【課題】被処理体が大型化した場合であっても、蓋体の肉厚を過度に大きくすることなく、蓋体の重量増加を抑える。
【解決手段】熱処理装置１は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面に設けられたヒータ５とを有する熱処理炉２と、処理容器３の炉口３ａを閉塞する蓋体１０と、蓋体１０上に保温筒１１を介して支持され被処理体Ｗを多段に保持する保持具１２とを備えている。蓋体１０はステンレス等の耐食性金属製となっており、下方へ向って突出する湾曲板からなる。 （もっと読む）

【課題】断熱材の断熱性能を向上させるとともに断熱材の厚みの増加を抑える。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６の内周面に設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。断熱材１６は通常の断熱材料からなる内側断熱材１６ａと、圧縮された微粉シリカ材からなる外側断熱材１６ｂとを有し、外側断熱材１６ｂの外面は飛散防止材１６ｃにより覆われている。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができ、かつヒータエレメントの寿命を伸ばすこと。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面１６ａに設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。上記ヒータ５は、円筒状の断熱材１６の内周面１６ａに沿ってスパイラル状に配置されたヒータエレメント１８を有している。ヒータエレメント１８は帯状のものを波形に曲げ加工してなり、外側に突出する谷部１８ａと内側へ突出する山部１８ｂとを有するコルゲート型のヒータエレメントからなる。谷部１８ａは谷部支持ピン部材２０ａにより支持され、山部１８ｂは山部支持ピン部材２０ｂにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れかつ高強度である高品質な炭化珪素膜を低温で成長させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面が単結晶シリコン膜で形成された基板上に炭化珪素膜を積層してなる半導体基板の製造方法であって、前記炭化珪素膜の形成工程が、炭素源としてネオペンタンガスを用い、シリコン源としてジシランガス又はトリシランガスを用いて、ＣＶＤ法により、前記基板の一面に炭化珪素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ膜を形成することを可能にし、光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ，ｙ，ｚ：０以上、１以下）である活性層２が直接形成されている。この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザー散乱方式のパーティクルモニタでは、４５nmノード以降で課題となる３０nmレベルの微小なパーティクルを感度良く検出することが困難となる。
【解決手段】本発明によるパーティクルモニタは、プラズマ処理装置内に浮遊するパーティクルを集塵電極により積極的に集め、四重極リニアトラップ等を用いて特定の場所に蓄積し、これらを電気的に検出する、もしくは、レーザー散乱光を用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。
【解決手段】炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。 （もっと読む）

【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体多層膜、例えば、コレクタ、ベース、エミッタに供する各半導体層をエピタキシャル成長により連続して形成する半導体多層膜において、上記コレクタ／ベース及びエミッタ／ベースの各層界面での、結晶性の悪化に伴うリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】 例えば、コレクタ（第１の第１導電型単結晶層）、ベース（第２導電型単結晶層）、エミッタ（第２の第１導電型単結晶層）に供する各半導体層を大気に曝すことなく連続的に形成する際、コレクタとエミッタとに供する各半導体層は減圧状態でエピタキシャル成長し、ベースに供する半導体層は、高真空状態でエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波導入用誘電体窓表面に付着した反応生成物が成長後剥離し、パーティクルとして基板上に降りデバイス不良を生起する問題を解決する。また、放電条件により低下するプラズマ均一性を改善する。
【解決手段】 マイクロ波導入手段１０８と誘電体窓１０７の間に絶縁されたラジオ波電極１１４を設けるか、またはマイクロ波導入手段自体をラジオ波電極としても併用し、プラズマ発生用のマイクロ波にラジオ波を重畳する。これにより、従来は反応生成物が付着しやすかったマイクロ波プラズマの弱かった部分にも、より強いプラズマを発生させる。これはパーティクル抑制のみならず、プラズマの均一性改善にも効果がある。 （もっと読む）

特にナノ領域で個々の材料成分を堆積する公知方法は顕微鏡のプローブチップと基板の間に電界を使用して運転し、電界に前駆物質ガスを、材料成分を含有する１種の化合物と一緒に導入する。電界の作用下に化合物が分離し、材料成分が遊離し、材料成分が引き続き基板上にプローブチップの下に狭く限られた領域に堆積する。本発明の方法では複数の先駆物質ガス（ＰＧ）を、他の材料成分（Ｃｄ、Ｔｅ）を含有するそれぞれ他の化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）と一緒にガス混合物中で、調節可能な混合比で、同時にまたは相前後して使用し、分離された異なる前駆物質化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）から分離された材料成分（Ｃｄ，Ｔｅ）から選択された混合比に相当して共通の化合物（ＣｄＴｅ）を形成し、この化合物を基板（Ｓ）に局所的に堆積する。従ってパラメーターを調節した化合物材料、特に化合物半導体を異なる材料成分と一緒に変動できる濃度で堆積できる。有利に異なるスペクトル帯域の間隙を有するナノ構造化された、堆積されたナノポイントからのフォトダイオードまたは発光ダイオードを有する半導体部品を形成することもできる。
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【課題】 従来の薄膜製造装置はパルスレーザー照射機構を備えていないため、一旦ロール状のテープに半導体膜を成膜してロール状に巻き取った後、レーザー照射装置に移動して改めてロール状のテープにパルスレーザーを照射する必要があり、真空排気や不活性ガスによる置換など極めてタクトタイムが長くなる課題があった。
【解決手段】 ロールフィルムを供給する機構と、触媒ＣＶＤ法によりロールフィルム上に半導体膜を形成する機構と、パルスレーザーを半導体膜に照射する機構と、ロールフィルムを巻き取る機構を備えた薄膜製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 整合器による整合動作を頻繁に行うことなく、安定したプラズマ放電を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、高周波電圧を印加されることによりプラズマを発生させ、該発生させたプラズマによって前記ガス供給手段により供給された処理ガスをプラズマ励起させるための一対の電極と、前記一対の電極の内いずれか一方と高周波電源との間に接続されるとともに、前記一対の電極の内いずれか一方と高周波電源との間のインピーダンス整合を行う整合器と、前記一対の電極のうち一方の電極と他方の電極とを接続するキャパシタとを有する。
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【課題】 新規素子の開発リードタイムを短縮するとともに、さまざまな種類の材料を用いて開発・製造コストを低減し、かつ、素子の小型化・微細化を図ることができる素子製造装置を提供する。
【解決手段】 基板２を内部に収容する容器３と、基板２上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスＧを、容器３内に供給するガス供給手段１１と、基板２に励起線Ｅを照射する複数の励起線源４と、基板２と励起線Ｅとを相対移動させる移動手段６と、所定膜種の膜の成膜位置および成膜状態を検出する成膜検出手段１２と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

遠隔プラズマ増強化学気相成長法によってIII族金属窒化膜を成長させるための方法および装置が説明されている。この方法は、基板と、バッファ層を含む基板とからなる群より選択されるオブジェクトを成長チャンバにおいて約400℃〜約750℃の範囲の温度に加熱する工程、成長チャンバから離れて配置された窒素プラズマで活性化中性窒素種を産生する工程、および活性化中性窒素種を成長チャンバに転送する工程を含む。反応混合物が成長チャンバで形成され、この反応混合物は、III族金属窒化膜を形成するために窒素種と反応可能なIII族金属の一種を含有し、膜がデバイス用途に適合する条件下で、III族金属窒化物の膜が加熱されたオブジェクト上に形成される。1.6原子％未満の酸素濃度を示すIII族金属窒化膜も説明されている。

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