【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】ビューポートが汚れることにより、放射温度計による正確な温度測定ができなくなることを抑制する。
【解決手段】複数枚の基板を保持するボートと、ボートを囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、筒状発熱材と反応管との間に設けられた筒状断熱部と、筒状発熱材と筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、温度測定用チップからの放射光が入射されることにより温度を測定する放射温度計と、温度測定用チップと放射温度計との間に設けられ、温度測定用チップからの放射光を透過するビューポートと、筒状発熱材と筒状断熱部との間の間隙に設けられ、ビューポートに向けて不活性ガスを供給する第１ガス供給口を有するブローノズルと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】新たな不純物を発生させることなく、製膜室の内部にダメージを生じさせずにクリーニング処理時に残留した反応生成物の影響を除外し、良好な物性の薄膜を製造することができる薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室１１と、ステージ１２と、製膜室１１内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、被膜の形成によって製膜室１１内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを製膜室１１内に供給するクリーニングガス供給手段と、反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを製膜室１１内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、ステージ１２に対向して配置されるシャワーヘッド１４と、反応生成物および反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源１９ａ〜１９ｃと、を備え、光源１９ａ〜１９ｃは堆積物が付着する製膜室１１内の領域が照射されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】サセプタの周縁部から入り込む磁束の透過を制御することによって，サセプタの面内温度を的確に制御する。
【解決手段】 基板を載置する載置面を有する導電性部材であって，周縁部２１０とこれに囲まれる内側部２２０とに分けられ，内側部は厚板状発熱体からなり，周縁部は内側部よりも薄い薄板状発熱体を互いに電気的に絶縁した状態で積層してなるサセプタ２００と，サセプタの側面からその載置面に平行な方向に交流磁場を形成する電磁石１２０とを備え，この電磁石に巻回された誘導コイル１２４に印加する２つの周波数の高周波電流により各薄板状発熱体に発生する誘導電流を制御して内側部までの磁束の透過を制御することによって，各サセプタの周縁部の発熱量と内側部の発熱量との比率を変化させて温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル６０，７０に、各ガス供給口６８，７２からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口６８，７２の第１ガス排気口９０側に各整流板６９，７３を設けた。これにより、各ガス供給口６８，７２から噴射（供給）された反応ガスが、第１ガス排気口９０に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ１４に向けて略均一化して、各ウェーハ１４をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧空間とされる処理容器と、前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、カーボンを主成分とする材料により構成さるとともに、前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間させて設置される断熱材と、を有し、前記減圧空間は、前記成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、前記基板保持部と前記処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で熱処理を行う基板処理装置において、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させる。
【解決手段】基板が搬入され処理される処理室と、処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、処理室へ接続され処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、ガス排気配管において排気ポートと真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、排気ポートと圧力制御バルブとの間に設けられ排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備えた基板処理装置において、排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにする。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。
【解決手段】複数の基板１４を処理する反応室４４と、反応室４４を囲むように設けられる加熱部４８と、複数の基板１４を保持して反応室４４内に載置されるボート３０と、反応室４４内に設置され、複数の基板１４に向かって成膜ガスを供給する複数のガス供給口を有するガス供給ノズル６０，７０と、反応室４４内の雰囲気を排気する排気口９０，３９０と、ボート３０の側面を挟むように設けられた整流壁と、ガス供給ノズル６０，７０の上端より上方に設けられ、前記複数のガス供給口からボート３０の上端より上方の空間を通って排気口９０へ向かう流路に設けられたガス流抑止部３１０と、を具備する装置とする。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板Ｓ上に形成するときに、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して３０％以上９０％以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度Ｔ（℃）、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力をバイアス電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ^２）とするとき、基板温度Ｔ及びバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｔ≧０．００８３Ｐ−４．７、Ｔ≦０．００８４Ｐ−６．６を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】熱電対の設置コスト低減を図り、かつ熱電対からの信号を校正する必要がない熱処理装置を提供する。
【解決手段】基準領域Ａ_１の炉内温度センサはＲ熱電対またはＳ熱電対からなる第１熱電対８１と、それ以外の熱電対からなる第２熱電対８２とを有し、他の領域Ａ_２、…Ａ_１０の炉内温度センサは第２熱電対８２を有し、基準領域Ａ_１の第２熱電対８２と他の領域Ａ_２、…Ａ_１０の第２熱電対８２は、起電力差回路８３に接続され、この起電力差回路８３によって基準領域Ａ_１と他の領域Ａ_２、…Ａ_１０との間の温度差が求められ、基準領域Ａ_１の第１熱電対８１により基準領域Ａ_１の温度が求められ、この基準領域Ａ_１の温度と起電力差回路８３で求めた温度差により、各他の領域Ａ_２、…Ａ_１０の温度が求められる。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のチャンバの側壁への被膜などの付着物を従来に比して短時間で除去することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】シャワープレート１３は、基板の載置位置を含み、基板面と略平行な平板状の主面部１３１と、筒状を有し、一端が主面部１３１の外周部に接続され、他端がチャンバ１１に接続される側面部１３２と、を有する。主面部１３１には、基板保持部１２側にガスを吹き出す複数のガス供給孔１３１ａが設けられる。側面部１３２には、チャンバ１１の側壁に向かってガスを吹き出す複数のガス供給孔１３２ａが設けられる。また、シャワープレート１３は、ガス供給孔１３１ａを介して基板保持部１２側にガスを流す主ガス供給空間１３５と、ガス供給孔１３２ａを介してチャンバ１１の側壁側にガスを流す副ガス供給空間１３６と、を仕切る仕切り壁１３４を備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、この一対の支柱７５ａ、７５ｂに懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する一対の延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。調整部材７８は、電極棒５１、５２の長手方向に降下して、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）