【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】トレンチをエピタキシャル膜にて埋め込んで半導体基板を製造する上においてトレンチ開口部の塞がりの抑制と成長速度の向上の両立を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ^＋シリコン基板１の上に形成したｎ型エピタキシャル膜２に、複数のトレンチ４を、トレンチ幅Ｗｔよりも、隣接するトレンチ４間の間隔Ｌｔを大きく形成する。トレンチ４内を含めたエピタキシャル膜２上に、エピタキシャル膜２の不純物濃度よりも高濃度なｐ型エピタキシャル膜２３を、少なくともトレンチ４の埋め込みの最終工程において、ｐ型エピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いて成膜し、トレンチ４の内部をｐ型エピタキシャル膜２３で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体積層ウェハ１０は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる基板２７と、Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなり基板２７上に設けられた第１のＡｌＧａＮ層１３と、第１のＡｌＧａＮ層１３上に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層１３よりバンドギャップが大きいIII族窒化物系半導体からなる第２のＡｌＧａＮ層１５とを備える。第１のＡｌＧａＮ層１３の（０００２）面及び（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅は、１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ドライエッチングされた基板の表面に、良好な結晶性を有する窒化物半導体を形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、ドライエッチングにより処理された基板の表面をハロゲン元素を含む雰囲気中で熱処理し、前記熱処理した前記基板の前記表面に窒化物半導体層を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力が高く、かつシリコンエピタキシャル層の最表面部の酸素濃度が極めて低いシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】酸素濃度が７ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以上のシリコン単結晶基板の主表面上にエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、該シリコンエピタキシャルウェーハは２層以上の炭素イオン注入層を有し、かつ前記シリコンエピタキシャル層の最表面部は酸素濃度が５ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】大面積化が容易で且つ廉価なシリコンからなる基板に、残留応力が少なく且つ高品質の化合物半導体を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、前記シリコン酸化膜よりも下層側の領域にイオン注入を行い、次いで熱処理して、イオン注入された単結晶のシリコンからなる下地層１０２を形成する。続いて、前記シリコン酸化膜を除去することにより下地層１０２を露出させる。その後、下地層１０２の上にＡｌＮバッファ層１０３，ＡｌＧａＮバッファ層１０４，およびＧａＮ層１０５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ成膜後の降温時におけるスリップ発生を抑え、歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを第1の回転数で回転させながら、ヒータの出力を制御して所定温度に加熱することにより、ウェーハの表面に成膜を行い、ソースガスの供給を止め、ウェーハの回転数を、ウェーハのオフセットバランスを保持可能な第２の回転数に降下させるとともに、ヒータの出力を止め、第２の回転数で回転させながらウェーハを降温させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板を用いた化合物半導体基板において、化合物半導体基板の機械強度低下と熱伝導率低下を、Ｓｉ単結晶基板のドーパント濃度制御で低減する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に中間層とデバイス活性層を備えた化合物半導体基板で、Ｓｉ単結晶基板は、中間層側の一主面の表面から厚さ方向に向かってドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域１と、ドーパント濃度が連続的に減少する遷移領域１と、ドーパント濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域２と、ドーパント濃度が連続的に増加する遷移領域２と、ドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域３とからなる。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、膜厚分布の偏りを解消し、均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 基板載置台と該基板載置台に載置された基板とを回転させ、前記基板の主面上に原料ガスを流通させることにより、前記基板主面上にエピタキシャル膜を形成させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記基板載置台の回転方向の位置に応じて、膜厚制御パラメータを変化させて前記エピタキシャル膜を形成させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の上部に設けられて反応ガス２５をチャンバ１内に供給する供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７を支持する回転筒２３とを有する。回転筒２３の回転によってサセプタ７を回転させながら、半導体基板６上に所定の膜が成膜される。ライナ２は、サセプタ７の周縁部上部を包囲するとともに、サセプタ７と一緒に回転するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板２の上に単結晶基板２を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面４Ａを有する複数の突起４が第１主面２Ａに設けられた単結晶基板２を準備する工程と、複数の突起４のうち、上面４Ａから半導体層３を結晶成長させるものを第１突起４ａとし、第１突起４ａ同士の間に位置する、上面４Ａに半導体層３を結晶成長させないものを第２突起４ｂとして、第２突起４ｂの上面４Ａを被覆するように実質的に半導体層３が結晶成長しないマスク層５を形成する工程と、第１突起４ａの上面４Ａからそれぞれ第２突起４ｂの上面４Ａのマスク層５を越えて単結晶基板２を覆うように半導体層３を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板２上に成長させる半導体層３の単結晶基板２に対する平坦性を向上させることができ、半導体層３の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、主表面が｛１１０｝面または｛１１０｝面からのオフアングル角度が０．５度未満のものを用い、かつ前記気相成長工程では、前記シリコン単結晶基板温度を１１７０℃〜１１９０℃として気相成長することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体基板の製造方法は、サファイア基板１０上に、ＧａＮ層１１と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２とが交互に積層された半導体成長層２０を形成する工程と、半導体成長層２０を、半導体成長層２０の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】容易なプロセスで作製することができ、かつ、曲線光導波路の光導波ロスを低減する構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】段差１０１ｂを有する基板１０１と、基板上に積層された、ｎ型クラッド層１０２、活性層１０４およびｐ型クラッド層１０７を有する積層構造体とを備え、積層構造体は、曲線の光導波路である曲線光導波路１１を含む光導波路部１０を有し、曲線光導波路１１の近傍であって曲線光導波路１１の曲線の外側領域は、段差１０１ｂの上方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）

【課題】複数のタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面１０ｍを有するタイル基板１０を複数準備する工程と、タイル基板１０の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が３以下であるように、複数のタイル基板１０を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のタイル基板１０の主表面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ特性を改善することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）