【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

ガスを処理チャンバ内に分配するためのガス分配プレートの実施形態が提供される。一実施形態において、プラズマ処理チャンバのためのガス拡散器プレートアセンブリは、上流と下流側面との間を通るガス通路を備えた拡散器プレートと、ガス通路の下流側面での中空カソード空洞を含む。拡散器プレートの下流側面は、ＰＥＣＶＤにより堆積された薄膜、特にＳｉＮ及びアモルファスシリコンフィルムの厚さ均一性及びフィルム特性の均一性を改善するための湾曲を有する。湾曲は、好ましくは円又は楕円の弧により描かれ、それらの頂点は拡散器プレートの中心点に位置する。一様態において、拡散器の中空カソード空洞体積密度、表面領域密度、又は空洞密度は、中心から外部縁部へ増加する。そのような拡散器プレートを製造する方法も提供される。

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【課題】従来の技術による諸問題を解決するための薄膜トランジスター構造及び製作方法を提供する。
【解決手段】基板に１個以上の薄膜トランジスターを製作する方法は、（ａ）水素ガスで希釈されたシランをもって堆積工程を実行してゲート絶縁膜の上にシリコン膜を形成し、（ｂ）水素ガスを反応ガスとしてプラズマエッチング工程を実行し、（ｃ）ステップ（ａ）とステップ（ｂ）を１回以上繰り返して界面膜を形成し、（ｄ）界面膜に薄膜トランジスターのアモルファス膜、２枚のドープ半導体膜、ソース電極と、ドレイン電極を順次に形成するなどのステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、ドープ剤でドープされた少なくとも１つの層と該ドープされた層上に堆積される他の型の層とを有する半導体装置を単一の反応室内で製造する方法に関する。前記ドープされた層の堆積工程と前記他の型の層の堆積工程との間に、前記ドープ剤による前記他の層の汚染を避けるための操作が挿入される。該操作が前記ドーピング剤と反応することのできる化合物を反応室に添加する段階を含むと好ましい。
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【課題】 成膜速度の向上及び生産コストの低減、並びに成膜品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 高周波電力を発信する発信器８と、発信器８からの高周波電力が供給されるパワー電極とを備え、該パワー電極に対向配置されて相対的に移動する基板１１との間でプラズマ２を形成し、基板１１上にプラズマ処理を行うプラズマＣＶＤ装置に用いられる給電装置９において、パワー電極は、複数に分割された小電極により形成され、これら小電極間には間隙が形成され、間隙は、基板１１の移動方向に対して傾斜して配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上に形成した非晶質シリコン系薄膜にパルスレーザーをスキャンして多結晶シリコン系薄膜を形成する方法では、パルスレーザースキャンの前に、高温で数時間の脱水素処理を施す必要があるため、タクトタイムが長い課題があった。
【解決手段】 絶縁性基板上に触媒ＣＶＤ法により７Atomic％以下の水素含有量の非晶質シリコン系薄膜を形成し、パルスレーザーを照射して脱水素処理を行い、次いでパルスレーザーを照射して非晶質シリコン系薄膜を結晶化して多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上に形成した非晶質シリコン系薄膜にパルスレーザースキャンして多結晶シリコン系薄膜を形成する方法では、高温での脱水素処理を施す必要の無い低水素含有量の非晶質シリコン系薄膜をパルスレーザースキャンの前に大気暴露すると非晶質シリコン系薄膜が酸化する課題があった。
【解決手段】 絶縁性基板上に非晶質シリコン系薄膜を形成する工程とパルスレーザースキャンにより結晶化する工程を有する多結晶シリコン系薄膜の形成方法において、非晶質シリコン系薄膜を形成した絶縁性基板を真空中または不活性雰囲気で搬送し、少なくとも一回のパルスレーザースキャンにより結晶化する。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷が少なく、しかも、膜厚の均一性の良好な絶縁膜を得ることができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】電磁波入射面Ｆを有する真空容器２と、この真空容器２内に設けられた第１のガス噴出口４２、真空容器２内に、第１のガス噴出口４２より電磁波入射面Ｆから遠い位置に設けられた第２のガス噴出口５２を有するプラズマ成膜装置１ａにより絶縁膜１０１を形成する。第１のガス噴出口４２から真空容器２内にプラズマ発生用ガスとしての第１のガスを供給する工程と、第２のガス噴出口５２から真空容器２内に有機珪素化合物ガスおよび有機金属化合物ガスのうち少なくとも一方のガスと酸素ガス及び希釈ガスのうち少なくとも一方のガスとを含む第２のガスを供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高機能性薄膜を、生産性高く形成する薄膜形成方法であり、結晶性を有する非常に高品質な薄膜をプラスティック等の熱に弱い基材にも形成できる方法を提供することにある。
【解決手段】 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電ガスおよび薄膜形成ガスを含有するガスを放電空間に供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起し、基材を励起した前記ガスに晒すことにより前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法に於いて、前記放電ガスと前記薄膜形成ガスを含有するガスが、分離して前記放電空間に供給され、かつ、前記放電空間における、前記放電ガスと前記薄膜形成ガスを含む混合ガスの温度が、３００℃以上３０００℃以下であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの単一パルス段階中に前駆体の混合物がチャンバ内に共に存在して多成分薄膜を形成するように前駆体を混合するシステム及び方法を提供する。前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分からなり、このような異なる成分は多成分薄膜を製造するために単層を形成することになる。本発明の別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。
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【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

本発明においては大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置が記載される。低温（＜８０℃）無機膜は、プラスチック基板にほとんど付着しない。それ故、接着性を改善するために低温（＜８０℃）プラズマ前処理が加えられる。プラズマ前処理した無機膜は、良好な接着と気密性を示す。 （もっと読む）

誘電体層(410,510,610)、誘電体層(410,510,610)上の可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)、および可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)上のSiキャップ層(450,530,630)を持った基板(400,500,600)を含むSiGe薄層半導体構造である。可変組成Si_xGe_1-x層(440,520,620)は、勾配を付けたGeを有するSi_xGe_1-x層(520,620)、または、それぞれ異なったGe含有量(421,431)を有する複数のSi_xGe_1-xサブ層(420,430)を含むことができる。本発明の一実施形態では、SiGe薄層半導体構造は、誘電体層(610)、誘電体層(610)上のSi含有シード層(615)、シード層(615)上の可変組成Si_xGe_1-x層(620)、及び可変組成Si_xGe_1-x層(620)上のSiキャップ層(630)を持つ半導体基板(600)を含む。SiGe薄層半導体構造を加工するための方法と処理ツール(1,100)も提供される。
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所望のワイヤ径（ｄ）を有する半導体ナノワイヤ群（１０）を製作する方法は、少なくとも１つの予め製作された半導体ナノワイヤは所望のワイヤ径（ｄ）よりも大きいワイヤ径（ｄ’）を有する、予め製作された半導体ナノワイヤ群（１０’）を提供する工程と、少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤ（１０’）のワイヤ径をエッチングによって小さくする工程とを備え、このエッチングは少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤ（１０’）によって吸収される光によって誘起され、この少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤが所望のワイヤ径（ｄ）に達したときに、この少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤの吸収がかなり小さくなるように、この光のスペクトルが選択される。電子デバイス（１００）は、所望のワイヤ径（ｄ）を有するナノワイヤ群（１０）を備えてもよい。装置（２９）は本発明による方法を実行するのに使用され得る。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】空間的に均一な密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内に複数個の高周波アンテナ１６を配置し、各高周波アンテナ１６にインピーダンス素子１７を接続する。高周波電源２０に、銅板１８を介して複数の高周波アンテナ１６を並列に接続する。各インピーダンス素子１７をそれぞれ適切な値に調節することにより、高周波電源２０から各高周波アンテナ１６に供給される高周波電力を制御する。これにより、真空容器１１内のプラズマ密度の均一性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）