【課題】成膜材料のマスクパターンへの付着を低減し、大型の被処理基板の成膜にも好適な光ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】処理室と、該処理室内に設けられ、被処理体を載置するための基板載置部と、載置された前記被処理体の表面にＶＵＶ光を照射するためのＶＵＶ光源を備えた光ＣＶＤ装置であって、前記処理室の内部に、更に、前記被処理体の表面に接触して配置されるマスクを設け、このマスクの本体２０１には、梁２０２と共に、成膜用ガスの付着を抑制する温度（１００℃）に前記マスクを保持するための熱線２０３が一体に設けられ、又は、フレーム２０５にも前記マスクの温度を当該温度に保持するための熱線や加熱配管が一定に形成されている。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応生成物の生成を抑制できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応室１に原料ガスを導入するガス導入管６と、成膜を施すべき基板１０を支持する基板ホルダーと、基板１０を加熱する加熱装置４と、反応室内のガスを排気ガスとして系外に排気するガス排気管７とを備えるＣＶＤ装置において、排気ガスが接触する壁部２に対し、加熱装置４又は加熱装置４により加熱された部材からの輻射熱を反射する熱反射面８を設置したＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間ｂ１において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間ｂ３において、窒化珪素膜の原料ガスＳｉＨ₄の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回転式ヒータ構造を有する化学気相蒸着装置に関し、特に、前記ヒータを回転させるモータと、前記ヒータの位置を確認する位置センサとを有する構成により、蒸着の時、ヒータを回転させることによって、反応チャンバ内の反応ガスの流入が不均一な場合でも、均一な蒸着厚さを得ることができ、同一の蒸着開始位置と蒸着終了位置とを確保できて、ウエハの方向を一定に整列することができる化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記蒸着装置は、前記ヒータを回転させるため、回転力を供給するモータと、前記モータの回転力を伝達する回転軸と、前記回転軸から回転力が伝達され、前記ヒータを回転するようにする回転台とからなるヒータ回転部の構成を有することを特徴とする 。 （もっと読む）

【課題】成膜室内の部材へのダメージを抑制しつつ、クリーニング速度の均一性を向上させることのできるプラズマＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】不活性ガスを含む第１のクリーニングガスを成膜室６の外部でプラズマ励起させて第１供給口９から成膜室内に供給する第１供給手段１，２と、フッ素を含むガスが含まれる第２のクリーニングガスをプラズマ励起させずに第２供給口１１から成膜室内に供給する第２供給手段３と、を備え、第１供給口と第２供給口とが成膜室６内の異なる位置に形成されているプラズマＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】減圧下で処理を行う成膜装置又は結晶成長装置のクリーニング方法に係り、処理室から真空ポンプによりガスを吸気する吸気配管内のクリーニングを良好に行うようにしたクリーニング方法に関する技術である。
【解決手段】処理室１に接続された吸気配管６における真空ポンプ４との接続口６ｂ近傍に開度調節可能な開閉弁９を設け、吸気配管６における処理室１との接続口６ａ近傍に設けられた装置仕切弁７を閉じ、前記開閉弁９の開度を調節し、吸気配管６に三フッ化塩素などからなる特定のクリーニングガスを供給するとともに、前記真空ポンプ４を稼動することにより、前記吸気配管６内を所定圧力に保持してクリーニングするようにして、成膜処理又は結晶成長処理時に吸気配管６内に付着した堆積膜を良好に除去し、装置の修理や分解をする際に、有害、危険な堆積膜による災害を防止するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ部材の表面近傍に残留している金属元素を、ＳｉＣ部材の破損を抑制しつつ、短時間かつ低コストで除去する。
【解決手段】 炭化珪素からなる部材が内部に露出した反応容器と、反応容器内を加熱する加熱部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給するガス供給部と、反応容器内を排気する排気部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給しつつ反応容器内を排気すると共に、反応容器内を処理温度に加熱して所定時間保持するように、ガス供給部、排気部、及び加熱部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】爆発等の発生を抑制することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、及び、基板の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気コイル５０によりアウターチューブ４２内を電磁誘導加熱するとともに、アウターチューブ４２とライナーチューブ２０４との間には、不活性ガス供給ノズル２１０が設けられており、この不活性ガス供給ノズル２１０の不活性ガス供給孔２１２から窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスを導入し、処理室４４外の周囲空間２１４を上方から下方に向かってパージする。周囲空間２１４を不活性ガス雰囲気とし、この周囲空間２１４内の大気（酸素）濃度を低くする。 （もっと読む）

【課題】液体原料の種類・蒸気圧に応じて基板処理装置への原料ガス供給方式を選択可能なバブラを提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、液体原料をバブリングするためのキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン１０３に設けられたキャリアガス用ＭＦＣ１０６、第１バルブ１０７及び第２バルブ１０８と、液体原料を気化して得た原料ガスを処理容器２００内に供給する原料ガス供給ライン１０９に設けられた低差圧ＭＦＣ１１２、第４バルブ１１１及び第５バルブ１１３と、原料ガス供給ライン１０９から分岐して前記低差圧ＭＦＣ１１２、前記第４バルブ１１１及び前記第５バルブ１１３をバイパスするように設けられたバイパスライン１１５及び第６バルブ１１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系などの成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板２１５を保持し、加熱および回転させるサセプタ２１６と、複数のチャネルを含み、基板の上面に沿って平行な方向に流れる材料ガス流を供給するノズル２１３と、複数のガス供給系統１８０と、該ガス供給系統のいずれの一系統にもガスの供給または停止を制御する開閉弁を有して材料ガスを前記複数のチャネルへ供給するマニホールド２１１と、開閉弁駆動制御部３００と、を含む気相成長装置において、開閉弁駆動制御部３００は、各ガス系統毎にガスを時間的に分割して、かつ、該ガスを時間的に途切れなく複数のチャネルの各々に対して分散して、供給することで複数のチャネルの各々の材料ガスの流れを連続的とするように開閉弁を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】誘導コイルの外側に設けられた金属材料で構成された部材が誘導加熱されることを抑制し、基板処理中の安全性を向上させる。
【解決手段】基板１４を収容する反応管４２と、該反応管の外周を囲うように設けられた誘導加熱部５０と、該誘導加熱部の外を囲うように設けられる遮蔽部１００と、前記反応管４０内に少なくとも原料ガスを供給するガス供給部２６０，２７０，２８０と、前記誘導加熱部５０が前記反応管４０内を加熱すると共に、前記ガス供給部２６０，２７０，２８０から原料ガスを前記反応管４０内へ供給させて前記基板１４を処理する制御部１５２と、を備え、前記遮蔽部１００が、前記誘導加熱部５０の外を囲うように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長など、高温を使用する熱ＣＶＤ装置において、ヒータの過度の温度上昇を抑制し、成膜基板の緻密な温度制御を行う。
【解決手段】頂部にプロセスガス２５の供給部４と、下部に半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、前記半導体基板６の下面側の位置に配設されたヒータ８と、内壁を被覆する筒状のライナ２と、を備えるチャンバ１からなる成膜装置５０において、チャンバ１の内壁上部とライナ２との間に、複数の抵抗加熱ヒータ３６、３７、３８に分割されてライナ２の周囲に周設された抵抗加熱型の上部ヒータ３５を配設し、ヒータ８と上部ヒータ３５と、を協同させて半導体基板６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】ガス配管同士を接続するフランジ部に於いて、該フランジ部を加熱するヒータの寿命の延長を図ると共に、前記フランジ部を効率よく加熱可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に処理ガスを供給するガス供給管、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排気管等のガス配管を具備し、該ガス配管同士は端部に形成されたフランジ部４４ａ，４６ａを介してクランパ３によって接続され、該フランジ部に連続する直管部４４，４６にヒータ９４を設けると共に前記フランジ部にもヒータ９３，９５を設け、前記フランジ部及び前記直管部を覆う断熱材９２を設けた。 （もっと読む）

【課題】配管内の微粉体が処理室の内部に進入し、飛散することを抑制することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】処理対象物である基板１２を内部に保持する処理室１０と、上記処理室１０からガスを排気するため上記処理室１０に接続された排気部材すなわち排気ガス導入口１５および排気ガスライン１６と、処理室１０に配置された基板１２から上記排気部材までの排気経路に設置された、圧力損失発生部材１８と、を備える気相成長装置とする。前記圧力損失発生部材１８は多孔質材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体材料を成膜する反応炉１２と、原料ガス及びキャリアガスを導入するための原料ガス導入管１４と、反応炉から排ガスを導出する排気管１５に設けられて原料ガスの除害処理を行う原料ガス除害装置とを備えたＭＯＣＶＤ装置において、反応炉の内面に付着した反応生成物を除去するためのクリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスを供給するクリーニングガス供給源２２を設けるとともに、原料ガス除害装置１８の上流側にクリーニングガスの除害処理を行うクリーニングガス除害装置１７を直列に設ける。 （もっと読む）