【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】膜組成の制御が容易、かつ、薄膜化が可能なゲート絶縁膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、トランジスタが形成される半導体基体１上に、ゲート絶縁膜となる酸化マンガン膜１２を形成する工程と、前記酸化マンガン膜１２上に、ゲート電極となる導電体膜１３を形成する工程と、前記導電体膜１３及び前記酸化マンガン膜１２を加工し、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】出口部での清掃残りの発生を抑制し、マウンドやランプ加熱式成長装置の場合のスリップを抑制可能な枚葉式ＣＶＤ用チャンバのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内のクリーニング時、エッチングガスを成長ガスの流れ方向とは反対方向から内部流路へ供給するので、分解生成物が堆積し易い出口部の内壁に対して、充分な量のエッチングガスを供給できる。そのため、出口部における分解生成物の清掃残りの発生を抑制できる。その結果、分解生成物が内壁から剥がれて生じるパーティクルを原因としたマウンドや、ランプ加熱方式の気相成長装置を採用したときのスリップを抑制できる。 （もっと読む）

２つの電極間に電流のための電気的に対称なグラウンドパスまたはリターンパスを設けるための方法および装置が説明される。この装置は、電極の中の１つに結合され、処理チャンバの側壁および／または底部間に位置する少なくとも１つの高周波（ＲＦ）デバイスを備える。この方法は、ある電極を他の電極に対して移動させるステップと、側壁および電極に結合されたＲＦデバイス、チャンバの底部および電極に結合されたＲＦデバイス、またはそれらの組合せの中の１つまたは複数を使用して、変位された電極の位置に基づきグラウンドリターンパスを実現するステップとを含む。
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ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）の製造方法は、ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップを含む。スラリーが１以上の開口を通して流され、これによって複数の開口の側壁から損傷面を除去する。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、１以上の開口を通してスラリーを流す前又は後に酸化されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、所望の時間の間、ガス配気プレートにＲＦ電力を供給することによってコンディショニングされてもよい。
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半導体基板上に酸化物層を形成するための方法及び装置を開示する。１つ又は複数の実施形態では、半導体基板の温度を約１００℃未満に制御することによって、プラズマ酸化を使用して、共形酸化物層を形成することができる。１つ又は複数の実施形態による半導体基板の温度を制御するための方法は、静電チャックならびに冷却剤及びガス対流を利用することを含む。
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【課題】原料ガスの収率を向上させられるようにする。
【解決手段】第１〜第３反応容器９〜１１を多段に配置すると共に、第２、第３反応容器１０、１１の底面にガス流動孔１０ｂ、１１ｂを設けることにより、多段にわたって原料ガス３が供給されるようにし、多段それぞれに配置された複数の種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６を成長させられるようにする。これにより、原料ガス３をより効率良く再結晶化させることが可能となり、原料ガス３の収率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 保守維持費の増大を抑制することが可能な真空装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｇを真空状態下におくことが可能な、気密に構成された容器本体５０と、容器本体５０に設けられた、被処理基板Ｇを出し入れする開口部５１と、開口部５１を開閉する弁体６１と、開口部５１を囲むように枠状に形成され、容器本体側表面７１ａ、及びこの容器本体側表面７１ａに相対する弁体側表面７１ｂの双方に枠状シール部材７２ａ、７２ｂを備えた、開口部５１の周囲に着脱自在に取り付けられるシール板７０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制でき、真空ポンプを有効に活用することが可能な成膜システムおよび真空ポンプの制御システムを提供する。
【解決手段】一定の時間間隔で連続的に基板Ｗが投入されるローディング室１１と、基板が取り出されるアンローディング室１５と、を備えた成膜装置１０Ａ，１０Ｂが並行して二組配置され、一方の成膜装置１０Ａのローディング室と他方の成膜装置１０Ｂのローディング室とが対向配置されるとともに、一方の成膜装置のアンローディング室と他方の成膜装置のアンローディング室とが対向配置され、一方の成膜装置のローディング室と他方の成膜装置のローディング室との間に、ローディング室内を真空状態にすることができる真空ポンプ３１が設けられ、真空ポンプと一方のローディング室とが接続されるとともに、真空ポンプと他方のローディング室とが接続され、真空ポンプで排気する系統を切替可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内を真空引きする技術を提供する。
【解決手段】 真空引き装置１０は、チャンバ３０と、チャンバ３０内を脱気する真空ポンプ６０と、チャンバ３０内にマイクロ波を照射するマイクロ波照射装置５０を備えている。チャンバ３０は、半導体ウエハ２０を収容する収容部４０を備えている。また、チャンバ３０は、マイクロ波を透過するとともに、気密性、及び耐圧性に優れた素材で形成されている。この真空引き装置１０では、収容部４０を真空引きする際に、真空ポンプ６０を用いて収容部４０内を脱気するとともに、収容部４０にマイクロ波を照射する。これによって、収容部４０内の水分子が水蒸気化し、収容部４０内に存在する水蒸気が真空ポンプ６０によって脱気される。収容部４０にマイクロ波を照射することで、半導体ウエハ２０に無用な熱履歴を与えることなく、チャンバ３０内を短時間で高真空化することができる。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドへの膜成長を抑制する。
【解決手段】アノード電極３とカソード電極１７間に高周波電力を印加してプラズマを発生させて、アノード電極３とカソード電極１７間に第一ガスと第二ガスを供給し、アノード電極３上に保持した基板４に成膜するＰＥＣＶＤにおいて、下側室５４と上側室５５とを形成したシャワーヘッド本体５０にカソード電極１７を設け、下側室５４には第一ガス供給ライン５１を接続し、上側室５５には第二ガス供給ライン５２を接続する。カソード電極１７には処理室にガスを吹き出す第一ガス供給孔５８と第二ガス供給孔５９を複数本ずつ開設し、第一ガス供給孔５８は下側室５４に連通させ、第二ガス供給孔５９は上側室５５に連通させる。カソード電極１７下面には突起６０を各第一ガス供給孔５８に対向する位置に突設し、凹部６１を各第二ガス供給孔５９に対向する位置に没設する。 （もっと読む）

【課題】 キャリアガス中の原料ガスの濃度を安定化させ、原料の巻き上げや飛散による影響を抑制する。
【解決手段】 容器内に収容された常温常圧下において固体である原料を固体から液体に変化させる工程と、液体に変化させた前記原料を固体に戻す工程と、固体に戻した前記原料を昇華させて前記容器内で原料ガスを生じさせる工程と、前記容器内で生じさせた前記原料ガスを基板に対して供給し、基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルの水平部とガス排気口を同一面方向に設けた場合でも、基板に対する処理ガスの接触時間を増加させ、基板に成膜される膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１５を所定の間隔で収容する処理室８と、該処理室内に基板を処理するガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内のガスを排気するガス排気手段とを具備し、前記ガス供給手段はガスノズル１１を有し、該ガスノズルは水平部と円弧状部と垂直部から構成され、前記水平部は前記ガス排気手段に隣接した箇所から前記処理室内に貫通され、前記円弧状部は前記ガス排気手段から遠ざかる様に前記処理室の内壁に沿って水平面内に円弧状に延在され、前記垂直部は前記処理室の内壁に沿って垂直に設けた。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ等の処理基板に対する処理ガス接触時間を増加させ、均一な処理ガスを供給できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容するインナーチューブ４と、該インナーチューブを取囲むアウターチューブ２と、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズル８と、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第１排気口３と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第１排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第２排気口６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、Ｂ化合物の膜の形成を抑えるようにする。
【解決手段】処理室２０１内に設けられた同一のガス供給ノズル１６６に、少なくとも構成元素としてＢを含むガスと構成元素としてＣｌを含むガスとを同時供給し、ガス供給ノズル１６６内のＣｌの濃度がＢの濃度よりも高くなすように供給してＢドープシリコン膜を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 副生成ガスによる成膜速度の低下を抑制することができる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウエハ５０の表面に膜を成長させる成膜装置であって、内部にウエハ５０が設置されるチャンバ１５と、ウエハ５０の表面において反応して、ウエハの表面に固着する物質と、副生成ガスに変化する原料ガスをチャンバ内に導入するガス導入手段２５と、副生成ガスを反応させて、チャンバ内に原料ガスを生成する逆反応手段３０、３４を有していることを特徴とする成膜装置１０。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短縮でき、生産性を向上させることが可能な真空装置を提供する。
【解決手段】基板２３，２４を基板トレイ１１上に載置する載置機構４１と、基板トレイ１１を搬入し基板２３，２４を加熱する手段１ｂを有するロードロック室２と、ロードロック室２の出口側に連結しロードロック室２から設定温度に加熱された基板２３，２４を載置した基板トレイ１１を搬入し、基板２３，２４を設定温度で処理する処理室１と、処理室１の出口側に連結されたアンロードロック室３と、アンロードロック室３から搬出された基板トレイ１１上から基板２２，２３を回収する回収機構４２と、回収機構４２と載置機構４１との間を連結し基板トレイ１１を回収機構４２側から載置機構４１側へ戻す筒状の搬送室を有するトレイリターン機構１０とを備える。ロードロック室２、処理室１、アンロードロック室は真空排気可能であり搬送室を密閉構造とすることが可能である。 （もっと読む）

物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、陰極と、無線周波数電源と、基板支持体と、陽極と、シールドと、を含む。陰極は、真空チャンバ内にあり、ターゲットを含むように構成される。無線周波数電源は、陰極に電力を印加するように構成される。基板支持体は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁から電気的に絶縁される。陽極は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続される。シールドは、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続され、環状体と環状体から延びる複数の同心環状突起とを含む。
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