 ln（ｘ）＋2044.8・・・（１）
の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 サセプタの撓みによる半導体ウェーハの面内温度のバラツキを抑制し、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができるエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 処理ガスの供給口および排気口を有するチャンバ内に配置された半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、該装置は、前記チャンバ内で前記半導体ウェーハをその上面に載置するサセプタおよび該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトを具え、前記サセプタサポートシャフトは、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱、および、該支柱の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも４本以上の支持アームを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハの貼り付きや金属汚染を低減し、ウェハの均一な温度分布と位置ずれ防止とを実現するサセプタを提供する。スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１の外周部は第１のサセプタ部１０２ａで支持される。第２のサセプタ部１０２ｂは、第１のサセプタ部１０２ａの開口部に密嵌してシリコンウェハ１０１の外周部以外の部分を支持する。また、第２のサセプタ部１０２ｂは、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接し、且つ、開口部と外周部の間で第１のサセプタ部１０２ａとの間に所定の間隔の隙間２０１が形成されるように配置される。加熱によって膨張した隙間２０１にあるガスは、孔２０２を通じてチャンバ１０３内に排出される。 （もっと読む）

本発明は、一般に、基板を処理するための方法および装置に関する。本発明の実施形態は、放射熱源からの光に対して実質的に透明であるダイナミックヒートシンクを備える、基板を処理するための装置を含み、ダイナミックヒートシンクは基板の近くに配置され、この２つが結合する。本発明の追加の実施形態は、記載された装置を使用して基板を処理する方法を対象とする。
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【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気相成長の際に、エピタキシャル層へのオートドープによる抵抗のバラツキが少ないエピタキシャルウェーハを製造し得るエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】サセプタの複数のザグリのそれぞれは、半導体ウェーハ２１を底面部に載置して収容可能な直径を有する第１ザグリ１３と、第１ザグリ１３より大径の直径を有し第１ザグリ１３と同心円をなし第１ザグリ１３の底面部１３ａより高い位置に底面部１４ａが形成された第２ザグリ１４を有する２段状ザグリであって、隣合うザグリ同士の近接部が第１ザグリの側面部１３ｂと第２ザグリの底面部１４ａのみで形成される。 （もっと読む）

【課題】特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外のＧａＮ基板の保存方法などを提供する。
【解決手段】本ＧａＮ基板の保存方法は、平坦な第１の主面１ｍを有し、第１の主面１ｍ上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点Ｐにおける面方位が、その任意の点Ｐにおける（０００１）面または（０００−１）面１ｃに対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面１ａの面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角Δαを有するＧａＮ基板１を、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ³以下の雰囲気中で保存する。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の接合部近傍の領域を覆ってその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１をサセプタ１１０上に載置する昇降ユニット１３３と、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする電極１０７と、電極１０７とともにパージガスを供給可能なパージガス導入管１３５を収容して支持する中空の支柱１０５とを用いて構成し、昇降ユニット１３３を下降させて、昇降ユニット１３３の板状の昇降ベース１３１でブースバー１２３と電極１０７の接合部分を覆いながらその周囲にパージガス導入管１３５からパージガスを供給し、その周囲領域をガスパージしながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）に対してより格子ミスマッチの少ないバッファ層を形成することで、高品位（高品質）な炭化珪素単結晶膜を形成した半導体基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 （もっと読む）