【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】液晶や太陽電池などの製造において、プラズマＣＶＤ装置の大面積化の要求のため、大面積の領域に均一なプラズマを発生させて、高周波電極の隅部での膜厚増加を抑え、プラズマの成膜領域の全面積で均一な成膜厚を実現する。
【解決手段】大面積基板に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１内に被成膜処理を行う基板６を戴置する基板電極４と、これに対向する高周波電極５と、高周波電極５に高周波電力を供給する高周波電力部２と、真空容器１内に成膜ガスを供給するガス供給部３と、高周波電極５を囲むように設けられたシールド電極１０と、高周波電極５の隅部を覆うように、基板電極４に対向して設けられたコーナープレート１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波による加熱処理装置において基板の面内温度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内で基板を支持する基板支持部５と、処理室の壁面に開口する基板搬入搬出口１０を開閉すると共に基板搬入搬出口１０を閉じた際には処理室の内壁面の一部を構成する開閉部９と、処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部４と、を備えている。処理室の内壁面のうち、基板支持部５上に支持された基板Ｗの処理面に対向する面７と開閉部が構成する面９とを結ぶ面８が、基板Ｗの処理面に対して斜めに構成された。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】複数の処理ヘッドを含むプラズマ処理装置における各処理ヘッドへの供給電力の検査を簡易に行なえるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置の電源１０から各電極ユニット２３への電力供給ライン１４にプローブ取付端子３０を設ける。プローブ取付端子３０に、検電手段５０用の高電圧プローブ４０の接続端子４１を抜き差し可能に接続する。プローブ取付端子３０の弾性保持部３１によって、接続端子４１を弾性的に押さえて保持する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部で生成された活性種が、ウェハ上に十分供給されやすく、成膜速度を向上させることでき、また、ウェハの面内、面間における膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】一端が閉塞し、他端が開口した筒状のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に設けられるインナーチューブであって、一端が閉塞し、他端が開口した筒状に形成され、内部で基板を処理可能とするインナーチューブと、該インナーチューブの前記開口した他端を閉塞する閉塞部とを備えた基板処理装置において、前記アウターチューブの側壁と前記インナーチューブの側壁との間の空間に、石英パイプ１０で被覆されたアンテナ２３を設置したプラズマ生成部を設け、前記プラズマ生成部で生成された反応活性種を、前記インナーチューブの側壁に設けられた活性種供給口から、前記インナーチューブ内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置が大型化してもチャンバ内を容易に密閉可能であり、多様な形状、及び多様な組み合わせのチャンバを容易に密封可能な、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】成膜チャンバ群１４を構成する各チャンバの、薄膜を成膜する対象となる基板を出し入れするための基板出入り口に、基板が通過する開口部と当該開口部を塞ぐスライド扉を配し、開口部の周囲又は扉部の相当位置に気密性と弾性を有するチューブを取り付け、チューブに気体を導入することで、チューブを膨張させて、膨張したチューブを対向する開口部の周囲又は扉部の相当位置に押し当てることにより、チャンバ内を密閉することのできる薄膜製造装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法は、表面に絶縁膜２５が位置し且つ所定の結晶方位を有する基板２１’に対し、この基板２１’を１０００℃以下の所定温度に調節した状態にて、触媒元素のイオンを注入することで、触媒元素を含む成長核２７を、基板２１’と絶縁膜２５との界面に形成させる成長核形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を同時に表面処理する場合に、全ての基板の表面を均一に処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板１１２を傾斜させて、かつ、間隔をあけて垂直方向に積層保持する縦型基板保持具と、前記複数の基板の間隔よりも狭い間隔で垂直方向に配置された複数のガス導入口１５７と、を備え、前記縦型基板保持具を、その長手方向を回転軸として回転させる事で、傾斜した前記基板面に衝突したガス流が攪拌されて全ての基板に均一に原料ガスが供給された後に垂直方向に配置された複数のガス排気口１５８から排気される。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの小さいポリシリコン膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的に昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子３０を気化させる気化器２１において、前記固体の粒子３０を供給するための供給部３１と、前記供給部３１より供給された前記固体の粒子３０を気化するため、複数の孔部が設けられた加熱部を有する気化部３３とを有し、前記気化部３３は、重力の働く方向に上から順に設けられた分散網３４と加熱網３５と加熱傾斜部３６からなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性を高めるとともに、表面荒れが抑制された酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体のアニール方法と基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体を、９５０℃以上１２５０℃以下、かつ、窒素また希ガスから選ばれる第一のガスと酸素との混合ガスが、前混合ガスに対する酸素の濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるガス雰囲気下でアニール処理する。 （もっと読む）

【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚でＳｉＣ膜を成膜することができる熱処理装置において、シリコンガス供給ノズルの閉塞を防止する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に反応ガスであるカーボン含有ガスを供給するガス供給ノズル６０及びシリコン含有ガスを供給するガス供給口７０を備え、ガス供給口７０の上端は、シリコンの熱分解温度以下の温度領域である、反応管の下部領域で開口している。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】プロセス温度が室温程度の低い温度帯域でプラズマ処理する際に、そのプロセス温度を低く維持してプラズマ成膜処理等のプラズマ処理の再現性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器２４と、被処理体Ｗを保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２８と、ガスを供給するガス供給手段４６，４８と、処理容器の長さ方向に沿って設けられてガスを高周波電力により発生したプラズマにより活性化する活性化手段５８とを有して、被処理体に対してプラズマ処理を施すようになされたプラズマ処理装置において、高周波を遮断するために処理容器の周囲を囲むようにして設けられると共に接地された筒体状のシールド筐体７２と、プラズマ処理中にシールド筐体と処理容器との間の空間部８２に沿って冷却気体を流す冷却機構７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルがＳｉＣ単結晶基板に到達することが抑制でき、高品質なＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】加熱容器９内に邪魔板を多段に配置する。このような構造とすれば、邪魔板を設けない場合もしくは一段のみの場合と比較して、原料ガス３の流動経路長が伸びる。このため、加熱した加熱容器９内において原料ガス３が高温に暴露される時間が長くなるようにできる。これにより、パーティクルが分解されて種結晶５の表面やＳｉＣ単結晶６の成長表面に辿り着かないようにできる。したがって、高品質なＳｉＣ単結晶６を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚および膜質の面内分布に優れた高品質な薄膜を歩留まり良く製膜可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】製膜室Ｒ内において被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板２の被製膜面に向けてシャワーヘッド４から原料ガス８を分散供給した状態で前記原料ガス８のプラズマ５を発生させて前記プラズマ５により前記原料ガス８を分解して前記被製膜面に堆積させることで薄膜を製膜するプラズマＣＶＤ装置であって、前記シャワーヘッド４は、前記基板ステージ１と対向する面に設けられて前記被製膜面に向けて原料ガス８を分散供給するガス供給部１０と、前記基板ステージ１と対向する面の前記ガス供給部１０の外周部であって前記被処理基板の面内方向における前記被処理基板の外周端部位置よりも外方の位置に、前記基板ステージ１の方向に突出した遮蔽部７と、を備える。 （もっと読む）