【課題】供給系の配管閉塞が生じることなく、プロセスガスの安定供給が可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を成膜するリアクター２９と、リアクター２９に第１プロセスガスを供給する第１供給経路Ｌ１０と、リアクター２９に第２プロセスガスを供給する第２供給経路Ｌ２０と、リアクター２９にクリーニングガスを供給する第３供給経路Ｌ３０と、を少なくとも備え、第２供給経路Ｌ２０と第３供給経路Ｌ３０とが合流する合流点Ｇが、リアクター２９の近傍に設けられるとともに、第２供給経路Ｌ２０及び第３供給経路Ｌ３０には、合流点Ｇの上流側に、経路を遮断する遮断手段２２，３２がそれぞれ設けられていることを特徴とする薄膜製造装置６０を選択する。 （もっと読む）

【課題】電極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ状態の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第２の条件は、第１の条件に比して、第１の対の電極１１、１２間において外周方向へプラズマを拡げる条件である。第１の対の電極１１、１２に接続されたインピーダンス整合回路４１の回路定数の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第１および第２の条件の各々はＡｒガスとＮＦ₃ガスとの混合ガスを用いるものである。第２の条件は、ＮＦ₃ガス流量に対するＡｒガス流量の比率である流量比が高い条件である。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置が備える処理モジュール毎のレシピ設定により生じる煩雑さやミスを軽減する。
【解決手段】本発明は、最終的な生産物や基板に対する処理を基準とした処理レシピの設定が可能な方法及びそれを可能にするユーザインターフェースを備えた基板処理設定支援装置を提供する。本発明によると、ユーザは、表示機器に表示された基板への処理ごとのレシピ設定、又は処理に係る処理モジュール毎若しくは処理に係る処理モジュール一括でのレシピ設定を行うことができる。さらに、本発明によると、ユーザは、入力したレシピ設定値に基づき、処理結果物の推定結果の情報を利用することができる。本発明により、基板処理装置が備える処理モジュール毎のレシピ設定により生じる煩雑さやミスを軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。
【解決手段】反応容器９の中空部９ｃの外周に、反応容器９の中心軸に沿って延びる第１導入通路９ｄを設け、反応容器９の側部９ｅに、第１導入通路９ｄと反応容器９の中空部９ｃとを接続する第１出口通路９ｉを設ける。そして、第１導入通路９ｄを介して第１出口通路９ｉから反応容器９の中空部９ｃに不活性ガス１５を流すことにより、反応容器９の内壁９ｍと台座１０との間を通過する原料ガス３を希釈する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの搬送時間が短く処理の効率を向上させた真空搬送装置を提供する。
【解決手段】後方側に配置され、内部の処理室内で処理対象のウエハが処理される真空容器と、前方側に配置され、その内部で前記ウエハが大気圧下で搬送される搬送室とこの搬送室の前方に配置され前記ウエハが収納されたカセットが載せられるカセット台と、前記搬送室の後方でこれを連結されたロック室と、前記搬送室内に配置され前記カセットと前記ロック室との間で前記ウエハを搬送するロボット及び前記ウエハの位置を所定のものに合わせる位置合わせ機と、前記ロボットによる前記ウエハの前記カセットから前記搬送室内への取出しの際に、このウエハの位置ずれ量が所定の値より大きな場合に前記位置合わせ機上において前記ウエハの位置合わせをした後に前記ロック室に搬送する真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に保持された基板の処理が終了し、他の基板保持手段に搬送される基板を待つ時間に消費される電力を少なくすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を収納する基板収納手段と、基板を保持する複数の基板保持手段１３と、前記基板収納手段から前記基板保持手段１３に基板を搬送する基板移載手段１５と、前記基板保持手段１３に保持された基板を処理する処理手段１１と、電源の切り替えによって前記処理手段１１の温度を制御する制御手段５２とを備え、前記処理手段１１によって前記基板保持手段１３に保持された基板の処理が終了し、前記基板移載手段１５によって他の前記基板保持手段１３に搬送される基板がない場合、前記制御手段５２は、前記基板移載手段１５によって他の前記基板保持手段１３に搬送される基板があるまで、電源を切っておく。 （もっと読む）

【課題】処理室内を撮影することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１３と、処理室１４内を加熱するヒータユニット４０と、処理室１４を閉塞するシールキャップ２５と、シールキャップ２５に支承された回転軸３０と、回転軸３０に立設されたボート３１とを備えている熱処理装置において、シールキャップ２５の周辺部に透明な石英によって形成された保護管７０を立設し、保護管７０内に内視鏡８０を下端部の開口から挿入し、カメラ９０をシールキャップ２５下面以下において内視鏡８０に光学的に連結する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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【課題】メンテナンス作業をより簡便なものとすることで、メンテナンスコスト及びランニングコストの低減に寄与する基板支持装置及び基板支持装置を備える真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板３を搭載して真空処理装置Ｓ内を搬送される基板支持装置１は、基板３を一端部側で支持する弾性体からなる少なくとも１つの基板支持爪１５と、基板支持爪１５の他端部側が配置されるホルダー１１と、ホルダー１１に取り付けられるホルダカバー１３と、を有してなり、ホルダカバー１３をホルダー１１に取り付けることにより、基板支持爪１５をホルダカバー１３とホルダー１１との間に挟んで所定位置に支持することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】バルブや継ぎ手などのガス供給系部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理を行う基板処理室と、前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口２７１ａと加熱ガス排気口２７１ｂを有する加熱容器２７１と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段２７２とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 安定したｐ型ＺｎＯ系半導体結晶を得ることが可能なＺｎＯ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスの混合比Ｏ_２／Ｎ_２が、０より大きく１以下である。 （もっと読む）

【課題】異常解析を行う保守員の負担を低減し、保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とする。
【解決手段】処理手順及び処理条件が定義されたレシピを実行する基板処理装置と、基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、群管理装置は、レシピの実行中に生じた異常現象を特定する異常現象特定情報及び異常現象が発生した基板処理装置の種別を特定する装置種別特定情報に共に関連づけられた検証項目特定情報を抽出し、抽出した検証項目特定情報を含む検証項目テーブルを作成する解析支援手段を備える。 （もっと読む）

【課題】高温下で行われる為に十分な断熱構造が構築されたＳｉＣエピタキシャル膜成膜装置を提供する。
【解決手段】所定の間隔で配列された複数枚の基板１４を処理する処理室と、前記基板の配列領域下部に設けられ、複数枚の断熱部材で構成された処理室下部断熱部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系が前記処理室内に処理ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を成膜するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】液晶や太陽電池などの製造において、プラズマＣＶＤ装置の大面積化の要求のため、大面積の領域に均一なプラズマを発生させて、高周波電極の隅部での膜厚増加を抑え、プラズマの成膜領域の全面積で均一な成膜厚を実現する。
【解決手段】大面積基板に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１内に被成膜処理を行う基板６を戴置する基板電極４と、これに対向する高周波電極５と、高周波電極５に高周波電力を供給する高周波電力部２と、真空容器１内に成膜ガスを供給するガス供給部３と、高周波電極５を囲むように設けられたシールド電極１０と、高周波電極５の隅部を覆うように、基板電極４に対向して設けられたコーナープレート１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特殊な高価な高温用の熱交換器を不要にして、耐熱性の低い汎用の安価な熱交換器を用いることができるようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに対して同時に熱処理を施す熱処理装置において、筒体状に形成された処理容器４と、処理容器内へ挿脱可能に収容される支持手段１８と、被処理体を加熱するために処理容器の外周側に、冷却空間２８を介して囲むようにして設けられた加熱炉３０と、押込用送風機が接続された気体導入通路４２を有し、冷却空間に熱処理後の降温時に冷却気体を導入する冷却気体導入手段３６と、熱交換器５４と吸出用送風機５６とが順次設けられた気体排出通路５２を有し、冷却空間から昇温した冷却気体を排出する冷却気体排出手段３８と、熱交換器の上流側にて気体排出通路に設けられて、昇温した冷却気体に降温用気体を導入して降温させる降温用気体導入手段４０とを備える。 （もっと読む）