【課題】伝送線路に矩形導波管を用いて所望の形状で所望の位置に配置された電極からマイクロ波を処理室に供給する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、マイクロ波を出力するマイクロ波源４０と、マイクロ波源に連結された給電用導波管３０と、給電用導波管３０と連結され、内部空間が給電用導波管３０の内部空間と連通する複数の放射用導波管３１と、複数の放射用導波管３１に隣接して設けられ、２以上の放射用スロット３２ａを含むスロット群３２ａｇが放射用導波管３１を伝送するマイクロ波の管内波長λｇ／２の整数倍毎に等間隔に形成された複数の金属のスロットアンテナ３２と、を有し、給電用導波管３０から複数の放射用導波管３１に伝送したマイクロ波をスロット群３２ａｇに通して処理室内に供給し、処理室の内壁を形成するスロットアンテナ３２の金属面に沿って伝搬させる。 （もっと読む）

【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられる密閉部材の温度上昇を抑制、特にウェーハチャージ時に於ける前記密閉部材の温度上昇を抑制し、又該密閉部材の劣化、焼損を防止し、長寿命化を図る。
【解決手段】少なくとも下端であって外側に突出た鍔部４４と筒状に形成された筒部４３とを有し基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記鍔部に連設され非金属部材で構成されるマニホールド１２と、前記鍔部と前記マニホールドとの間に設けられる密閉部材５５と、前記反応管を前記鍔部にて支持しつつ前記反応管の前記筒部の外周面に迄延在した支持部４６，４７，４８，４９と、該支持部に設けられ前記密閉部材を冷却する冷却部５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】透光性を有する被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板の被製膜面に向けて原料ガスを供給した状態で前記原料ガスのプラズマ６を発生させて前記プラズマ６により前記原料ガスを分解して前記被製膜面に堆積させることで微結晶シリコン膜７の製膜を行う製膜室Ｒと、前記微結晶シリコン膜７の結晶化率を、前記被処理基板２における前記被製膜面と反対側からラマン分光法により前記基板ステージ１および前記被処理基板２を通して測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置されるプロセス配管に副生成物を付着しにくくすることにより、チャンバ内のパーティクル量を減少させて、製品の品質および歩留まりの向上を図ることができる、プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ３と、原料ガス８をガス供給部１１に導入するプロセス配管５と、プロセス配管５の少なくとも一部を加熱するテープヒータ２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の時間効率を高めつつ、電極の変形を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対が放電を開始され（ＳＴ０）次に、電極対に一の値の交流電力Ｐ１を供給し続けながら第１のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ１）。次に、電極対に一の値よりも大きい値の交流電力Ｐ２を供給し続けながら第２のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ２）。最終的に、さらに大きい値の交流電力Ｐ３を供給し続けながら第３のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ３）。かくして、電極の変形を抑制しながら効率的にプラズマ処理が可能になる。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を連続して行った際の、着火不良を大幅に向上できる成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極１４をカソード１２の所定位置に接触させ、前記カソード１２とアノード１３との間にアーク放電が発生したかどうかを検出する。前記検出結果に応じて、第２の電極１５を前記所定位置とは異なる位置に接触させ、前記アーク放電を発生させてプラズマを生成し、前記プラズマに含まれる導電材料を、基板５１の上方に堆積させる。成膜時の電極の着火確率を大幅に向上させることができ、ひいては、半導体装置の製造効率や製造歩留まりの改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】回転自在な複数の回転ロッドの両端の可動ピンで処理対象部材を支持する構造でありながら、櫛歯状の対象支持部材で処理対象部材を外部待機位置と内部処理位置とに円滑に支障なく移動させることができるリフトピン機構を提供する。
【解決手段】リフトピン機構１００は、回転ロッド１１１，１２１の回動により処理対象部材ＧＢを支持する可動ピン１１０，１２０の位置が適宜変位するので、可動ピン１１０，１２０の支持に起因した処理不良を良好に防止できる。部材移動機構１４２が処理対象部材ＧＢを外部待機位置と内部処理位置とに前後移動させるときには、その複数の対象支持アーム１４１の間隙に位置する複数の回転ロッド１１１，１２１を前後方向に位置させる。 （もっと読む）

【課題】反応炉内圧力の制御を正確に行うことを可能とする半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排気管８６のマニホールドとの接続側と反対側である下流側には、処理室から排気されたガスを冷却するガス冷却体９０および圧力調整装置９２を介して真空ポンプ等の真空排気装置９４が接続されている。また、圧力センサ９６は、ガス冷却体９０の上流側に設けられている。このようにして、処理室内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にバッファ層１２を形成する第１の工程と、バッファ層１２上にシリコン膜１５を形成する第２の工程と、シリコン膜１５を炭化して炭化珪素膜１３を形成する第３の工程と、を含み、バッファ層１２は、シリコンの格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の主方位面の一部を覆うマスク材１０２と、基板１０１の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜１０３とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜１０３は、マスク材１０２の上に形成され、ダイヤモンド薄膜１０３の結晶方位は基板１０１の結晶方位とそろっている。ダイヤモンド基板１０１に存在する貫通転位１０４ａは、マスク材１０２で覆われていない部分のダイヤモンド基板１０１の主方位面を介してダイヤモンド薄膜１０３まで貫通するが、貫通転位１０４ｂは、マスク材１０２によってダイヤモンド薄膜１０３への伝播が遮られるため、ダイヤモンド薄膜１０３の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する成膜容器１２と、この第１の内部空間内２２に設けられ、設定された圧力を維持する、第１の内部空間２２と隔離された第２の内部空間１５を形成するリアクタ容器１４と、第１の内部空間２２内に設けられ、リアクタ容器１４に隣接して設けられたヒータ１６ａ，１６ｂと、第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する基板Ｓを載置する載置機構１８と、載置される基板Ｓの上方に対向するように第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａの加熱を受けた状態で、基板Ｓに向けて供給する原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

【課題】熱フィラメントＣＶＤ装置において、反応室の内部のヒータの設置の手間を軽減する。
【解決手段】熱フィラメントＣＶＤ装置のヒータ２０において、一対の電極２２ａ、２２ｂと、電極２２ａ、２２ｂを平行状態に相対向させ保持する枠体２３と、電極間２２ａ、２２ｂに張架された熱フィラメント２１により形成された加熱部と、電極２２ａの略下側に設けられた複数の係止部６０を備えた固定部２４と、電極２２ｂの略後方側に配置された複数の係止部７１を備えた可動部２５とを有する。加熱部は、１本のワイヤ状の熱フィラメント２１を、固定部２４の係止部６０と、可動部２５の係止部７１とに交互に架け渡し係止して電極間２２ａ、２２ｂにチドリ状に張架することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、ガスフィルタの交換に要するコストを低減する。
【解決手段】基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、ガス導入手段は、処理室内に配設されるガス導入ノズルと、ガス導入ノズルの先端に接続され、処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、処理ガスは、ガス導入ノズルからフィルタを介してガス整流ノズルへ導入され、ガス導入口から処理室内に導入される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの異常放電を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平板状の第１電極１１および第２電極１２を平行に対向して内部に有するチャンバー１０内に、後述の第２ガスよりもプラズマを励起させ難い第１ガスを導入するプラズマ放電準備工程と、プラズマ放電準備工程と同時乃至直後に、チャンバー１０内にプラズマ励起用の第２ガスを導入し、第１電極１１と第２電極１２の放電面間で第２ガスを介してプラズマ放電させるプラズマ放電開始工程と、プラズマ放電開始工程後、エッチングガスを導入することにより、第１・第２電極間の基板を処理するか、あるいはチャンバー１０内をクリーニングするエッチング工程とを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）