ＳｉＣの高品質単結晶ウェハが開示される。このウェハは、少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有する。また、本発明は、ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法を提供し、該方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップとを有する。さらに当該方法は、前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を助長させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに電磁力を結合するステップを有する。前記処理チャンバ内に、反応性ガスが導入され、該反応性ガスは、前記処理チャンバ内で汚染物質と化学的に反応して、処理チャンバ構成部材または前記基板のうちの少なくとも一つから、前記汚染物質を放出する。
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サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを有する薄膜蒸着装置及びこれを用いる薄膜蒸着方法を開示する。この装置は、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段、ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段、ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段、ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段、及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段を含む。

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【課題】均一で高品質な絶縁膜を作成、特に３００℃以下の低温プロセスのみで高品質な絶縁膜を作成する。
【解決手段】基板１００を保持するヒーターユニット１４を格納した反応炉１０と、有機シリコンまたは有機金属を含有する原料ガスを反応炉１０内に導入する原料ガス導入バルブＶ１を備えた配管１１と、オゾン含有ガスを反応炉１０内に導入するオゾン含有ガス導入バルブＶ２を備えた配管１２と、反応炉１０内のガスを排出する排気バルブＶ３を備えた配管１３とを備え、前記原料ガスとオゾン含有ガスを交互に反応炉１０内に供給するように原料ガス導入バルブＶ１とオゾン含有ガス導入バルブＶ２と排気バルブＶ３が開閉動作する際、オゾン含有ガス導入バルブＶ３は前記オゾン含有ガスのオゾン濃度が０．１〜１００ｖｏｌ％となるように動作する共に、ヒーターユニット１４は基板１００の温度を室温から４００℃までの範囲で調整する。 （もっと読む）

励起された、および／またはイオン化された粒子をプラズマ内でプロセスガスから発
生するための装置が提供され、この装置は円筒状に形成され、内部でプラズマ帯域が発
生可能な内部空間（３）、同軸内側導体（１０）、同軸外側導体（１１）、プロセスガ
スが内部空間（３）へ供給可能な入口（１４）、プロセスガスが内部空間（３）から排
気可能な出口（１５）を有し、同軸内側導体（１０）が少なくとも部分的に曲がった形
状を有することを特徴とする。
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【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）