【課題】窒化インジウム（InN）を基としたバンドギャップEgが0.7〜1.05eVをもつIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN（x≧0、y≧0、かつx+y≦0.35）単結晶薄膜と良好に格子整合する単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO₅（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】水素添加した場合のシリコンサブストレートウェハのボイドから発生するエピタキシャル層欠陥を抑制・防止する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、水素、および窒素をシリコン融液に添加し、窒素濃度が３×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン結晶を引き上げる工程と、シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光強度及び歩留を高度に両立することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。したがって、半導体デバイス１００の発光強度及び歩留を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数種類の面方位のＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）のいずれにも簡易な工程でＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子１０において、ＹＡＧ基板１２は、面方位（１００）、（１１０）、（１１１）のいずれかの単結晶基板として形成される。半導体素子１０を製造する場合、まずＹＡＧ基板上にＴＭＡｌガスを供給し、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムにより核形成層１８を形成する。次に核形成層１８の表面にＮＨ_３ガスを供給して核形成層１８の表面をＶ族化してＡｌＮからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４を形成する。次にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４上にＴＭＡｌガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスを供給してＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０を形成する。最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 （もっと読む）

【課題】薄厚化デバイス素子用のシリコンウェーハをその有利な製造方法に併せて提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、前記炭素化合物成長層の炭素濃度が０．５×１０^１６〜１０×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 、酸素濃度が１．０×１０^１８〜１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ となるように単結晶を引き上げる引き上げ工程と、
引き上げた単結晶をスライスしてシリコンウェーハとするウェーハ加工工程と、
炭素と酸素による複合体を形成しゲッタリングシンクを形成する６００〜８００℃で０．２５〜３時間のプレアニール工程と、
前記析出熱処理工程後にシリコンウェーハ表面にシリコンエピタキシャル層を形成するエピタキシャル工程と、
最高到達温度が９００℃以下で３０秒以下の熱処理とされるデバイスプロセス熱処理工程と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】横方向リーク電流の低減と横方向耐圧特性を両立させ、縦方向耐圧を向上させる電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Si基板１上のバッファ３上にIII族窒化物層をエピタキシャル成長させた、チャネル層４ａおよび電子供給層４ｂを有する主積層体４を具え、前記バッファは、Si基板と接する初期成長層５および初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体６を有し、初期成長層はAlN材料からなり、前記超格子積層体はB_ａ1Al_b1Ga_c1In_d1N材料からなる第１層６ａおよび第１層とはバンドギャップの異なるＢ_ａ2Ａｌ_ｂ2Ｇａ_ｃ2Ｉｎ_ｄ2Ｎ材料からなる第２層６ｂを積層してなり、前記超格子積層体と、前記主積層体を構成するチャネル層のバッファ側の部分は、Ｃ濃度が1×10¹⁸/cm³以上であり、チャネル層の電子供給層側の部分は、Ｃ濃度が４×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体からなる電子デバイスにおいてバッファ層に生じるリーク電流を抑制できる窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】化合物半導体エピタキシャルウェハは、単結晶基板１０１と、前記単結晶基板上にエピタキシャル成長された核生成層１０２と、前記核生成層の上に成長された窒化物半導体の単層あるいは複数層からなるバッファ層１０３と、前記バッファ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体のチャネル層１０４と、前記チャネル層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体のキャリヤ供給層１０５とから成り、かつ前記核生成層からチャネル層までの合計の膜厚が１μm以下であること。 （もっと読む）

【課題】格子不整合系基板を使用しながら、高品質な単結晶窒化物半導体の結晶成長を実現する半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の表面にグラフェン層１１０を設ける工程と、グラフェン層１１０の炭素原子の配列を示すハニカム構造の中心に、単結晶半導体層の結晶を構成する一の元素を吸着させる工程と、この一の元素に前記結晶を構成する当該元素とは異なる他の元素を結合させ、前記結晶の第１層１１４を形成する工程と、前記第１層の表面にさらに所定の層数の前記結晶半導体層を結晶成長する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】電流増幅率を向上させ、基板種に影響されず良好な特性のデバイスを製造できる化合物半導体エピタキシャル基板を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２上に、サブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、エミッタ層４４、エミッタコンタクト層４６、４７がこの順序で形成されている化合物半導体エピタキシャル基板１において、ＧａＡｓ基板２とサブコレクタ層４１との間に形成されるバッファ層３を酸素を含むＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ (０≦Ｘ≦１）層とし、酸素を含むバッファ層３によりＧａＡｓ基板２に存在する欠陥の伝播を抑制し、ベース層４３の結晶性を基板種によらず安定かつ良好にできるようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】多光子吸収工程によってゲッタリングシンク４を形成した後で、シリコンウェーハ２を鏡面研磨する（ポリッシング工程：図４（ｂ）参照）。シリコンウェーハ２を鏡面研磨するポリッシング工程によって、前工程である多光子吸収工程においてレーザビームの照射により生じたシリコンウェーハ２の一面２ａの微細な傷（アブレーション）は完全に除去される（図４（ｂ）参照）。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型の超低抵抗率（２ｍΩ・ｃｍ以下）のシリコン単結晶基板を用いた、ミスフィット転位の発生を抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法とシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、チョクラルスキー法によって育成したシリコン単結晶棒を加工してシリコン単結晶基板を作製し、該シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記チョクラルスキー法で前記シリコン単結晶棒を育成する際に、該シリコン単結晶棒に抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ以下となるように燐をドープし、かつ前記シリコン薄膜の気相成長前に、前記シリコン単結晶基板に対して前記燐の拡散長が０．２４μｍ以上となるように時間と温度を調整した熱処理を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜にミスフィット転位が発生しにくい超低抵抗率のシリコンエピタキシャルウェーハとこれを低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主表面上に気相成長によって形成されたシリコン薄膜からなるシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板は、抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ以下で、かつ燐及びゲルマニウムが、前記燐の濃度〔Ｐ〕と前記ゲルマニウムの濃度〔Ｇｅ〕の比〔Ｇｅ〕／〔Ｐ〕が、０．５５≦〔Ｇｅ〕／〔Ｐ〕＜１．５となるようにドープされたものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として良好な品質を持ち、且つその表面が高抵抗化されたＧａＮ系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるための主面１０ａを有する基板であって、主面１０ａの少なくとも一部の領域１２にＨやＨｅ、Ａｒといった所定のイオンが注入されており、該少なくとも一部の領域１２は主面１０ａ全域の７０％以上を占めており、該領域１２の表面におけるシート抵抗値の平均は１×１０^４Ω／□以上である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層のエピタキシャル成長に用いるサファイア基板において、効率良く基板の反り形状及び／又は反り量を精密に制御することができ、且つ、成膜中に生じる基板の反りを抑制、それを用いて作製される窒化物半導体層成膜体、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体バルク基板及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板の内部に、前記サファイア基板の研磨面側を通してパルスレーザを集光し、走査し、前記パルスレーザによる多光子吸収を利用して改質領域パターンを形成し、サファイア基板の反り形状及び／又は反り量を制御する。本発明により得られたサファイア基板を用いて窒化物半導体層を形成すると、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができるため、膜の品質及び均一性が向上し、窒化物半導体デバイスの品質及び歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】直径２５ｍｍ以上、かつ厚さ２５０μｍ以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、ｎ型のキャリア濃度ｎ［ｃｍ^-3］が１.２×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下であり、かつ電子移動度μ［ｃｍ²／Ｖｓ］が、ｌｏｇ_eμ＝１７．７−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも大きく、かつｌｏｇ_eμ＝１８．５−０．２８８ｌｏｇ_eｎで表される値よりも小さい窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減できる構造を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】積層体１１は基板１３及びIII族窒化物半導体エピタキシャル膜１５を含む。基板１３は、１×１０^１８ｃｍ^−３を越えるキャリア濃度を有するIII族窒化物半導体からなる。エピタキシャル構造物１５はIII族窒化物半導体エピタキシャル膜１７を含む。基板１３の第１の面１３ａはｃ軸の方向に延びる軸Ｃｘに対して５度より大きい角度θで傾斜している。法線ベクトルＶＮ及びｃ軸ベクトルＶＣとは角度θを成す。III族窒化物半導体エピタキシャル膜１７は第１の面１３ａの法線方向に順に配置された第１、第２及び第３の領域１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。第３の領域１７ｃの転位密度は第１の領域１７ａの転位密度よりも小さい。第２の領域１７ｂの転位密度は基板１３の転位密度よりも小さい。 （もっと読む）