【課題】ウエハ面内温度分布均一性を高める。
【解決手段】バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。複数枚のウエハ１を処理室３７に搬入するボート４２の同一段の保持溝４６、４６、４６にシリコンからなるホルダ４７を架設して、ウエハ１をホルダ４７の保持穴４８に収容して保持する。マイクロ波のウエハ周縁部への集中をホルダによって吸収することにより、ウエハ周縁部が極端に加熱されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面到達前にソースそれぞれに最適な分解効率を示す温度で加熱し、十分な分解をさせた後に結晶成長を行うようにしたＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】有機金属錯体を気化した複数の半導体材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜するＭＯＣＶＤ装置において、前記複数の半導体材料ガスが供給される反応室内は部分的に異なる複数の温度領域を有するように制御されている。 （もっと読む）

【課題】プロセス所要時間を短縮することが可能な成膜装置と、この成膜装置を用いた成膜方法とを提供する。
【解決手段】開示する成膜装置は、減圧に排気され得る反応容器２０と、反応容器２０内に回転可能に設けられ、基板を保持する基板保持部２３と、基板保持部２３の外縁部から中央部へ向けて第１の反応ガスを流す第１の原料供給部２６と、基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第２の反応ガスを流す第２の原料供給部２６と、第１及び第２の原料供給部２６の間に設けられ、基板保持部の外縁から中央へ向けてパージガスを流すパージガス供給部２６と、基板保持部２３の中央部に設けられ、第１の反応ガス、第２の反応ガス、及びパージガスを排気する排気部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、第１の分離ガスを加熱する加熱装置８とを備える成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 冷却効果が高く製品製造のサイクルタイムを短くできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 加熱処理が終了したならば、昇降装置１８によって筒状加熱部材１０を上昇させ、反応チャンバー９を露出させて反応チャンバー９（半導体ウェーハ）を４００℃程度まで冷却する。この場合、反応チャンバー９の外側には筒状断熱体１１が存在しているので、反応チャンバー９の熱によって周辺機器が悪影響を受けることがない。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられるＯリングの温度上昇を抑制し、劣化、焼損を防止することにより長寿命化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記反応管に連設され非金属部材で構成されるマニホールド２２と、該マニホールド２２を蓋する蓋体と、前記マニホールド２２と前記蓋体との間に設けられる密閉部材とを備え、前記マニホ―ルド２２には、前記反応管の軸心に対し直交する方向の外壁から内壁にかけてガス供給部が配設され、前記加熱装置と前記密閉部材との間に中空部７１が形成され、該中空部７１内に金属部材が配置された。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却効果が高く製品製造のサイクルタイムを短くできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 コイルヒータ１４に通電して雰囲気温度を８００℃付近まで昇温し、半導体ウェーハＷ表面に被膜を形成する。そして、加熱処理が終了したならば、直ちに冷却用空間としての筒状空間Ｓまたは貫通孔１８に、水などの冷却媒体を供給して前記雰囲気温度を４００℃付近まで低下させ、前記と逆の手順で処理後の半導体ウェーハＷを払い出し、新たな未処理のウェーハを反応チャンバー２内に入れる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの濃度分布を改善できる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】内部で半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応容器と、シリコンソースとキャリアガスとを含む反応ガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第一のガス供給管３３１と、シリコンソースとキャリアガスとドーパントガスとのうち少なくとも一つを含むガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第二のガス供給管３３２と、を備え、前記第一のガス供給管３３１から供給される前記反応ガスの供給方向と前記第二のガス供給管３３２から供給される前記ガスの供給方向とのなす角度が３０〜１２０度であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面での反応ガスの消費を抑制することでエピタキシャル層の厚さを均一にすること。
【解決手段】本発明の気相成長装置用のサセプタ２は、半導体ウェーハＷを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタ２であって、半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域２２が前記サセプタ２の上面に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の有無を簡便な手法により評価するエピタキシャルウェーハの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 （もっと読む）

【課題】角型の基板の周縁領域におけるローディング効果を抑えるための整流部材を当該基板を囲むように配置した載置台を内部に備えた処理容器において、この基板にエッチング処理を行うにあたり、このエッチング処理によって生成する生成物による基板の汚染を抑えること。
【解決手段】基板を囲むように設けられた整流部材の少なくとも当該基板に対向する面に多孔質体を配置する。そして、基板のエッチング処理により生成する生成物をこの多孔質体の表面に吸着させることによって、生成物と整流部材との密着強度を高めて当該生成物の脱落を抑える。 （もっと読む）

【課題】ウェハに面内均一性の良い膜を長期的に成膜する。
【解決手段】ウェハ５がセットされるボート２及びそれを支持するキャップ３を覆う炉芯管４に、ウェハセット領域５ａの側方に配置されるように保護管７を配置する。保護管７は、その一端を炉芯管４の上部側に引き出し、その一端からプラズマ電極６を挿入する。この保護管７に近接して原料ガス導入用のシャワーノズルを配置し、シャワーノズルから放出される原料ガスを、保護管７内のプラズマ電極６の放電によってプラズマ化し、ボート２側に供給する。プラズマ電極６を保護管７の引き出し口から挿入してウェハセット領域５ａの側方に配置するため、成膜時の加熱等によるプラズマ電極６の自重による縮みの発生が抑えられ、ボート２の上部から下部にわたるウェハ５に対し、略均一な条件で長期的に成膜を行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短縮でき、生産量を増大させることが可能な真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバー１と、チャンバー１の内部において移動可能に設けられた第１及び第２のサセプタ１１，２１とを備える。チャンバー１の上部の一部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、処理室４が定義され、チャンバー１の上部の他の一部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、ロードロック室７が定義される。第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかをロードロック室７側から処理室４側に、相補的に第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかを、処理室４側からロードロック室７側に搬送し、第１及び第２のサセプタ１１，２１上に載置された被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜ｃを、処理室４において順次処理する。 （もっと読む）

【課題】 搬送トレイに貼付されている接着シートに基板をその全面に亘って効率よく接着できる簡単かつ低コストの接着装置を提供する。
【解決手段】 本発明の接着装置は、搬送トレイＴの所定位置に貼付した接着シートＡＳ表面に被処理体Ｗを載置して仮着したものを収容する脱気室と、脱気室を真空引きする真空排気手段６とを備え、脱気室には、被処理体に対向させて形成された通気孔８ａ、８ｂ、８ｃが形成されている。この場合、通気孔は、被処理体の中央領域に対向する中央孔８ａと、複数個の周辺孔８ｂ、８ｃとから構成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】装置構成が簡単で、かつ基板上に均一に膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室１と、成膜室１内に固定され被成膜体を保持するステージ５と、成膜室１に成膜ガスを導入する吸気手段と、成膜室１内のガスを排気する排気手段とを備えた成膜装置であって、成膜時に被成膜体の表面を流れるガスの流路を動的に変化させる流路制御手段を備えたものである。流路制御手段は、例えば略円筒形状に形成された排気部６と、排気部６の上部に配された略円盤状の回転体７と、回転体７を回転駆動または揺動駆動するモータ８とを備えている。また、回転体７は、排気部６に対して偏心した位置に開口部７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一かつ効率よく加熱する。
【解決手段】筐体１１とともに処理室１２を形成する誘電体ドーム１３と、高周波電力を整合器１６を介してコイル１４に供給する高周波電源１５と、処理室１２内を排気する排気管２０と、処理室１２内にガスを導入するガス導入管２２と、処理室１２内でウエハ１を保持するサセプタ２３とを備えた枚葉式プラズマ処理装置１０において、サセプタ２３上にマイクロ波吸収板２４を載置し、サセプタ２３下方にマイクロ波を導入するキャビティ２６を設け、キャビティ２６底にマイクロ波導入口３７を有する仕切り板２７を昇降可能に配置する。仕切り板２７下方に設置したエレベータ２８のシャフト２９に水平に固定した支持台３０上にマイクロ波電源３１を設置し、マイクロ波電源３１は複数の導波管、アイソレータ３３、整合器３５を介してマイクロ波導入口３７に接続する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置から受信したデータの発生順序を正確に表現することが可能な群管理装置を備える基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１００と、基板処理装置とデータ交換可能なように接続される群管理装置５００と、を備える基板処理システムであって、群管理装置は、基板処理装置の状態を示すデータを基板処理装置から受信し、基板処理装置内のデータ発生箇所から群管理装置へと至るデータ転送経路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の所要転送時間と基準転送時間との転送時間差を、データを受信した時刻に加減して時刻を補正し、補正後の時刻に基づいて受信したデータを時系列に並び替え、並び替え後のデータのうち補正後の時刻が同一であるデータを同一時刻に発生したデータとして表示する。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの電子やＵＶ光によるガスの解離を抑制でき、予定通りの分子構造を有する良質な膜を形成することが可能な中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法を提供する。
【解決手段】希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子ビームＮＢを生成し、エネルギーが制御された中性粒子ビームを原料ガスに照射し、所定の分子を解離して重合させ、基板１４上に膜３０を形成させる。 （もっと読む）